Stacking faults in silicon carbide

Physica B: Condensed Matter

Volumn 340-342, Issue , 2003, Pages 165-170

  Iwata, H P ^a,b   Lindefelt, U ^a   Oberg S ^b   Briddon, P R ^c  

^a LINKÖPING UNIVERSITY   (Sweden)

^b LULEÅ UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Sweden)

^c NEWCASTLE UNIVERSITY   (United Kingdom)

Author keywords

Dislocations; Quantum well; Solid solid phase transition; Stacking fault

Indexed keywords

CRYSTAL GROWTH; DISLOCATIONS (CRYSTALS); ENERGY GAP; HAMILTONIANS; PHASE TRANSITIONS; PROBABILITY DENSITY FUNCTION; SEMICONDUCTOR DIODES; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; STACKING FAULTS; THERMODYNAMIC PROPERTIES;

ELECTRONIC DEGRADATION; QUANTUM CONFINEMENT EFFECTS;

SILICON CARBIDE;

EID: 0347764791     PISSN: 09214526     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.physb.2003.09.045     Document Type: Conference Paper

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