InAsSb/InAsSbP diode lasers with separate electrical and optical confinement, emitting at 3-4 μm

Semiconductors

Volumn 31, Issue 8, 1997, Pages 831-834

  Danilova, T N ^a   Danilova, A P ^a   Ershov, O G ^a   Imenkov, A H ^a   Kolchanova, N M ^a   Stepanov, M V ^a   Sherstnev, V V ^a   Yakovlev, Yu P ^a  

^a IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0345810391     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/1.1187264     Document Type: Article

References (17)

1. J. Faist, F. Capasso, C. Sirtori, D. L. Sivco, J. N. Baillargeon, S. L. Hutchinson, S.-N. G. Chu, and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 68, 3680 (1996).
2. J. I. Malin, C. L. Felix, J. R. Meyer, S. A. Hoffman, F. F. Pinto, C.-H. Lin, P. C. Chang, S. J. Murry, and S.-S. Pei, Electron. Lett. 32, 1593 (1996).
3. J. I. Malin, J. R. Meyer, C. I. Felix, J. R. Lindle, L. Goldberg, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, C.-H. Lin, P. C. Chang, S. J. Murry, R. Q. Yang, and S.-S. Pei, Appl. Phys. Lett. 68, 2976 (1996).
4. H. K. Choi, G. W. Turner, J. J. Manfra, and M. K. Cannors, Appl. Phys. Lett. 68, 2936 (1996).
5. A. H. Baranov, T. N. Danilova, O. G. Ershov, A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 18, 6 (1992) [Sov. Tech. Phys. Lett. 18, 725 (1992)].
6. A. H. Baranov, T. N. Danilova, O. G. Ershov, A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 18, 6 (1992) [Sov. Tech. Phys. Lett. 18, 725 (1992)].
7. A. H. Baranov, T. N. Danilova, O. G. Ershov, A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 19, 30 (1993) [Tech. Phys. Lett. 19, 543 (1993)].
8. A. H. Baranov, T. N. Danilova, O. G. Ershov, A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 19, 30 (1993) [Tech. Phys. Lett. 19, 543 (1993)].
9. A. N. Baranov, A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev, Appl. Phys. Lett. 64, 2480 (1994).
10. T. N. Danilova, O. G. Ershov, G. G. Zegrya, A. N. Imenkov, M. V. Stepanov, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 29, 1604 (1995) [Semiconductors 29, 834 (1995)].
11. T. N. Danilova, O. G. Ershov, G. G. Zegrya, A. N. Imenkov, M. V. Stepanov, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 29, 1604 (1995) [Semiconductors 29, 834 (1995)].
12. T. N. Danilova, O. G. Ershov, A. N. Imenkov, M. V. Stepanov, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 1265 (1996) [Semiconductors 30, 667 (1996)].
13. T. N. Danilova, O. G. Ershov, A. N. Imenkov, M. V. Stepanov, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 1265 (1996) [Semiconductors 30, 667 (1996)].
14. G. G. Zegrya and A. D. Andreev, Zh. Éksp. Teor. Fiz. 109, 615 (1995) [J. Exp. Theor. Phys. 82, 328 (1995)].
15. G. G. Zegrya and A. D. Andreev, Zh. Éksp. Teor. Fiz. 109, 615 (1995) [J. Exp. Theor. Phys. 82, 328 (1995)].
16. A. A. Andaspaeva, A. N. Baranov, B. L. Gel'mont, B. B. Dzhurtanov, G. G. Zegrya, A. N. Imenkov, Yu. P. Yakovlev, and S. G. Yastrebov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 25, 394 (1991) [Sov. Phys. Semicond. 25, 240 (1991)].
17. A. A. Andaspaeva, A. N. Baranov, B. L. Gel'mont, B. B. Dzhurtanov, G. G. Zegrya, A. N. Imenkov, Yu. P. Yakovlev, and S. G. Yastrebov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 25, 394 (1991) [Sov. Phys. Semicond. 25, 240 (1991)].