Effect of the buffer layer on the metal-semiconductor-metal UV photodetector based on Al-doped and undoped ZnO thin films with different device structures

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Volumn 212, Issue 8, 2015, Pages 1704-1712

  Inamdar, Sumayya ^a   Ganbavle, Vinayak ^a   Shaikh, Shahin ^a   Rajpure, Kesu ^a  

^a SHIVAJI UNIVERSITY   (India)

Author keywords

aluminium; buffer layers; doping; photodetectors; thin films; ZnO

Indexed keywords

ALUMINUM; BUFFER LAYERS; CRACKING (CHEMICAL); METALLIC FILMS; METALS; OHMIC CONTACTS; OPTICAL FILMS; PHOTODETECTORS; PHOTONS; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; SILVER; SPRAY PYROLYSIS; THIN FILMS;

AL-DOPED ZNO; PHOTORESPONSES; PHOTOSWITCHING; UV PHOTODETECTORS; ZNO BUFFER LAYER;

ZINC OXIDE;

EID: 84938958683     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.201431850     Document Type: Article

References (51)

1. T. H. Chou, Y. K. Fang, T. Chiang, C. I. Lin, and, C. Y. Yang, Sens. Actuators A 147, 60-63 (2008).
2. S. S. Chan, R. D. McKeag, M. D. Whitfield, and, R. B. Jackman, Phys. Status Solidi A 154, 445-454 (2006).
3. L. Östlund, Q. Wang, R. Esteve, S. Almqvist, D. Rihtnesberg, S. Reshanov, A. Z. Zhang, J. K. Lim, M. Bakowski, A. Schöner, and, W. Kaplan, Phys. Status Solidi C 7, 1680-1682 (2012).
4. D. S. Tsai, W. C. Lien, D. H. Lien, K. M. Chen, M. L. Tsai, D. G. Senesky, Y. C. Yu, A. P. Pisano, and, J. H. He, Sci. Rep. 4, 2628 (2013).
5. T. Zhai, L. Li, X. Wang, X. Fang, Y. Bando, and, D. Golberg, Adv. Funct. Mater. 20, 4233-4248 (2010).
6. A. Bedia, F. Z. Bedia, B. Benyoucef, and, S. Hamzaoui, Phys. Procedia 55, 53-60 (2014).
7. O. M. Ghahfarokhi, K. Chakanga, S. Geissendoerfer, O. Sergeev, K. Maydell, and, C. Agert, Prog. Photovolt.: Res. Appl. (2014).
8. E. L. Runnerstrom, A. Llordés, S. D. Lounis, and, D. J. Milliron, Chem. Commun. 50, 10555-10572 (2014).
9. M. M. Aliyu, M. A. Islam, Q. Huda, S. Rahman, and, N. Amin, Adv. Mater. Res. 925, 295-299 (2014).
10. A. Kamble, B. Sinha, K. Chung, A. More, S. Vanalakar, C. W. Hong, J. Kim, and, P. Patil, Electron. Mater. Lett., doi: 10.1007/s13391-014-4236-x.
11. S. Jebril, H. Kuhlmann, S. Muller, C. Ronning, L. Kienle, V. Duppel, Y. K. Mishra, and, R. Adelung, Cryst. Growth Des. 10, 2842-2846 (2010).
12. Y. K. Mishra, S. Kaps, A. Schuchardt, I. Paulowicz, X. Jin, D. Gedamu, S. Freitag, M. Claus, S. Wille, A. Kovalev, S. N. Gorb, and, R. Adelung, Part. Part. Syst. Charact. 30, 775-783 (2013).
13. S. J. Young, L. W. Ji, S. J. Chang, and, Y. K. Su, J. Cryst. Growth 293, 43-47 (2006).
14. C. Varenne, L. Mazet, J. Brunet, K. Wierzbowska, A. Pauly, and, B. Lauron, Thin Solid Films 516, 2237-2243 (2008).
15. P. Sandvik, K. Mi, F. Shahedipour, R. McClintock, A. Yasan, P. Kung, and, M. Razeghi, J. Cryst. Growth 231, 366-370 (2001).
16. Z. Alaiea, S. Mohammad Nejada, M. H. Yousef, Mater. Sci. Semicond. Proc. 29, 16-55 (2015).
17. L. Li, E. Auer, M. Liao, X. Fang, T. Zhai, U. K. Gautam, A. Lugstein, Y. Koide, Y. Bando, and, D. Golberg, Nanoscale 3, 1120-1126 (2011).
18. B. Albrecht, S. Kopta, O. John, M. Rutters, M. Kunzer, R. Driad, N. Marenco, K. Kohler, M. Walther, and, O. Ambacher, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 20, 3802507 (2014).
19. H. Liu, Z. Zhang, L. Hu, N. Gao, L. Sang, M. Liao, R. Ma, F. Xu, and, X. Fang, Adv. Opt. Mater. 2, 771-778 (2014).
20. L. Hu, J. Yan, M. Liao, L. Wu, and, X. Fang, Small 7, 1012-1017 (2011).
21. X. Fang, L. Hu, K. Huo, B. Gao, L. Zhao, M. Liao, P. K. Chu, Y. Bando, and, D. Golberg, Adv. Funct. Mater. 24, 6016-6022 (2014).
