Lateral epitaxy overgrowth of GaN with NH3 flow rate modulation

Applied Physics Letters

Volumn 77, Issue 10, 2000, Pages 1496-1498

  Zhang, X ^a   Dapkus, P D ^a   Rich, D H ^a  

^a University of Southern California ^*  (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000674499     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1308055     Document Type: Article

References (18)

1. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai, and A. Yamaguchi. Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L899 (1997).
2. T. S. Zheleva, O. H. Nam, M. D. Bremser, and R. F. Davis. Appl. Phys. Lett. 71, 2472 (1997).
3. N. P. Kobayashi, J. T. Kobayashi, X. Zhang, P. D. Dapkus, and D. H. Rich. Appl. Phys. Lett. 74, 2836 (1999).
4. H. Marchand, N. Zhang, L. Zhao, Y. Golan, S. J. Rosner, G. Firolami, P. T. Fini, J. P. Ibbetson, S. Keller, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4, 2 (1999).
5. S. Nakamura, M. Senog, S. Nagahama, H. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998).
6. G. Parish, S. Keller, P. Kozodoy, J. P. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. B. Fleischer, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 75, 247 (1999).
7. O. H. Nam, T. S. Zheleva, M. D. Bremser, and R. F. Davis, J. Electron. Mater. 27, 233 (1998).
8. H. Marchand, J. P. Ibbetson, P. T. Fini, X. H. Wu, S. Keller, S. P. Den-Baars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G4.5 (1999).
9. B. Beaumont, S. Haffouz, and P. Gihat, Appl. Phys. Lett. 72, 921 (1998).
10. J. T. Kobayashi, N. P. Kobayashi, and P. D. Dapkus, J. Electron. Mater. 26, 1114 (1997).
11. S. Haffouz, B. Beaumont, and P. Gibart, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 8 (1998).
12. J. Wang, M. Nozaki, Y. Ishikawa, M. S. Hao, Y. Morishima, T. Wang, Y. Naoi, and S. Sakai, J. Cryst. Growth 197, 48 (1999).
13. F. S. Hellman, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 11 (1998).
14. J. L. Rouviere, M. Arlery, R. Niebuhr, K. H. Bachem, and O. Briot, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 33 (1996).
15. N. Kobayashi, T. Makimotom and Y. Horikoshi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 24, L962 (1985).
16. S. P. DenBaars, Ph.D. dissertation, University of Southern California, 1988, and references therein.
17. T. K. Zywietz, J. Neugebauer, and M. Scheffler, Appl. Phys. Lett. 73, 487 (1998).
18. P. Fini. L. Zhao, B. Moran, M. Hansen, H. Marchand, J. P. Ibbetson, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 75, 1706 (1999).