Long-wavelength lasing from multiply stacked InAs/InGaAs quantum dots on GaAs substrates

Applied Physics Letters

Volumn 75, Issue 13, 1999, Pages 1926-1928

  Zhukov, A E ^a   Kovsh, A R ^a   Maleev, N A ^a   Mikhrin, S S ^a   Ustinov, V M ^a   Tsatsul'nikov, A F ^a   Maximov, M V ^a   Volovik, B V ^a   Bedarev, D A ^a   Shernyakov, Yu M ^a   Kop'ev, P S ^a   Alferov, Zh I ^a   Ledentsov, N N ^a,b   Bimberg, D ^b  

^a IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

^b TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

HETEROJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SEMICONDUCTING FILMS; SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR LASERS; SUBSTRATES;

INDIUM ARSENIDE;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 0032620828     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.124873     Document Type: Article

References (13)

1. S. Seki, H. Oohasi, H. Sugiura, T. Hirono, and K. Yokoyama, J. Appl. Phys. 79, 2192 (1996).
2. H. P. Xin and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 72, 2442 (1998).
3. K. Nakahara, M. Kondow, T. Kitatani, M. C. Larson, and K. Uomi, IEEE Photonics Technol. Lett. 10, 487 (1998).
4. K. Mukai, N. Ohtsuka, M. Sugawara, and S. Yamazaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 33, L1710(1994).
5. R. P. Mirin, J. P. Ibbetson, K. Nishi, A. C. Gossard, and J. E. Bowers, Appl. Phys. Lett. 67, 3795 (1995).
6. G. Park, D. L. Huffaker, Z. Zou, and D. G. Deppe, IEEE Photonics Technol. Lett. 11, 301 (1999).
7. A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, A. Yu. Egorov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, B. V. Volovik, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, Yu. M. Shernyakov, A. V. Lunev, Yu. G. Musikhin, N. A. Bert, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alferov, Semiconductors 33, 153 (1999).
8. V. M. Ustinov, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, A. Yu. Egorov, A. V. Lunev, B. V. Volovik, I. L. Krestnikov, Yu. G. Musikhin, N. A. Bert, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, and D. Bimberg, Appl. Phys. Lett. 74, 2815 (1999).
9. K. Nishi, H. Sait, S. Sugou, and J.-S. Lee, Appl. Phys. Lett. 74, 1111 (1999).
10. A. E. Zhukov, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, S. V. Zaitsev, N. Yu. Gordeev, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alferov, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 4216 (1997).
11. G. Park, O. B. Shchekin, D. L. Huffaker, and D. G. Deppe, Appl. Phys. Lett. 73, 3351 (1998).
12. A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, N. N. Ledentsov, A. F. Tsatsul'nikov, M. V. Maximov, Yu. M. Shernyakov, V. I. Kopchatov, A, V. Lunev, P. S. Kop'ev, D. Bimberg, and Zh. I. Alferov, Semicond. Sci. Technol. 14, 118 (1999).
13. A. E. Zhukov, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. F. Tsatsul'nikov, M. V. Maximov, N. N. Ledentsov, S. V. Zaitsev, N. Yu. Gordeev, V. I. Kopchatov, Yu. M. Shernyakov, P. S. Kop'ev, D. Bimberg, and Zh. I. Alferov, J. Electron. Mater. 27, 106 (1998).