High-temperature type-II superlattice diode laser at λ = 2.9 μm

Applied Physics Letters

Volumn 71, Issue 25, 1997, Pages 3607-3609

  Bewley, W W ^a   Aifer, E H ^a   Felix, C L ^a   Vurgaftman, I ^a   Meyer, J R ^a   Lin, C H ^b   Murry, S J ^b   Zhang, D ^b   Pei, S S ^b  

^a NAVAL RESEARCH LABORATORY   (United States)

^b UNIVERSITY OF HOUSTON   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND STRUCTURE; CURRENT DENSITY; ELECTRON ABSORPTION; ELECTRONIC DENSITY OF STATES; HIGH TEMPERATURE PROPERTIES; QUANTUM THEORY; SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES;

DIFFERENTIAL GAIN; INTERVALENCE FREE CARRIER ABSORPTION; LATTICE MATCHING; THRESHOLD CURRENT DENSITY;

SEMICONDUCTOR LASERS;

EID: 0031335990     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.120455     Document Type: Article

References (22)

1. H. K. Choi, S. J. Eglash, and G. W. Turner, Appl. Phys. Lett. 64, 2474 (1994).
2. H. K. Choi, G. W. Turner, M. J. Manfra, and M. K. Connors, Appl. Phys. Lett. 68, 2936 (1996).
3. H. K. Choi, G. W. Turner, and M. J. Manfra, Electron. Lett. 32, 1296 (1996).
4. D. Wu, E. Kaas, J. Diaz, B. Lane, A. Rybaltowski, H. J. Yi, and M. Razeghi, IEEE Photonics Technol. Lett. 9, 173 (1997).
5. B. Lane, D. Wu, A. Rybaltowski, H. Yi, J. Diaz, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 70, 443 (1997).
6. T. N. Danilova, A. P. Danilova, O. G. Ershov, A. H. Imenkov, N. M. Kolchanova, M. V. Stepanov, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 976 (1997) [Semiconductors 31, 831 (1997)].
7. T. N. Danilova, A. P. Danilova, O. G. Ershov, A. H. Imenkov, N. M. Kolchanova, M. V. Stepanov, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 976 (1997) [Semiconductors 31, 831 (1997)].
8. S. R. Kurtz, A. A. Allerman, and R. M. Biefeld, Appl. Phys. Lett. 70, 3188 (1996).
9. C. H. Grein, P. M. Young, and H. Ehrenreich, J. Appl. Phys. 76, 1940 (1994).
10. S. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, and L. R. Ram-Mohan, Appl. Phys. Lett. 67, 757 (1995).
11. I. Vurgaftman and J. R. Meyer, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 3, 475 (1997).
12. M. E. Flatte, C. H. Grein, H. Ehrenreich, R. H. Miles, and H. Cruz, J. Appl. Phys. 78, 4552 (1995).
13. J. I. Malin, C. L. Felix, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, J. F. Pinto, C.-H. Lin, P. C. Chang, S. J. Murry, and S.-S. Pei, Electron. Lett. 32, 1593 (1996).
14. C. L. Felix, J. R. Meyer, I. Vurgaftman, C.-H. Lin, S. J. Murry, D. Zhang, and S.-S. Pei, IEEE Photonics Technol. Lett. 9, 734 (1997).
15. T. C. Hasenberg, D. H. Chow, A. R. Kost, R. H. Miles, and L. West, Electron. Lett. 31, 275 (1995).
16. A. N. Baranov, N. Bertru, Y. Cuminal, G. Boissier, C. Alibert, and A. Joullie, Appl. Phys. Lett. 71, 735 (1997).
17. R. Q. Yang, B. H. Yang, D. Zhang, C.-H. Lin, S. J. Murray, H. Wu, and S.-S. Pei, Appl. Phys. Lett. 71, 2409 (1997).
18. C. L. Felix, W. W. Bewley, I. Vurgaftman, J. R. Meyer, D. Zhang, C.-H. Lin, R. Q. Yang, and S.-S. Pei, IEEE Photonics. Technol. Lett. 9, 1433 (1997).
19. C. L. Felix, W. W. Bewley, E. H. Aifer, I. Vurgaftman, J. R. Meyer, C.-H. Lin, D. Zhang, S. J. Murry, R. Q. Yang, and S.-S. Pei, J. Electron. Mater. (to be published).
20. J. Faist, F. Capasso, C. Sirtori, D. L. Sivco, J. N. Baillargeon, A. L. Hutchinson, S.-N. G. Chu, and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 68, 3680 (1996).
21. C.-H. Lin, S. J. Murry, D. Zhang, P. C. Chang, Y. Zhou, S.-S, Pei, J. I. Malin, C. L. Felix, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, and J. F. Pinto, J. Cryst. Growth 175, 955 (1997).
22. W. W. Bewley, I. Vurgaftman, C. L. Felix, J. R. Meyer, C.-H. Lin, D. Zhang, S. J. Murry, S.-S. Pei, and L. R. Ram-Mohan (unpublished).