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Volumn 62, Issue 10, 2000, Pages 6158-6179

First-principles calculations of defects in oxygen-deficient silica exposed to hydrogen

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HYDROGEN; OXIDE; OXYGEN; SILICON DIOXIDE;

EID: 0034261329     PISSN: 01631829     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.62.6158     Document Type: Article
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    • Calculations done in a 64-silicon-atom unit cell with Γ-point sampling only. No zero-point corrections have been applied
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.