Trapping in organic field-effect transistors

Journal of Applied Physics

Volumn 89, Issue 1, 2001, Pages 336-342

  Schon J H ^a   Batlogg, B ^a  

^a LUCENT TECHNOLOGIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0004364373     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1329667     Document Type: Article

References (62)

1. A. Dodabalapur, L. Torsi, and H. E. Katz, Science 268, 270 (1995).
2. A. R. Brown, A. Pomp, M. Hart, and D. M. de Leeuw, Science 270, 972 (1995).
3. T. N. Jackson, Y. Y. Lin, D. J. Gundlach, and H. Klauk, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 4, 100 (1998).
4. D. de Leeuw, Phys. World 31-34, (March 2000).
5. B. Crone, A. Dodabalapur, Y.-Y. Lin, R. W. Filas, Z. Bao, R. Sarpeshkar, H. E. Katz, and W. Li, Nature (London) 403, 523 (2000).
6. H. Klauk, D. J. Gundlach, J. A. Nichols, and T. N. Jackson, IEEE Trans. Electron Devices 46, 1258 (1999).
7. C. Dimitrakopoulos, S. Purushotaman, J. Kymissis, A. Callegari, and J. M. Shaw, Science 283, 822 (1999).
8. F. Garnier, G. Horowitz, D. Fichou, and A. Yassar, Synth. Met. 81, 163 (1996).
9. A. R. Brown, C. P. Jarrett, D. M. de Leeuw, and M. Matters, Synth. Met. 88, 37 (1997).
10. C. J. Drury, C. M. J. Mutsaers, C. M. Hart, and D. M. de Leeuw, Appl. Phys. Lett. 73, 108 (1998).
11. Y.-Y. Lin, A. Dodabalapur, R. Sarpeshkar, Z. Bao, W. Li, K. Baldwin, V. R. Raju, and H. E. Katz, Appl. Phys. Lett. 74, 2714 (1999).
12. G. Horowitz, R. Hajlaoui, D. Fichou, and A. El Kassmi, J. Appl. Phys. 85, 3202 (1999).
13. R. Tecklenburg, G. Paasch, and S. Scheinert, Adv. Mater. Opt. Electron. 8, 285 (1998).
14. M. C. J. M. Vissenberg and M. Matters, Phys. Rev. B 57, 12964 (1998).
15. G. Horowitz and P. Delannoy, J. Appl. Phys. 70, 469 (1991).
16. G. Horowitz, R. Hajlaoui, and P. Delannoy, J. Phys. III 5, 355 (1995).
17. G. Horowitz, M. E. Hajlaoui, and R. Hajlaoui, J. Appl. Phys. 87, 4456 (2000).
18. A. R. Brown, D. M. de Leeuw, E. E. Havinga, and A. Pomp, Synth. Met. 68, 65 (1995).
19. M. A. Alam, A. Dodabalapur, and M. R. Pinto, IEEE Trans. Electron Devices ED-44, 1332 (1997).
20. F. Schauer, J. Appl. Phys. 86, 524 (1999).
21. J. H. Schön, Ch. Kloc, R. A. Laudise, and B. Batlogg, Appl. Phys. Lett. 73, 3574 (1998).
22. J. H. Schön, S. Berg, Ch. Kloc, and B. Batlogg, Science 287, 1022 (2000).
23. Ch. Kloc, P. G. Simpkins, T. Siegrist, and R. A. Laudise, J. Cryst. Growth 182, 416 (1997).
24. G. Horowitz, B. Bachet, A. Yassar, P. Lang, F. Demanze, J.-L. Fave, and F. Garnier, Chem. Mater. 7, 1337 (1995).
25. T. Siegrist, R. M. Fleming, R. C. Haddon, R. A. Laudise, A. J. Lovinger, H. E. Katz, P. Bridenbaugh, and D. D. Davis, J. Mater. Res. 10, 2170 (1995).
26. T. Siegrist, Ch. Kloc, R. A. Laudise, H. E. Katz, and R. C. Haddon, Adv. Mater. 10, 379 (1998).
27. L. Antolini, G. Horowitz, F. Kouki, and F. Garnier, Adv. Mater. 10, 382 (1998).
28. J. H. Schön, S. Berg, Ch. Kloc, B. Batlogg, Synth. Met. 155, 75 (2000).
