Fast dry etching of doped GaN films in Cl2-based inductively coupled high density plasmas

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 37, Issue 1, 2000, Pages 23-27

  Cho, Bum Chul ^a   Im, Yeon Ho ^a   Park, Jin Soo ^a   Jeong, Tak ^a   Hahn, Yoon Bong ^a  

^a Chonbuk National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0034338982     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (22)

1. S. A. Smith, C. A. Wolden, M. D. Bremser, A. D. Hanser, R. F. Davis and W. V. Lampert, Appl. Phys. Lett. 71, 3631 (1997).
2. R. J. Shul, R. D. Briggs, S. J. Pearton, C. B. Vartuli, C. R. Abernathy, J. W. Lee, C. Constantine and C. Barratt, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 969 (1997).
3. Y. B. Hahn and S. J. Pearton, Korean J. of Chem. Eng. 17, 304 (2000).
4. R. J. Shul, G. B. McClellan, S. A. Casalnuova, D. J. Rieger, S. J. Pearton, C. Constantine, C. Barrat, R. F. Karlicek, Jr., C. Tran and M. Schurman, Appl. Phys. Lett. 69, 1119 (1996).
5. R. J. Shul, GaN and Related Materials, edited by S. J. Pearton (Gordon and Breach, New York, 1997).
6. H. P. Gillis, D. A. Choutov and K. P. Martin, J. of Metlas 48, 50 (1996).
7. I. Adesida, A. Mahajan, E. Andideh, M. A. Khan, D. T. Olsen and J. N. Kuznia, Appl. Phys. Lett. 63, 2777 (1993).
8. M. E. Lin, Z. F. Fan, Z. Ma, L. H. Allen and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 64, 887 (1994).
9. H. Lee, D. B. Oberman and J. S. Harris, Jr., Appl. Phys. Lett. 67, 1754 (1995).
10. W. Pletschen, R. Niegurch and K. H. Bachem, in Proc. Symp. Wide Bandgap Semiconductors and Devices (Electorchemcal Society, Pennington, N. J., 1995), Vol. 95-21, p. 241.
11. S. J. Pearton, C. R. Abernathy and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 64, 2294 (1994).
12. L. Zhang, J. Ramer, J. Brown, K. Zhang, L. F. Lester and S. D. Hersee, Appl. Phys. Lett. 68, 367 (1996).
13. R. J. Shul, R. D. Briggs, S. J. Pearton, C. B. Vartuli, C. R. Abernathy, J. W. Lee, C. Constantine and C. Barratt, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 969 (1997).
14. H. Cho, C. B. Vartuli, S. M. Donovan, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. J. Shul and C. Constantine, J. Vac. Sci. Technol. A16, 1631 (1998).
15. H. Cho, C. B. Vartuli, S. M. Donovan, K. D. Mackenzie, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. J. Shul and C. Constantine, J. Electron. Mat. 27, 166 (1998).
16. S. Nakamura, GaN and Related Materials, edited. S. J. Pearton (Gordon and Breach, New York 1997).
17. R. J. Shul, G. B. McClellan, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, C. Constantine and C. Barratt, Electron. Lett. 32, 1408 (1996).
18. C. B. Vartuli, S. J. Pearton, J. W. Lee, J. D. Mackenzie, C. R. Abernathy, R. J. Shul, C. Constantine and C. Barratt, J. Electrochem. Soc. 144, 2844 (1997).
19. Y. B. Hahn, D. C. Hays, H. Cho, K. B. Jung, C. R. Abernathy, S. M. Donovan, S. J. Pearton, J. Han and R. J. Shul, Mat. Sci. Eng. B60, 95 (1999).
20. D. C. Hays, A. Cho, K. B. Jung, Y. B. Hahn, C. R. Abernathy and S. J. Pearton, Appl. Surf. Sci. 147, 134 (1999).
21. Y. B. Hahn, D. C. Hays, S. M. Donovan, C. R. Abernathy, J. Han, R. J. Shul, H. Cho, K. B. Jung and S. J. Peaton, J. Vac. Sci. Technol. A17, 768 (1999).
22. H. Cho, Y. B. Hahn, D. C. Hays, K. B. Jung, S. M. Donovan, C. R. Abernathy, S. J. Pearton and R. J. Shul, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G6.56 (1999).