Epitaxial growth of molecular crystals on van der Waals substrates for high-performance organic electronics

Advanced Materials

Volumn 26, Issue 18, 2014, Pages 2812-2817

  Lee, Chul Ho ^a,b   Schiros, Theanne ^b   Santos, Elton J G ^c   Kim, Bumjung ^b   Yager, Kevin G ^d   Kang, Seok Ju ^b   Lee, Sunwoo ^a   Yu, Jaeeun ^b   Watanabe, Kenji ^e   Taniguchi, Takashi ^e   Hone, James ^a   Kaxiras, Efthimios ^c   Nuckolls, Colin ^b   Kim, Philip ^a  

^a Department of Physics Columbia University ^*  (United States)

^b Och Spine at New York Presbyterian Hospitals   (United States)

^c HARVARD UNIVERSITY   (United States)

^d BROOKHAVEN NATIONAL LABORATORY   (United States)

^e NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE   (Japan)

Author keywords

hexagonal boron nitride (h BN); organic semiconductors organic field effect transistors; rubrene; van der Waals heterostructures

Indexed keywords

BORON NITRIDE; EPITAXIAL GROWTH; GRAPHITE ELECTRODES; MOLECULAR CRYSTALS; ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTORS;

ELECTRICAL CONTACTS; HEXAGONAL BORON NITRIDE (H-BN); HIGH CARRIER MOBILITY; ORGANIC ELECTRONIC DEVICES; ORGANIC ELECTRONICS; RUBRENES; SINGLE-CRYSTALLINE DOMAINS; VAN DER WAALS;

VAN DER WAALS FORCES;

EID: 84900001911     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201304973     Document Type: Article

References (33)

1. S. R. Forrest, Chem. Rev. 1997, 97, 1793.
2. M. Eremtchenko, J. A. Schaefer, F. S. Tautz, Nature 2003, 425, 602.
3. A. C. Hillier, M. D. Ward, Phys. Rev. B 1996, 54, 14037.
4. D. E. Hooks, T. Fritz, M. D. Ward, Adv. Mater. 2001, 13, 227.
5. R. W. I. de Boer, M. E. Gershenson, A. F. Morpurgo, V. Podzorov, Phys. Status Solidi A 2004, 201, 1302.
6. S. Bae, H. Kim, Y. Lee, X. Xu, J.-S. Park, Y. Zheng, J. Balakrishnan, T. Lei, H. R. Kim, Y. I. Song, Y.-J. Kim, K. S. Kim, B. Özyilmaz, J.-H. Ahn, B. H. Hong, S. Iijima, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 574.
7. L. Song, L. Ci, H. Lu, P. B. Sorokin, C. Jin, J. Ni, A. G. Kvashnin, D. G. Kvashnin, J. Lou, B. I. Yakobson, P. M. Ajayan, Nano. Lett. 2010, 10, 3209.
8. F. Dinelli, M. Murgia, P. Levy, M. Cavallini, F. Biscarini, D. M. de Leeuw, Phys. Rev. Lett. 2004, 92, 116802.
9. I. N. Hulea, S. Fratini, H. Xie, C. L. Mulder, N. N. Iossad, G. Rastelli, S. Ciuchi, A. F. Morpurgo, Nat. Mater. 2006, 5, 982.
10. C. Stadler, S. Hansen, I. Kröger, C. Kumpf, E. Umbach, Nat. Phys. 2009, 5, 153.
11. M. E. Gershenson, V. Podzorov, A. F. Morpurgo, Rev. Mod. Phys. 2006, 78, 973.
12. V. Coropceanu, J. Cornil, D. A. da Silva Filho, Y. Olivier, R. Silbey, J. L. Brédas, Chem. Rev. 2007, 107, 926.
13. M. F. Calhoun, C. Hsieh, V. Podzorov, Phys. Rev. Lett. 2007, 98, 096402.
14. T. Vehoff, B. Baumeier, A. Troisi, D. Andrienko, J. Am. Chem. Soc. 2010, 132, 11702.
15. V. C. Sundar, J. Zaumseil, V. Podzorov, E. Menard, R. L. Willett, T. Someya, M. E. Gershenson, J. A. Rogers, Science 2004, 303, 1644.
16. N. A. Minder, S. Ono, Z. H. Chen, A. Facchetti, A. F. Morpurgo, Adv. Mater. 2012, 24, 503.
17. N. Stingelin-Stutzmann, E. Smits, H. Wondergem, C. Tanase, P. Blom, P. Smith, D. De Leeuw, Nat. Mater. 2005, 4, 601.
18. G. Giri, E. Verploegen, S. C. B. Mannsfeld, S. Atahan-Evrenk, D. H. Kim, S. Y. Lee, H. A. Becerril, A. Aspuru-Guzik, M. F. Toney, Z. Bao, Nature 2011, 480, 504.
19. Y. Diao, B. C.-K. Tee, G. Giri, J. Xu, D. H. Kim, H. A. Becerril, R. M. Stoltenberg, T. H. Lee, G. Xue, S. C. B. Mannsfeld, Z. Bao, Nat. Mater. 2013, 12, 665.
20. H. Y. Li, G. Giri, J. B.-H. Tok, Z. Bao, MRS Bull. 2013, 38, 34.
21. A. Koma, Thin Solid Films 1992, 216, 72.
22. H. Sirringhaus, P. J. Brown, R. H. Friend, M. M. Nielsen, K. Bechgaard, B. M. W. Langeveld-Voss, A. J. H. Spiering, R. A. J. Janssen, E. W. Meijer, P. Herwig, D. M. de Leeuw, Nature 1999, 401, 685.
23. K. Xiao, W. Deng, J. K. Keum, M. Yoon, I. V. Vlassiouk, K. W. Clark, A.-P. Li, I. I. Kravchenko, G. Gu, E. A. Payzant, B. G. Sumpter, S. C. Smith, J. F. Browning, D. B. Geohegan, J. Am. Chem. Soc. 2013, 135, 3680.
24. C. R. Dean, A. F. Young, I. Meric, C. Lee, L. Wang, S. Sorgenfrei, K. Watanabe, T. Taniguchi, P. Kim, K. L. Shepard, J. Hone, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 722.
25. O. D. Jurchescu, A. Meetsma, T. T. M. Palstra, Acta. Crystallogr. B 2006, 62, 330.
26. J. Rivnay, L. H. Jimison, J. E. Northrup, M. F. Toney, R. Noriega, S. Lu, T. J. Marks, A. Facchetti, A. Salleo, Nat. Mater. 2009, 8, 952.
27. S. J. Kang, B. Kim, K. S. Kim, Y. Zhao, Z. Y. Chen, G. H. Lee, J. Hone, P. Kim, C. Nuckolls, Adv. Mater. 2011, 23, 3531.
28. W. H. Lee, J. Park, S. H. Sim, S. Lim, K. S. Kim, B. H. Hong, K. Cho, J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 4447.
29. I. N. Hulea, S. Russo, A. Molinari, A. F. Morpurgo, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 113512.
30. J. M. Soler, E. Artacho, J. D. Gale, A. Garcia, J. Junquera, P. Ordejõn, D. Sánchez-Portal, J. Phys.: Condens. Matter 2002, 14, 2745.
31. J. P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof, Phys. Rev. Lett. 1996, 77, 3865.
32. M. Dion, H. Rydberg, E. Schröder, D. C. Langreth, B. I. Lundqvist, Phys. Rev. Lett. 2004, 92, 246401.
33. N. Troullier, J. L. Martins, Phys. Rev. B 1991, 43, 1993.