29. N. Karl, J. Marktanner, R. Stehle, and W. Warta, Synth. Met. 41-43, 2473 (1991).
30. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981).
31. S. D. Brotherton, Semicond. Sci. Technol. 10, 721 (1995).
32. S. Yamamoto, J. Nakamura, and M. Miyakata, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 3863 (1996).
33. J. H. Schön, Ch. Kloc, R. A. Laudise, and B. Battlogg, Phys. Rev. B 58, 12952 (1998).
34. K. C. Kao and W. Hwang, Electrical Transport in Solids (Pergamon, Oxford, 1981).
35. M. Shur and M. Hack, J. Appl. Phys. 55, 3831 (1984).
36. G. Fortunato and P. Migliorato, J. Appl. Phys. 68, 2463 (1990).
37. S. S. Chen and J. B. Kuo, J. Appl. Phys. 79, 1961 (1996).
38. A. Schoonveld, Ph.D. thesis, University of Groningen, 1999.
39. E. H. Nicollian, J. Vac. Sci. Technol. 14, 1112 (1977).
40. T.-J. King, M. G. Hack, and I.-W. Wu, J. Appl. Phys. 75, 908 (1995).
41. G. A. Armstrong, S. Uppal, S. D. Brotherton, and J. R. Ayres, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 1721 (1998).
42. C. A. Dimitriadis and D. H. Tassis, J. Appl. Phys. 77, 2177 (1995).
43. J. W. Orton and M. J. Powell, Rep. Prog. Phys. 43, 1263 (1980).
44. S. S. Ahmed, D. M. Kim, and H. Shichijo, IEEE Electron Device Lett. 6, 313 (1985).
45. J. Levinson, F. R. Shepherd, P. J. Scanlon, W. D. Westwood, G. Este, and M. Rider, J. Appl. Phys. 53, 1193 (1982).
46. J. H. Schön and B. Batlogg, Appl. Phys. Lett. 74, 260 (1999).
47. J. H. Schön, Ch. Kloc, and B. Batlogg, Organic Electronics (accepted for publication).
48. T. Serikawa, S. Shirai, K. Nakagawa, S. Takaoka, K. Oto, K. Murase, and S. Ishida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 937 (1996).
49. J. Y. W. Seto, J. Appl. Phys. 46, 5247 (1975).
50. T. Katoh and N. Hirashita, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 28, L2291 (1989).
51. P.-S. Lin, J.-Y. Guo, C.-Y. Wu, IEEE Trans. Electron Devices 37, 666 (1990).
52. K. Waragai, H. Akimichi, S. Hotta, and H. Kano, Phys. Rev. B 52, 1786 (1995).
53. L. Torsi, A. Dodabalapur, L. J. Rothberg, A. W. P. Fung, and H. E. Katz, Science 272, 1462 (1996).
54. M. Pope and C. E. Swenberg, Electronic Processes in Organic Crystals (Clarendon, Oxford, 1982).
55. E. A. Silinsh and V. Capek, Organic Molecular Crystals (American Institute of Physics, New York, 1994).
56. H. Sirringhaus, N. Tessler, and R. H. Friend, Science 280, 1741 (1998).
57. A. J. Lovinger, H. E. Katz, and A. Dodabalapur, Chem. Mater. 10, 3275 (1998).
58. T. W. Kelly, E. L. Granstrom, and C. D. Frisbie, Adv. Mater. 11, 261 (1999).
59. E. L. Granstrom and C. D. Frisbie, J. Phys. Chem. B. 103, 8842 (1999).
60. Y. Y. Lin, D. J. Gundlach, and T. N. Jackson, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 413, 413 (1996).
61. R. Hajlaoui, G. Horowitz, F. Garnier, A. Arce-Brouchet, L. Laigre, A. El Kassmi, F. Demanze, and F. Kouki, Adv. Mater. 9, 389 (1997).
62. G. Horowitz, R. Hajlaoui, D. Fichou, and A. El Kassmi, J. Appl. Phys. 85, 3202 (1999).