Single-electron logic and memory devices

International Journal of Electronics

Volumn 86, Issue 5, 1999, Pages 511-547

  Korotkov, Alexander N ^a,b  

^a AIX MARSEILLE UNIVERSITY   (France)

^b STONY BROOK UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DATA STORAGE EQUIPMENT; FIELD EFFECT TRANSISTORS; LOGIC DEVICES;

SINGLE-ELECTRON LOGIC; SINGLE-ELECTRON MEMORY; SINGLE-ELECTRON PARAMETRONS; SINGLE-ELECTRON TRANSISTORS (SET);

INDUSTRIAL ELECTRONICS;

EID: 0032659808     PISSN: 00207217     EISSN: 13623060     Source Type: Journal    
DOI: 10.1080/002072199133256     Document Type: Article

References (102)

1. D. V. Averin and K. K. Likharev, in Mesoscopic Phenomena in Solids, edited by B. L. Altshuler, P. A. Lee, and R. A. Webb (Elsevier, Amsterdam, 1991), p. 173.
2. K. K. Likharev, IBM J. Res. Dev. 32, 144 (1988).
3. K. K. Likharev Single Charge Tunnelling, edited by H. Grabert and M. H. Devoret (Plenum, New York, 1992).
4. K. K. Likharev, and T Claeson, Scientific American 266, 50 (1992).
5. M. A. Kastner, Phys. Today 46, 24 (1993).
6. A. N. Korotkov, in Molecular Electronics, edited by J. Jortner and M. Ratner (Blackwell, Oxford, 1997), p. 157.
7. D. V. Averin, and K. K. Likharev, J. Low Temp. Phys. 62, 345 (1986).
8. K. K. Likharev, IEEE Trans. Magn. 23, 1142 (1987).
9. T A. Fulton, and G. C. Dolan, Phys. Rev. Lett., 59, 109 (1987).
10. E. N. Visscher, S. M. Verbrugh, J. Lindeman, P. Hadley, and J. E. Mooij, Appl. Phys. Lett. 66, 305 (1995).
11. V. Krupenin, D. E. Presnov, M. N. Savvateev, H. Scherer, A. B. Zorin and J. Niemeyer, Phys. Rev. B, 84, 3212 (1998).
12. M. J. Yoo, T A. Fulton and K. W West, Science 276, 579 (1997).
13. P. Delsing, K. K. Likharev, L. S. Kuzmin and T Claeson, Phys. Rev. Lett. 63, 1861 (1989).
14. H. Pothier, P. Lafarge, R. F. Orfila, C. Urbina, D. Esteve, and M. H. Devoret, Physica B 169, 573 (1991).
15. M. W Keller, J. M. Martinis, N. M. Zimmerman, and A. H. Steinbach, Appl. Phys. Lett. 69, 1804, (1996).
16. J. P. Pekola, K. P. Hirvi, J. P. Kauppinen, and M. A. Paalanen, Phys. Rev. Lett. 73, 2903 (1994).
17. K. P. Hirvi, J. P. Kauppinen, A. N. Korotkov, M. A. Paalanen, and J. P. Pekola, Appl. Phys. Lett. 67, 2096 (1995).
18. Y. Takahashi, M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Iwdate, Y Nakajima, S. Horiguchi, K. Mirase, and M. Tabe, Electron. Lett. 31, 136 (1995).
19. K. Matsumoto, M. Ishii, K. Segawa, Y. Oka, B. J. Vartanian, and J. S. Harris, Appl. Phys. Lett. 68, 34 (1996).
20. H. Ishikuro, and T Hiramoto, Appl. Phys. Lett. 71, 3691 (1997).
21. E. Leobandung, L. Guo, Y. WAng, and S. Y. Chou, Appl. Phys. Lett. 67, 938 (1995)
22. E. Leobandung, L. Guo, Y. WAng, and S. Y. Chou, Appl. Phys. Lett. 67, 2339 (1995).
23. Y Nakamura, C. D. Chen, and J. S. Tsai, Japan. J. Appl. Phys., Part 2, 35, L1465 (1996).
24. S. Altmeyer, A. Hamidi, and H. Kurz, J. Appl. Phys. 81, 8118 (1997).
25. T A. Fulton, P. L. Gammel, and L. N. Dunklleberger, Phys. Rev. Lett. 67, 3148 (1991).
