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Volumn 3, Issue 17, 2015, Pages 4416-4423

Stacking fault and unoccupied densities of state dependence of electromagnetic wave absorption in SiC nanowires

(9) Zhang, Hangyu a Xu, Yongjun a Zhou, Jigang b Jiao, Jinfu c Chen, Yujin d Wang, Huan a Liu, Chenyu a Jiang, Zhaohua a Wang, Zhijiang a

a HARBIN INSTITUTE OF TECHNOLOGY (China)

b CANADIAN LIGHT SOURCE INC (Canada)

c BEIJING INSTITUTE OF SPACECRAFT SYSTEM ENGINEERING (China)

d HARBIN ENGINEERING UNIVERSITY (China)

Author keywords

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Indexed keywords

DEFECTS; ELECTROMAGNETIC FIELDS; ELECTROMAGNETIC WAVE ABSORPTION; ELECTRONIC STRUCTURE; ENERGY DISSIPATION; NANOWIRES; SILICON CARBIDE; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY ABSORPTION;

DENSITIES OF STATE; DENSITY OF STATE; DIELECTRIC RESONANCES; EFFECTIVE ABSORPTION; GROWTH DIRECTIONS; HEATING TEMPERATURES; MICROSTRUCTURAL ANALYSIS; X-RAY ABSORPTION NEAR-EDGE STRUCTURE;

STACKING FAULTS;

EID: 84928559571 PISSN: 20507534 EISSN: 20507526 Source Type: Journal
DOI: 10.1039/c5tc00405e Document Type: Article

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