Oriented Growth of Gold Nanowires on MoS2

Advanced Functional Materials

Volumn 25, Issue 39, 2015, Pages 6257-6264

  Kiriya, Daisuke ^a,c   Zhou, Yuzhi ^b,d   Nelson, Christopher ^b   Hettick, Mark ^a,b,c   Madhvapathy, Surabhi Rao ^a,b   Chen, Kevin ^a,c   Zhao, Peida ^a,c   Tosun, Mahmut ^a   Minor, Andrew M ^b,d   Chrzan, Daryl C ^b,d   Javey, Ali ^a  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^b LAWRENCE BERKELEY NATIONAL LABORATORY   (United States)

^c UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^d Lawrence Berkeley National Laboratory   (United States)

Author keywords

field effect transistors (FET); nanowires; transition metal dichalcogenides

Indexed keywords

CHARGE TRANSFER; FIELD EFFECT TRANSISTORS; GROWTH KINETICS; LATTICE MISMATCH; NANOWIRES; SUBSTRATES; TRANSITION METALS;

EPITAXIAL PROCESS; GOLD NANOWIRE; GROWTH PROCESS; MODEL SUBSTRATES; MOLYBDENUM DISULFIDE; ORIENTED GROWTH; TEMPLATED SYNTHESIS; TRANSITION METAL DICHALCOGENIDES;

MOLYBDENUM COMPOUNDS;

EID: 84944274202     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.201502582     Document Type: Article

References (45)

