Correlation between dislocation density and the macroscopic properties of GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters

Volumn 38, Issue 10 B, 1999, Pages

  Watanabe, Atsushi ^a   Takahashi, Hirokazu ^a   Tanaka, Toshiyuki ^a   Ota, Hiroyuki ^a   Chikuma, Kiyofumi ^a   Amano, Hiroshi ^b   Kashima, Takayuki ^b   Nakamura, Ryo ^b   Akasaki, Isamu ^b  

^a PIONEER CORPORATION   (Japan)

^b MEIJO UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER MOBILITY; DISLOCATIONS (CRYSTALS); ETCHING; FILM GROWTH; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; PHOTOELECTRICITY; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING FILMS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

DISLOCATION DENSITY; GALLIUM NITRIDE; PHOTOELECTROCHEMICAL ETCHING;

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 0033339264     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.38.l1159     Document Type: Article

References (16)

1. S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 1687.
2. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama and T. Yamada: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L797.
3. S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford and D. A. Steigerwald: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 1249.
4. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano and K. Chocho: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L627.
5. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai and A. Yamaguchi: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L899.
6. O. H. Nam, M. D. Bremser, T. Zheleva and R. F. Davis: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2638.
7. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nigahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano and K. Chocho: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 211.
8. H. Amano, M. Iwaya, T. Kashima, M. Katsuragawa, I. Akasaki, J. Han, S. Hearne, J. A. Floro, E. Chason and J. Figiel: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L1540.
9. C. C. Yang, M. C. Wu, C. A. Chang and G. C. Chi: J. Appl. Phys. 85 (1999) 8427.
10. A. Pelzmann, C. Kirchner, M. Mayer, V. Schwegler, M. Schauler, M. Kamp, K. J. Ebeling, I. Grzegory, M. Leszczynski, G. Nowak and S. Porowski: J. Cryst. Growth 189/190 (1998) 167.
11. P. Fini, X. Wu, E. J. Tarsa, Y. Golan, V. Srikant, S. Keller, S. P. Denbaas and J. S. Speck: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 4460.
12. M. S. Minsky, M. White and E. L. Hu: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 1531.
13. C. Youtsey, L. T. Romano and I. Adesida: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 797.
14. C. Youtsey, L. T. Romano, R. J. Molnar and I. Adesida: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 3537.
15. H. M. Ng, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, N. G. Weimann and L. F. Eastman: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 821.
16. T. Sugahara, H. Sato, M. Hao, Y. Naoi, S. Kurai, S. Tottori, K. Yamashita, K. Nishino, L. T. Romano and S. Sakai: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L398.