Self-assembling SiGe and SiGeC nanostructures for light emitters and tunneling diodes

Thin Solid Films

Volumn 369, Issue 1, 2000, Pages 33-38

  Eberl, K ^a   Schmidt, O G ^a   Duschl, R ^a   Kienzle, O ^b   Ernst, E ^b   Rau, Y ^c  

^a MAX PLANCK INSTITUT FÜR FESTKÖRPERFORSCHUNG   (Germany)

^b MAX PLANCK INSTITUTE FOR INTELLIGENT SYSTEMS   (Germany)

^c ROBERT BOSCH GMBH   (Germany)

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CURRENT DENSITY; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; LIGHT EMITTING DIODES; MONOLAYERS; NANOSTRUCTURED MATERIALS; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; TUNNEL DIODES;

ESAKI DIODES; INTERBAND TUNNELING PROBABILITY; SELF-ASSEMBLY;

SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS;

EID: 0034226429     PISSN: 00406090     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0040-6090(00)00830-0     Document Type: Article

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