26. L. LaFarge, P. Joyez, H. Pothier, A. Cleland, T Holst, D. Esteve, C. Urbina, and M. H. Devoret, C.R. Acad. Sci. Paris, Ser. II, 314, 883 (1992).
27. P. D. Dresslhaus, L. Ji, S. Han, J. E. Lukens, and K. K. Likharev, Phys. Rev. Lett. 72, 3226 (1994).
28. K. Nakazato, R. J. Blaikie, and H. Ahmed, J. Appl. Phys. 75, 5123 (1994).
29. K. Yano, T Ishii, T Hashimoto, T Kobayashi, F. Murai, and K. Seki, IEEE Trans. On Electron. Dev. 41, 1628 (1994).
30. A. Fujiwara, Y. Takahashi, K. Mirase, and M. Tabe, Appl. Phys. Lett. 67, 2957 (1995).
31. S. Twari, F. Rana, H. Hanai, A. Hartstein, E. F. Crabble and K. Chan, Appl. Phys. Lett. 68, 1377 (1996).
32. L. Guo, E. Leobandung, and S. Chou, Appl. Phys. Lett. 70, 850 (1997).
33. A. Nakajima, T Futatsugi and N. Yokoyama, Appl. Phys. Lett. 70, 1742 (1997).
34. C. D. Chen, Y Nakamura and J. S. Tsai, Appl. Phys. Lett. 71, 2038 (1997).
35. J. R. Tjoker, J. Appl. Phys. 72, 43339 (1992).
36. A. N. Korotkov, R. H. Chen, and K. K. Likharev, J. Appl. Phys. 78, 2520 (1995).
37. R. H. Chen, A. N. Korotkov, and K. K. Likharev, Appl. Phys. Lett. 68, 1954 (1996).
38. K. K. Likharev, and V. K. Semenov, in Extended Abstracts of International Superconductive Electronics Conference, Tokyo, 1987, p. 182.
39. K. K. Likharev, S. F. Polonsky, and S. V. Vyshenskii, Single-electron logic/memory family, Reprint (1990).
40. D. V. Averin, and K. K. Likharev, in [Single Charge Tunnelling,], p. 311.
41. Yu. V. Nazarov, and S. V. Vyshenskii, in Single-Electron Tunneling and Mesoscopic Device, edited by H. Koch and H. Lubbig (Springer, Berlin, 1992), p. 61.
42. K. Nakazato, and J. D. White, IEDM 1992, 487 (1992).
43. M. G. Ancona, J. Appl. Phys. 79, 526 (1996).
44. A. N. Korotkov, Appl. Phys. Lett., 67, 2412 (1995).
45. K. K. Likharev, and A. N. Korotkov, in Abstracts of IWCE’95 (Tempe AZ, 1995), p. 5
46. K. K. Likharev, and A. N. Korotkov, in Science 273, 763 (1996).
47. A. N. Korotkov, and K. K. Likharev, J. Appl. Phys. 84, 6114 (1998).
48. C. S. Lent, P. D. Tougaw, W. Porod and G. H. Bernstein, Nanotechnology 4, 49 (1993).
49. C. S. Lent, and P. D. Tougaw, Proc. IEEE 85, 541 (1997).
50. S. Bandyopadhyay, B. Das, and A. E. Miller, Nanotechnoloy 5, 113 (1994).
51. R. A. Kiehl, and T Oshima, Appl. Phys. Lett. 67, 2494 (1995).
52. M. Akazawa, and Y Ameniya, Appl. Phys. Lett. 70, 670 (1997).
53. K. K. Likharev, and A. N. Korotkov, in Abstracts of IWCE’95 (Tempe AZ, 1995), p. 42.
54. K. K. Likharev, and A. N. Korotkov, in Proceedings of ISDRS’95 (Charlottesville, VA, 1995), p. 355
55. K. K. Likharev, and A. N. Korotkov, VLSI Design 6, 341 (1998); and to be published.
56. I. O. Kulik, and R. I. Shekhter, Sov. Phys. JETP 41, 308 (1975).
57. L. S. Kuzmin, Yu.V. Nazarov, D. B. Haviland, P. Delsing, and T Claeson. Phys. Rev. Lett. 67, 1161 (1991).
58. L. S. Kuzmin, and Yu. A. Pashkin, Physica B194-196, 1713 (1994).
59. Yu. A. Pashkin, Y Nakamura and J. S.Tsai, Appl. Phys. Lett. 74, 132 (1999).
60. L. S. Kuzmin, and K. K. Likharev, JETP Lett. 45, 496 (1987).