22. X. Fang, S. Xiong, T. Zhai, Y. Bando, M. Liao, U. K. Gautam, Y. Koide, X. Zhang, Y. Qian, and, D. Golberg, Adv. Mater. 21, 5016-5021 (2009).
23. M. Chen, L. Hu, J. Xu, M. Liao, L. Wu, and, X. Fang, Small 7, 2449-2453 (2011).
24. L. Peng, L. Hu, and, X. Fang, Adv. Mater. 25, 5321-5328 (2013).
25. T. Lin, X. Liu, B. Zhou, Z. Zhan, A. N. Cartwright, and, M. T. Swihart, Adv. Funct. Mater. 24, 6016-6022 (2014).
26. K. H. Lee, P. C. Chang, S. J. Chang, and, S. L. Wu, Phys. Status Solidi A 209, 579-584 (2012).
27. X. Wang, N. Aroonyadet, Y. Zhang, M. Mecklenburg, X. Fang, H. Chen, E. Goo, and, C. Zhou, Nano Lett. 14, 3014-3022 (2014).
28. X. Fang, S. Xiong, T. Zhai, Y. Bando, M. Liao, U. K. Gautam, Y. Koide, X. Zhang, Y. Qian, and, D. Golberg, Adv. Mater. 21, 5016-5021 (2009).
29. D. Gedamu, I. Paulowicz, S. Kaps, O. Lupan, S. Wille, G. Haidarschin, Y. K. Mishra, and, R. Adelung, Adv. Mater. 26, 1541-1550 (2014).
30. Y. K. Mishra, V. S. K. Chakravadhanula, V. Hrkac, S. Jebril, D. C. Agarwal, S. Mohapatra, D. K. Avasthi, L. Kienle, and, R. Adelung, J. Appl. Phys. 112, 064308 (2012).
31. L. Hu, J. Yan, M. Liao, H. Xiang, X. Gong, L. Zhang, and, X. Fang, Adv. Mater. 24, 2305-2309 (2012).
32. O. Lupan, L. Ghimpu, T. Reimer, M. Hoppe, I. Paulowicz, D. Gedamu, Y. K. Mishra, D. Hammerich, S. Chemnitz, V. Cretu, I. Tiginyanu, and, R. Adelung, J. Nanoelectron. Optoelectron. 9, 257-264 (2014).
33. Y. H. Leung, Z. B. He, L. B. Luo, C. H. A. Tsang, N. B. Wong, W. J. Zhang, and, S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 96, 053102 (2010).
34. S. Jebril, H. Kuhlmann, S. Muller, C. Ronning, L. Kienle, V. Duppel, Y. K. Mishra, and, R. Adelung, Cryst. Growth Des. 10, 2842-2846 (2010).
35. Y. Hou, Z. Mei, and, X. Du, J. Phys. D: Appl. Phys. 47, 283001 (2014).
36. L. Peng, J. L. Zhai, D. J. Wang, P. Wang, Y. Zhang, S. Pang, and, T. F. Xie, Chem. Phys. Lett. 456, 231-235 (2008).
37. S. I. Inamdar, and, K. Y. Rajpure, J. Alloys Compd. 595, 55-59 (2014).
38. Y. J. Choi, S. C. Gong, C. S. Park, H. S. Lee, J. G. Jang, H. J. Chang, G. Y. Yeom, and, H. H. Park, Appl. Mater. Interf. 5, 3650 (2013).
39. F. Jia, Q. Wang, D. L. Zhu, S. Han, P. J. Cao, W. J. Liu, Y. X. Zeng, and, Y. M. Lu, J. Mater Sci. 25, 2934-2938 (2014).
40. K. Mahmood, S. B. Park, and, H. J. Sung, Appl. Mater. Interf. 5, 3722-3730 (2013).
41. L. Gao, Y. Zhang, J. M. Zhang, and, K. W. Xu, Appl. Surf. Sci. 257, 2498-2502 (2011).
42. B. Cheng, J. Xu, Z. Ouyang, C. Xie, X. Su, Y. Xiao, and, S. Lei, Opt. Express. 21, 29720 (2013).
43. Y. Hea, W. Zhang, S. Zhang, X. Kang, W. Peng, and, Y. Xu, Sens. Actuators A 181, 6-12 (2012).
44. N. K. Hassan, M. R. Hashim, K. Al-Heuseen, and, N. K. Allam, Chem. Phys. Lett. 604, 22-26 (2014).
45. J. D. Ye, S. Pannirselvam, S. T. Lim, J. F. Bi, X. W. Sun, G. Q. Lo, and, K. L. Teo, Appl. Phys. Lett. 97, 111908 (2010).
46. H. Zhu, C. X. Shan, L. K. Wang, J. Zheng, J. Y. Zhang, B. Yao, and, D. Z. Shen, J. Phys. Chem. C 114, 7169-7172 (2010).
47. S. E. Ahn, J. S. Lee, H. Kim, S. Kim, B. H. Kang, K. H. Kim, and, G. T. Kim, Appl. Phys. Lett. 84, 5022-5024 (2004).
48. S. I. Inamdar, V. V. Ganbavle, and, K. Y. Rajpure, Superlattices Microstruct. 76, 253-263 (2014).
49. H. Zhou, G. Fang, N. Liu, and, X. Zhao, Nanoscale Res. Lett. 6, 147 (2011).
50. F. Guo, B. Yang, Y. Yuan, Z. Xiao, Q. Dong, Y. Bi, and, J. Huang, Nature Nanotechnol. 7, 798-802 (2012).
51. H. Kind, H. Yan, B. Messer, M. Law, and, P. Yang, Adv. Mater. 14, 158-160 (2002).