Particle-in-cell and Monte Carlo simulation of the hydrogen plasma immersion ion implantation process

Journal of Applied Physics

Volumn 86, Issue 4, 1999, Pages 1817-1821

  Kwok, Dixon Tat Kun ^a   Chu, Paul K ^a   Wood, Blake P ^b   Chan, Chung ^c  

^a CITY UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

^b LOS ALAMOS NATIONAL LABORATORY   (United States)

^c Northeastern University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000669222     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.370974     Document Type: Article

References (29)

1. P. K. Chu, S. Qin, C. Chan, N. W. Cheung, and L. A. Larson, Mater. Sci. Eng., R. R17, 207 (1996).
2. N. W. Cheung, Mater. Chem. Phys. 46, 132 (1996).
3. P. K. Chu, N. W. Cheung, and C. Chan, Semicond. Int. 6, 165 (1996).
4. J. V. Mantese, I. G. Brown, N. W. Cheung, and G. A. Collins, MRS Bull. 21, 52 (1996).
5. T. Sheng, S. B. Felch, and C. B. Cooper, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 969 (1994).
6. B. Mizuno, H. Nakaoka, M. Takase, A. Hori, I. Nakayama, and M. Ogura, in Extended Abstracts of the 1995 International Conference of Solid State Devices and Materials, Osaka. Japan, 1995 (unpublished), p. 1041.
7. B. Mizuno, M. Takase, I. Nakayama, and M. Ogura, in Symposium of VLSI Technology Digest, Honolulu, 1996 (unpublished), p. 66.
8. S. Qin and C. Chan, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 962 (1994).
9. J. Min, P. K. Chu, Y. C. Cheng, J. B. Liu, S. Im, S. Iyer, and N. W. Cheung, Mater. Chem. Phys. 40, 219 (1995).
10. J. B. Liu, S. S. K. Iyer, C. M. Hu, N. W. Cheung, R. Gronsky, J. Min, and P. Chu, Appl. Phys. Lett. 67, 2361 (1995).
11. J. Min, P. K. Chu, Y. C. Cheng, J. Liu, S. S. Iyer, and N. W. Cheung, Surf. Coat. Technol. 85, 60 (1996).
12. P. K. Chu, X. Lu, S. S. K. Iyer, and N. W. Cheung, Solid State Technol. 40, S9 (1997).
13. X. Lu, S. S. K. Iyer, J. B. Liu, C. M. Hu, N. W. Cheung, J. Min, and P. K. Chu, Appl. Phys. Lett. 70, 1748 (1997).
14. S. S. K. Iyer, X. Lu, J. B. Liu, J. Min, Z. Fan, P. Chu, C. M. Hu, and N. W. Cheung, IEEE Trans. Plasma Sci. 25, 1128 (1997).
15. X. Lu, N. W. Cheung, M. D. Strathman, P. K. Chu, and B. Doyle, Appl. Phys. Lett. 71, 1804 (1997).
16. X. Lu, S. S. K. Iyer, C. M. Hu, N. W. Cheung, J. Min, Z. N. Fan, and P. K. Chu, Appl. Phys. Lett. 71, 2767 (1997).
17. P. K. Chu, S. Qin, C. Chan, N. W. Cheung, and P. K. Ko, IEEE Trans. Plasma Sci. 26, 79 (1998).
18. J. D. Bernstein, S. Qin, C. Chan, and T. J. King, IEEE Electron Device Lett. 16, 421 (1995).
19. J. P. Colinge, Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI (Kluwer, Boston, 1991).
20. M. M. Bruel, Nucl. Instrum. Methods, Phys. Rev. B 108, 313 (1996).
21. M. Bruel, MRS Bull. 23, 35 (1998).
22. T. E. Sheridan, J. Appl. Phys. 74, 4903 (1993).
23. X. C. Zeng, T. K. Kwok, A. G. Liu, P. K. Chu, B. Y. Tang, and T. E. Sheridan, Appl. Phys. Lett. 71, 1035 (1997).
24. T. E. Sheridan, T. K. Kwok, and P. K. Chu, Appl. Phys. Lett, 72, 1826 (1998).
25. X. C. Zeng, T. K. Kwok, A. G. Liu, P. K. Chu, and B. Y. Tang, J. Appl. Phys. 83, 44 (1998).
26. Dixon T. K. Kwok, Paul K. Chu, and C. Chan, IEEE Trans. Plasma Sci. 26, (1998).
27. N. N. Fan, P. K. Chu, C. Chan, and N. W. Cheung, Appl. Phys. Lett. 73, 202 (1998).
28. Z. Fan, P. K. Chu, N. W. Cheung, and C. Chan, IEEE Trans. Plasma Sci. (to be published).
29. S. H. Han, G. L. Kulcinski, and J. R. Conrad, Nucl. Instrum. Methods, Phys. Res. B 45, 701 (1990).