61. A. N. Korotkov, D. V. Averin, K. K. Likharev, and S. V. VAsenko. In Single-Electron Tunneling and Mesoscopic Devices, ed. by H. Hoch and H. Lubbig (Springer, Berlin 1992), p. 45.
62. A. N. Korotkov, Phys. Rev. B49, 10381 (1994).
63. S. Hershfield, J. H. Davies. P. Hyldgaard, C. J. Stanton, and J. W. Wilkins, Phys. Rev. B47, 1967 (1993).
64. A. N. Korotkov, cond-mat/9704223; Europhys. Lett. 43, 343 (1998).
65. A. N. Korotkov, D. V. Averin, and K. K. Likharev, Phys. Rev. B49, 1915 (1994).
66. D. V. Averin, and A. A. Odintsov, Phys. Lett. A140, 251 (1989).
67. D. V. Averin, and Yu.V. Nazarov, in [Single Charge Tunnelling,], p. 217.
68. H. D. Jensen, and J. M. Martinis, Phys. Rev. B46, 13407 (1992).
69. L. R. C.. Fonseca, A. N. Korotkov, K. K. Likharev, and A. A. Odintsov, J. Appl. Phys. 78, 3238 (1995).
70. D. V. Averin, Physica B194-196, 979 (1994).
71. Yu.V. Nazarov, J. Low Temp. Phys. 90, 77 (1993).
72. P. Lafarge, and D. Esteve, Phys. Rev. B48, 14309 (1993).
73. H. Schoeller, and G. Schon, Phys. Rev. B50, 18436 (1994).
74. X. Wang, Phys. Rev. B55, 12868 (1997).
75. A. N. Korotkov, D. V. Averin, and K. K. Likharev, Physica B 165, 927 (1990)
76. A. N. Korotkov, D. V. Averin, and K. K. Likharev, Phys. Rev. B 44, 6199 (1991).
77. D.V. Averin, and A. N. Korotkov, Sov. Phys. JETP, 70, 937 (1990)
78. D.V. Averin, and A. N. Korotkov, J. Low Temp. Phys. 80, 173 (1990).
79. C. W. J. Beenakker, Phys. Rev. B44, 1646 (1991)
80. H. van Houten, C. V. J. Beenakker, and A. A. M. Staring, in [Single Charge Tunnelling,], p. 167.
81. A. N. Korotkov, and Yu.V. Nazarov, Physica B173, 217 (1991).
82. A. N. Korotkov, Phys. Rev. B49, 11508 (1994).
83. D.V. Averin, Phys. Rev. B50, 8934 (1994).
84. M.T Lutwyche and Y. Wada, J. Appl. Phys. 75, 3654 (1994).
85. Yu.V. Nazarov, JETP Lett. 49, 126 (1989).
86. G.-L. Ingold, and Yu. V. Nazarov, in [Single Charge Tunnelling,], p. 21.
87. R. L. Kautz, G. Zimmerli, and J. M. Martinis, J. Appl. Phys. 73, 2386 (1993).
88. A. N. Korotkov, M. R. Samuelsen, and S. A. Vasenko, J. Appl. Phys. 76, 3623 (1994).
89. G. Zimmerli, R. L. Kautz, and J. M. Martinis, Appl. Phys. Lett., 61, 2616 (1992).
90. H. Fukui, M. Fujishima, and K. Hoh, in Ext. Abstracts. ICSSD’94 (Yokohama, 1994), p. 331.
91. R. H. Chen, and K. K. Likharev, Appl. Phys. Lett. 72, 61 (1998).
92. K. K. Likharev, Int. J. Theor. Phys. 21, 311 (1982).
93. R. Landauer, IBM J. Res. Devel. 5, 183 (1961)
94. R. W. Keyes, and R. Landauer, IBM J. Res. Devel. 14, 152 (1970).
95. C. Bennett, IBM J. Res. Devel. 17, 525 (1973).
96. C. Bennett, Nonvolatile Semiconductor Memories, ed. by C. Hu (IEEE, New York, 1991).
97. J. Lambe, and R. C. Jaklevic, Phys. Rev. Lett. 20, 1504 (1969).
98. A. N. Korotkov, Appl. Phys. Lett. 72, 3226 (1998).
99. P. M. Campbell, E. S. Snow, and P. J. McMarr, Appl. Phys. Lett. 66, 1388 (1995).
100. T Tanaka, K. Suzuki, H. Horie, and T Sugii, IEEE Electron Device Lett. 15, 386 (1994).
101. J. Tucker, C. Wang, and P. S. Carney, Appl. Phys. Lett. 65, 618 (1991).
102. F. G. Pikus, and K. K. Likharev, Appl. Phys. Lett. 71, 3661 (1997).