1. a) Y. J. Lu, J. Kim, H. Y. Chen, C. H. Wu, N. Dabidian, C. E. Sanders, C. Y. Wang, M. Y. Lu, B. H. Li, X. G. Qiu, W. H. Chang, L. J. Chen, G. Shvets, C. K. Shih, S. Gwo, Science 2012, 337, 450;
2. b) W. L. Shi, H. Zeng, Y. Sahoo, T. Y. Ohulchanskyy, Y. Ding, Z. L. Wang, M. Swihart, P. N. Prasad, Nano Lett. 2006, 6, 875;
3. c) X. Huang, Z. Y. Zeng, S. Y. Bao, M. F. Wang, X. Y. Qi, Z. X. Fan, H. Zhang, Nat. Commun. 2013, 4;
4. d) Y. M. Shi, J. K. Huang, L. M. Jin, Y. T. Hsu, S. F. Yu, L. J. Li, H. Y. Yang, Sci. Rep. 2013, 3;
5. e) G. Honjo, K. Yagi, J. Vac,. Sci. Technol. 1969, 6, 576.
6. a) V. Komanicky, H. Iddir, K. C. Chang, A. Menzel, G. Karapetrov, D. Hennessy, P. Zapol, H. You, J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 5732;
7. b) C. Wang, H. Daimon, S. H. Sun, Nano Lett. 2009, 9, 1493;
8. c) F. R. Fan, Y. Ding, D. Y. Liu, Z. Q. Tian, Z. L. Wang, J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 12036;
9. d) Z. X. Chen, B. Y. Lai, J. M. Zhang, G. P. Wang, S. Chu, Nanotechnology, 2014, 25.
10. a) J. Schornbaum, B. Winter, S. P. Schiessl, F. Gannott, G. Katsukis, D. M. Guldi, E. Spiecker, J. Zaumseil, Adv. Funct. Mater. 2014, 24, 5798;
11. b) C. H. Lee, T. Schiros, E. J. G. Santos, B. Kim, K. G. Yager, S. J. Kang, S. Lee, J. Yu, K. Watanabe, T. Taniguchi, J. Hone, E. Kaxiras, C. Nuckolls, P. Kim, Adv. Mater. 2014, 26, 2812.
12. L. H. Yuwen, F. Xu, B. Xue, Z. M. Luo, Q. Zhang, B. Q. Bao, S. Su, L. X. Weng, W. Huang, L. H. Wang, Nanoscale 2014, 6, 5762.
13. a) R. S. Wagner, W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 1964, 4, 89;
14. b) P. D. Yang, H. Q. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, N. Morris, J. Pham, R. R. He, H. J. Choi, Adv. Funct. Mater. 2002, 12, 323.
15. L. W. Yu, M. K. Xu, J. Xu, Z. G. Xue, Z. Fan, G. Picardi, F. Fortuna, J. Z. Wang, J. Xu, Y. Shi, K. J. Chen, P. R. I. Cabarrocas, Nano Lett. 2014, 14, 6469.
16. D. Tsivion, M. Schvartzman, R. Popovitz-Biro, E. Joselevich, ACS Nano 2012, 6, 6433.
17. a) D. Tsivion, M. Schvartzman, R. Popovitz-Biro, P. von Huth, E. Joselevich, Science 2011, 333, 1003;
18. b) S. A. Fortuna, J. G. Wen, I. S. Chun, X. L. Li, Nano Lett. 2008, 8, 4421.
19. Y. Yoon, K. Ganapathi, S. Salahuddin, Nano Lett. 2011, 11, 3768.
20. a) M. Chhowalla, H. S. Shin, G. Eda, L. J. Li, K. P. Loh, H. Zhang, Nat. Chem. 2013, 5, 263;
21. b) M. Tosun, D. Fu, S. B. Desai, C. Ko, J. S. Kang, D.-H. Lien, M. Najmzadeh, S. Tongay, J. Wu, A. Javey, Sci. Rep. 2015, 5, 10990.
22. H. Fang, S. Chuang, T. C. Chang, K. Takei, T. Takahashi, A. Javey, Nano Lett. 2012, 12, 3788.
23. B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, A. Kis, Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 147.
24. a) Y. J. Hong, W. H. Lee, Y. P. Wu, R. S. Ruoff, T. Fukui, Nano Lett. 2012, 12, 1431;
25. b) H. Oh, Y. J. Hong, K. S. Kim, S. Yoon, H. Baek, S. H. Kang, Y. K. Kwon, M. Kim, G. C. Yi, NPG Asia Mater. 2014, 6, e145.
26. a) H. Ago, H. Endo, P. Solís-Fernández, R. Takizawa, Y. Ohta, Y. Fujita, K. Yamamoto, M. Tsuji, ACS Appl. Mater. Int. 2015, 7, 5265;
27. b) Y. M. Shi, W. Zhou, A. Y. Lu, W. J. Fang, Y. H. Lee, A. L. Hsu, S. M. Kim, K. K. Kim, H. Y. Yang, L. J. Li, J. C. Idrobo, J. Kong, Nano Lett. 2012, 12, 2784;
28. c) P. K. Mohseni, A. Behnam, J. D. Wood, C. D. English, J. W. Lyding, E. Pop, X. L. Li, Nano Lett. 2013, 13, 1153.
29. W. C. Lee, K. Kim, J. Park, J. Koo, H. Y. Jeong, H. Lee, D. A. Weitz, A. Zettl, S. Takeuchi, Nat. Nanotechnol. 2015, 10, 423.
30. a) H. Häkkinen, Nat. Chem. 2012, 4, 443;
31. b) W. S. Liao, S. Cheunkar, H. H. Cao, H. R. Bednar, P. S. Weiss, A. M. Andrews, Science, 2012, 337, 1517.
32. a) J. Kim, S. Byun, A. J. Smith, J. Yu, J. X. Huang, J. Phys. Chem. Lett. 2013, 4, 1227;
33. b) K. K. Kim, J. J. Bae, H. K. Park, S. M. Kim, H. Z. Geng, K. A. Park, H. J. Shin, S. M. Yoon, A. Benayad, J. Y. Choi, Y. H. Lee, J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 12757.
34. a) T. S. Sreeprasad, P. Nguyen, N. Kim, V. Berry, Nano Lett. 2013, 13, 4434;
35. b) S. Su, H. F. Sun, F. Xu, L. H. Yuwen, L. H. Wang, Electroanal. 2013, 25, 2523.
36. Y. N. Xia, Y. J. Xiong, B. Lim, S. E. Skrabalak, Angew. Chem. Int. Ed. 2009, 48, 60.
37. A. Koma, Thin Solid Films 1992, 216, 72.
38. D. W. Pashley, M. J. Stowell, M. H. Jacobs, T. J. Law, Philos. Mag. 1964, 10, 127.
39. Y. Zhou, D. Kiriya, E. E. Haller, J. W. Ager, A. Javey, D. C. Chrzan, arXiv:1505.07505, 2015.
40. S. M. Kim, K. K. Kim, Y. W. Jo, M. H. Park, S. J. Chae, D. L. Duong, C. W. Yang, J. Kong, Y. H. Lee, ACS Nano 2011, 5, 1236.
41. S. Jung, J. T. Han, J. S. Woo, J. H. Kim, H. J. Jeong, G. W. Lee, Nanoscale 2014, 6, 2971.
42. M. S. Choi, D. Qu, D. Lee, X. Liu, K. Watanabe, T. Taniguchi, W. J. Yoo, ACS Nano, 2014, 8, 9332.
43. H. Fang, M. Tosun, G. Seol, T. C. Chang, K. Takei, J. Guo, A. Javey, Nano Lett. 2013, 13, 1991.
44. I. Lee, U. J. Kim, H. Bin Son, S. M. Yoon, F. Yao, W. J. Yu, D. L. Duong, J. Y. Choi, J. M. Kim, E. H. Lee, Y. H. Lee, J. Phys. Chem. C 2010, 114, 11618.
45. R. L. Wells, T. Fort, Surf. Sci. 1972, 32, 554.