Persistent photoconductivity study in a high mobility AlGaN/GaN heterostructure

Journal of Applied Physics

Volumn 88, Issue 11, 2000, Pages 6583-6588

  Elhamri, S ^a,c   Saxler, A ^a   Mitchel, W C ^a   Elsass, C R ^b   Smorchkova, I P ^b   Heying, B ^b   Haus, E ^b   Fini, P ^b   Ibbetson, J P ^b   Keller, S ^b   Petroff, P M ^b   DenBaars, S P ^b   Mishra, U K ^b   Speck, J S ^b  

^a AIR FORCE RESEARCH LABORATORY   (United States)

^b University of California   (United States)

^c UNIVERSITY OF DAYTON   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0002617534     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1322386     Document Type: Article

References (34)

1. H. Morkoç, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
2. S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. Van Overstraeten, J. Appl. Phys. 87, 965 (2000).
3. L. McCarthy, P. Kozodoy, M. Rodwell, S. DenBaars, and U. Mishra, Compd. Semicond. 4, 16 (1998).
4. O. Aktas, Z. F. Fan, S. N. Mohammed, A. E. Botchkarev, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 69, 3872 (1996).
5. U. K. Mishra, Y.-F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, and S. P. DenBaars, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 46, 756 (1998).
6. S. Nakamura, M. Seno, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 69, 4056 (1996).
7. R. Gaska, M. S. Shur, T. A. Fjeldly, and A. D. Bykhovski, J. Appl. Phys. 85, 3009 (1999).
8. A. Saxler et al., J. Appl. Phys. 87, 369 (2000).
9. J. Antoszewski, M. Graccy, J. M. Dell, L. Faraone, T. A. Fisher, G. Parish, Y. F. Wu, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 87, 3900 (2000).
10. Z. Dziuba, J. Antoscewski, J. M. Dell, L. Faraone, P. Kozodoy, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 82, 2996 (1997).
11. L. Hsu and W. Walukiewicz, Phys. Rev. B 56, 1520 (1997).
12. R. Oberhuber, G. Zandler, and P Vogl, Appl. Phys. Lett. 73, 818 (1998).
13. H. M. Chen, Y. F. Chen, M. C. Lee, and M. S. Feng, J. Appl. Phys. 82, 899 (1997).
14. M. T. Hirsch, J. A. Wolk, W. Walukiewicz, and E. E. Haller, Appl. Phys. Lett. 71, 1098 (1997).
15. G. Beadie, W. S. Rabinovich, A. E. Wickenden, D. D. Koleske, S. C. Binari, and J. A. Freitas, Jr., Appl. Phys. Lett. 71, 1092 (1997).
16. G. Li, S. J. Chua, and W. Wang, Solid State Commun. 111, 659 (1999).
17. X. Z. Dang, C. D. Wang, E. T. Yu, K. S. Boutros, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 72, 2745 (1998).
18. J. Z. Li, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. Asif Khan, and Q. Chen, J. Appl. Phys. 82, 1227 (1997).
19. T. Y. Lin, H. M. Chen, M. S. Tsai, Y. F. Chen, F. F. Fang, C. F. Lin, and G. C. Chi, Phys. Rev. B 58, 13793 (1998).
20. K. Tone, T. Nakayama, H. Iechi, K. Ohtsu, and H. Kukimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 25, L429 (1986).
21. S. Elhamri, M. Ahoujja, R. S. Newrock, D. B. Mast, S. T. Herbert, W. C. Mitchel, and M. Razeghi, Phys. Rev. B 54, 10688 (1996).
22. I. P. Smorchkova et al., J. Appl. Phys. 86, 4520 (1999).
23. P. T. Coleridge, R. Stoner, and R. Fletcher, Phys. Rev. B 39, 1120 (1989); P. T. Coleridege, Semicond. Sci. Technol. 5, 961 (1990); S. E. Schacham, E. J. Haugland, and S. A. Alterovitz, Appl. Phys. Lett. 61, 551 (1992); F. F. Fang, A. B. Fowler, and A. Harstein, Phys. Rev. B 16, 4446 (1977).
24. P. T. Coleridge, R. Stoner, and R. Fletcher, Phys. Rev. B 39, 1120 (1989); P. T. Coleridege, Semicond. Sci. Technol. 5, 961 (1990); S. E. Schacham, E. J. Haugland, and S. A. Alterovitz, Appl. Phys. Lett. 61, 551 (1992); F. F. Fang, A. B. Fowler, and A. Harstein, Phys. Rev. B 16, 4446 (1977).
25. P. T. Coleridge, R. Stoner, and R. Fletcher, Phys. Rev. B 39, 1120 (1989); P. T. Coleridege, Semicond. Sci. Technol. 5, 961 (1990); S. E. Schacham, E. J. Haugland, and S. A. Alterovitz, Appl. Phys. Lett. 61, 551 (1992); F. F. Fang, A. B. Fowler, and A. Harstein, Phys. Rev. B 16, 4446 (1977).
26. P. T. Coleridge, R. Stoner, and R. Fletcher, Phys. Rev. B 39, 1120 (1989); P. T. Coleridege, Semicond. Sci. Technol. 5, 961 (1990); S. E. Schacham, E. J. Haugland, and S. A. Alterovitz, Appl. Phys. Lett. 61, 551 (1992); F. F. Fang, A. B. Fowler, and A. Harstein, Phys. Rev. B 16, 4446 (1977).
27. R. G. Mani and J. P. Anderson, Phys. Rev. B 37, 4299 (1988); J. P. Harrang, R. J. Higgins, R. K. Goodall, P. R. Jay, M. Laviron, and P. Delescluse, ibid. 32, 8126 (1985).
28. R. G. Mani and J. P. Anderson, Phys. Rev. B 37, 4299 (1988); J. P. Harrang, R. J. Higgins, R. K. Goodall, P. R. Jay, M. Laviron, and P. Delescluse, ibid. 32, 8126 (1985).
29. U. Bockelmann, G. Abstreiter, G. Winmann, and W. Schlapp, Phys. Rev. B 41, 7864 (1990).
30. R. G. Mani and J. R. Anderson, Phys. Rev. B 37, 4299 (1988).
31. S. Das Sarma and F. Stern, Phys. Rev. B 32, 8442 (1988).
32. P. T. Coleridge, M. Hayne, P. Zawadzki, and A. S. Sachradja, Surf. Sci. 361/362, 560 (1995);
33. M. Haynes, A. Usher, J. J. Harris, and C. T. Foxon, Phys. Rev. B 46, 9515 (1992).
34. H. Çelik, M. Cankurtaran, A. Bayrakli, E. Tiras, and N. Balkan, Semicond. Sci. Technol. 12, 389 (1997).