Plasma-assisted atomic layer deposition of PtOx from (MeCp)PtMe3 and O2 plasma

Chemical Vapor Deposition

Volumn 20, Issue 7-9, 2014, Pages 258-268

  Erkens, Ivo J M ^a,b   Verheijen, Marcel A ^a   Knoops, Harm C M ^a   Landaluce, Tatiana F ^a   Roozeboom, Fred ^a,b   Kessels, Wilhelmus M M ^a  

^a EINDHOVEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Netherlands)

^b HOLST CENTRE   (Netherlands)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ASPECT RATIO; ATOMIC LAYER DEPOSITION; OXIDE FILMS; PULSED LASER DEPOSITION; THERMODYNAMIC STABILITY; THIN FILMS;

MINIMAL THICKNESS; NUCLEATION STAGES; PLASMA ASSISTED ATOMIC LAYER DEPOSITIONS; PLASMA EXPOSURE; REDUCING ACTIVITY; SUBSTRATE TEMPERATURE; TEMPERATURE WINDOW; WELL-ESTABLISHED TECHNIQUES;

PLATINUM COMPOUNDS;

EID: 84926186939     PISSN: 09481907     EISSN: 15213862     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/cvde.201407109     Document Type: Article

References (39)

1. G. N. Parsons, S. M. George, M. Knez, MRS Bull. 2011, 36, 865.
2. C. Marichy, M. Bechelany, N. Pinna, Adv. Mater. 2012, 24, 1017.
3. F. Raimondi, G. G. Scherer, R. Kotz, A. Wokaun, Angew. Chem. Int. Ed. 2005, 44, 2190.
4. D. S. Kang, S. K. Han, J. H. Kim, S. M. Yang, J. G. Kim, S. K. Hong, D. Kim, H. Kim, J. H. Song, J. Vac. Sci. Technol. B 2009, 27, 1667.
5. V. Miikkulainen, M. Leskelä, M. Ritala, R. L. Puurunen, J. Appl. Phys. 2013, 113, 021301.
6. J. Hämäläinen, F. Munnik, M. Ritala, M. Leskelä, Chem. Mater. 2008, 20, 6840.
7. H. C. M. Knoops, A. J. M. Mackus, M. E. Donders, M. C. M. van de Sanden, P. H. L. Notten, W. M. M. Kessels, Electrochem. Solid-State Lett. 2009, 12, G34.
8. T. Aaltonen, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Keinonen, M. Leskelä, Chem. Mater. 2003, 15, 1924.
9. I. J. M. Erkens, A. J. M. Mackus, H. C. M. Knoops, P. Smits, T. H. M. van de Ven, F. Roozeboom, W. M. M. Kessels, ECS J. Solid State Sci. Technol. 2012, 1, 255.
10. A. J. M. Mackus, D. Garcia-Alonso, H. C. M. Knoops, A. A. Bol, W. M. M. Kessels, Chem. Mater. 2013, 25, 1769.
11. L. Baker, A. Cavanagh, D. Seghete, S. George, A. Mackus, W. Kessels, Z. Liu, F. Wagner, J. Appl. Phys. 2011, 109, 084333.
12. A. J. M. Mackus, M. A. Verheijen, N. M. Leick, A. A. Bol, W. M. M. Kessels, Chem. Mater. 2013, 25, 1905.
13. S. T. Christensen, J. W. Elam, B. Lee, Z. Feng, M. J. Bedzyk, M. C. Hersam, Chem. Mater. 2009, 21, 516.
14. S. Guo, E. Wang, Nano Today 2011, 6, 240.
15. M. J. Weber, A. J. M. Mackus, M. A. Verheijen, C. van der Marel, W. M. M. Kessels, Chem. Mater. 2012, 24, 2973.
16. Q. Liu, T. Fukaya, S. Cao, C. Guo, Z. Zhang, Y. Guo, J. Wei, J. Tominaga, Opt. Express 2008, 16, 213.
17. D. Haridas, K. Sreenivas, V. Gupta, Sens. Actuators B 2008, 133, 270.
18. N. Sabourault, G. Mignani, A. Wagner, C. Mioskowski, Org. Lett. 2002, 4, 2117.
19. H. C. M. Knoops, E. Langereis, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, J. Electrochem. Soc. 2010, 157, G241.
20. S. W. Kim, S. H. Kwon, D. K. Kwak, S. W. Kang, J. Appl. Phys. 2008, 103, 023517.
21. J. S. Mayell, S. H. Langer, J. Electrochem. Soc. 1964, 111, 438.
22. J. S. Mayell, J. Electrochem. Soc. 1966, 113, 385.
23. Y. Gong, M. Zhou, Chemphyschem 2010, 11, 1888.
24. W. M. M. Kessels, H. C. M. Knoops, S. A. F. Dielissen, A. J. M. Mackus, M. C. M. van de Sanden, Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 013114.
25. J. F. Weaver, J. J. Chen, A. L. Gerrard, Surf. Sci. 2005, 592, 83.
26. L. Ono, B. Yuan, H. Heinrich, B. Cuenya, J. Phys. Chem. C 2010, 114, 22119.
27. Y. Abe, M. Kawamura, K. Sasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 1999, 38, 2092.
28. J. J. Blackstock, D. R. Stewart, Z. Li, Appl. Phys. A-Mater. Sci. Process. 2005, 80, 1343.
29. R. B. Getman, Y. Xu, W. F. Schneider, J. Phys. Chem. C 2008, 112, 9559.
30. D. H. Parker, M. E. Bartram, B. E. Koel, Surf. Sci. 1989, 217, 489.
31. N. Saliba, Y. L. Tsai, C. Panja, B. E. Koel, Surf. Sci. 1999, 419, 79.
32. J. F. Weaver, H. H. Kan, R. Shumbera, J. Phys.-Condens. Matter 2008, 20, 184015.
33. M. Salmeron, L. Brewer, G. A. Somorjai, Surf. Sci. 1981, 112, 207.
34. K. Hauff, U. Tuttlies, G. Eigenberger, U. Nieken, Appl. Catal. B 2012, 123, 107.
35. K. Hauff, H. Dubbe, U. Tuttlies, G. Eigenberger, U. Nieken, Appl. Catal. B 2013, 129, 273.
36. F. Bernardi, M. C. Alves, A. Traverse, D. O. Silva, C. W. Scheeren, J. Dupont, J. Morais, J. Phys. Chem. C 2009, 113, 3909.
37. F. Bernardi, M. C. Alves, J. Morais, J. Phys. Chem. C 2010, 114, 21434.
38. W. Setthapun, W. D. Williams, S. M. Kim, H. Feng, J. W. Elam, F. A. Rabuffetti, K. R. Poeppelmeier, P. C. Stair, E. A. Stach, F. H. Ribeiro, J. T. Miller, C. L. Marshall, J. Phys. Chem. C 2010, 114, 9758.
39. E. Langereis, S. B. S. Heil, H. C. M. Knoops, W. Keuning, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, J. Phys. D: Appl. Phys. 2009, 42, 073001.