Fabrication of LaAlO3/Pt(100)/Hastelloy C276 and CeO2(100)/Pt(100)/Hastelloy C276 Multilayers by Metallorganic Chemical Vapor Deposition

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 148, Issue 8, 2001, Pages

  Lo Nigro, Raffaella ^a   Malandrino, Graziella ^a   Fragalà, Ignazio L ^a  

^a UNIVERSITY OF CATANIA   (Italy)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0005489973     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1379950     Document Type: Article

References (38)

1. X. D. Wu, S. R. Foltyn, P. N. Arendt, W. R. Blumenthal, I. H Campbell, and J. L. Smith, Appl. Phys. Lett., 67, 2397 (1995).
2. (a) D. A. Koezekwa, J. F. Bingert, E. J. Podtburg, and R. Miles, Appl. Supercond., 2, 261 (1994)
3. (b) J. Schwarz, J. K. Heuer, K. C. Goretta, R. B. Poeppel, J. Guo, and G. W. Raban, Appl. Supercond., 2, 271 (1994).
4. H. Behner, J. Weeker, T. Mattehee, and K. Sawer, Surf. Interface Anal., 18, 685 (1992).
5. X. D. Wu, A. Inam, M. S. Hedg, B. Wilkens, C. C. Chang, D. M. Hwang, L. Nazar, and T. Venkatesan, Appl. Phys. Lett., 54, 8 (1989).
6. Y. Iijima, M. Hosaka, N. Tanabe, N. Sadakata, T. Saitoh, O. Kohno, and K. Takeda, J. Mater. Sci., 12, 2913 (1947).
7. D. P. Norton, A. Guyal, J. D. Budai, D. K. Christen, D. M. Kroeger, E. D. Speeth, Q. He, B. Saffian, M. Paranthaman, C. E. Klaubunde, D. F. Lee, B. C. Sales, and F. A. List, Science, 274, 755 (1996).
8. M. Bauer, R. Semerad, and H. Kinder, IEEE Trans. Appl. Supercond., 9, 1502 (1999).
9. M. L. Hitchman and K. F. Jensen, Chemical Vapor Deposition: Principles and Applications, Academic, Press, London (1989).
10. L. Niinistö, M. Ritala, and M. Leskela, Mater, Sci. Eng., B, 41, 23 (1996).
11. A. Knierim, R. Auer, J. Geerk, G. Linker, O. Meyer, H. Reiner, and R. Schneider, Appl. Phys. Lett., 70, 661 (1997).
12. X. F. Meng, F. S. Pierce, K. M. Wang, S. S. Amors, C. H. Xu, B. S. Deavers, and S. J. Poon, IEEE Trans. Magn., 27, 1638 (1991).
13. B. Han, D. A. Neumayer, D. L. Schultz, B. J. Hinds, and T. J. Marks, Chem. Mater., 5, 14 (1993).
14. B. Han, D. A. Neumayer, D. L. Schultz, T. J. Marks, H. Zhang, and V. P. Dravid, Appl. Phys. Lett., 61, 3047 (1992).
15. G. Malandrino, R. Lo Nigro, and I. L. Fragalà, Chem. Vap. Deposition, 5, 59 (1999).
16. G. Malandrino, R. Licala, F. Castelli, I. L. Fragala, and C. Benelli, Inorg. Chem., 34, 6233 (1995).
17. G. Malandrino, R. Lo Nigro, F. Castelli, I. L. Fragalà, and C. Benelli, Chem. Vap. Deposition, 6, 233 (2000).
18. E. S. Machlin, Materials Science in Microelectronics, Gyro, New York (1995) and reference cited therein.
19. G. Malandrino, P. Scardi, and I. L. Fragalà, Chem. Mater., 10, 3765 (1998).
20. G. Malandrino, A. Frassica, and I. L. Fragalà, Chem. Vap. Deposition, 3, 306 (1997).
21. R. G. Schwab, R. A. Steiner, G. Mages, and H. J. Beie, Thin Solid Films, 207, 283 (1992).
22. R. G. Schwab, R. A. Steiner, G. Mages, and H. J. Beie, Thin Solid Films, 207, 288 (1992).
23. S. Guo, H. Arwin, S. N. Jacobson, K. Jarrendahl, and U. Helmerson, J. Appl. Phys., 77, 5369 (1995).
24. Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemic., 8th ed., Springer, Berlin (1974).
25. X. D. Wu, R. C. Dye, R. E. Muenchausen, S. R. Foltyn, M. Maley, A. D. Rollett, A. R. Garcia, and N. S. Nogan, Appl. Phys. Lett., 58, 2165 (1991).
26. (a) A. G. Zaitsev, G. Ockenfuss, D. Guggi, R. Wordenweber, and U. Kruger, J. Appl. Phys., 87, 3069 (1997)
27. (b) K. Frohlich, D. Machajdik, F. Weiss, and B. Bochu, Mater. Lett., 21, 377 (1997).
28. (a) X. D. Wu, S. R. Foltyn, P. N. Arendt, W. R. Blumenthal, I. H. Campbell, J. D. Cotton, J. Y. Coultwer, W. L. Hults, M. P. Maley, H. F. Safar, and J. L. Smith, Appl. Phys. Lett., 67, 2397 (1995)
29. (b) V. Hoffa, T. Petrisor, S. Ceresara, L. Cintolea, F. Fabbri, and P. Seardi, Physica C, 312, 202 (1999)
30. (c) T. Inoue, Y. Yamamoto, S. Koyama, S. Suzuki, and Y. Ueda, Appl. Phys. Lett., 56, 1332 (1990).
31. S. Oh, J. Yoo, K. Lee, J. Kim, and D. Youn, Physica C, 308, 91 (1998).
32. S. Gnanarajan, A. Katsaros, and N. Savvides, Appl. Phys. Lett., 70, 2816 (1997).
33. (a) M. Becht, F. Wang, J. G. Wen, and T. Morishima, J. Cryst. Growth, 170, 799 (1997)
34. (b) M. Becht and T. Morishima, Chem. Vap. Deposition, 2, 191 (1996)
35. (c) Z. Lu, R. Hiskes, S. A. DiCaloris, A. Nel, R. K. Ronte, and R. S. Feigelson, J. Cryst. Growth, 156, 227 (1995)
36. (d) M. Becht, T. Gertin, and K. H. Dahmen, Chem. Mater., 5, 137 (1993).
37. A. C. Wang, J. A. Belot, T. J. Marks, P. R. Markworth, R. P. H. Chang, M. P. Chudzik, and C. R. Kannewurf, Physica C, 320, 154 (1999).
38. J. A. Belot, A. C. Wang, R. J. McNeely, L. Liable-Sands, A. L. Rheingold, and T. J. Marks, Chem. Mater., 5, 65 (1999).