-
1
-
-
84876152958
-
-
S. H. Lee, H. C. Park, M. S. Kim, H. W. Kim, M. R. Choi, H. G. Lee, J. W. Seo, S. C. Kim, S. G. Kim, S. B. Hong, S. Y. Lee, J. U. Lee, Y. S. Kim, K. S. Kim, J. I. Kim, M. Y. Lee, H. S. Shin, S. J. Chae, J. H. Song, H. S. Yoon, J. M. Oh, S. K. Min, H. M. Lee, K. R. Hong, J. T. Cheong, S. N. Park, J. C. Ku, H. S. Shin, Y. S. Sohn, S. K. Park, T. S. Kim, Y. K. Kim, K. W. Park, C. S. Han, H. W. Kim, W. Kim, H. J. Kim, K. S. Choi, J. H. Lee and S. J. Hong, Highly productive PCRAM technology platform and full chip operation: Based on 4F2 (84nm pitch) cell scheme for 1 Gb and beyond, 2011
-
(2011)
Highly Productive PCRAM Technology Platform and Full Chip Operation: Based on 4F2 (84nm Pitch) Cell Scheme for 1 Gb and beyond
-
-
Lee, S.H.1
Park, H.C.2
Kim, M.S.3
Kim, H.W.4
Choi, M.R.5
Lee, H.G.6
Seo, J.W.7
Kim, S.C.8
Kim, S.G.9
Hong, S.B.10
Lee, S.Y.11
Lee, J.U.12
Kim, Y.S.13
Kim, K.S.14
Kim, J.I.15
Lee, M.Y.16
Shin, H.S.17
Chae, S.J.18
Song, J.H.19
Yoon, H.S.20
Oh, J.M.21
Min, S.K.22
Lee, H.M.23
Hong, K.R.24
Cheong, J.T.25
Park, S.N.26
Ku, J.C.27
Shin, H.S.28
Sohn, Y.S.29
Park, S.K.30
Kim, T.S.31
Kim, Y.K.32
Park, K.W.33
Han, C.S.34
Kim, H.W.35
Kim, W.36
Kim, H.J.37
Choi, K.S.38
Lee, J.H.39
Hong, S.J.40
more..
-
8
-
-
84880816754
-
-
Y. Zhu X. Han Y. Xu Y. Liu S. Zheng K. Xu L. Hu C. Wang ACS Nano 2013 7 6378 6386
-
(2013)
ACS Nano
, vol.7
, pp. 6378-6386
-
-
Zhu, Y.1
Han, X.2
Xu, Y.3
Liu, Y.4
Zheng, S.5
Xu, K.6
Hu, L.7
Wang, C.8
-
12
-
-
34548850922
-
-
F. Pellizzer, A. Pirovano, F. Ottogalli, M. Magistretti, M. Scaravaggi, P. Zuliani, M. Tosi, A. Benvenuti, P. Besana, S. Cadeo, T. Marangon, R. Morandi, R. Piva, A. Spandre, R. Zonca, A. Modelli, E. Varesi, T. Lowrey, A. Lacaita, G. Casagrande, P. Cappelletti and R. Bez, Novel μtrench phase-change memory cell for embedded and stand-alone non-volatile memory applications, 2004
-
(2004)
Novel μtrench Phase-change Memory Cell for Embedded and Stand-alone Non-volatile Memory Applications
-
-
Pellizzer, F.1
Pirovano, A.2
Ottogalli, F.3
Magistretti, M.4
Scaravaggi, M.5
Zuliani, P.6
Tosi, M.7
Benvenuti, A.8
Besana, P.9
Cadeo, S.10
Marangon, T.11
Morandi, R.12
Piva, R.13
Spandre, A.14
Zonca, R.15
Modelli, A.16
Varesi, E.17
Lowrey, T.18
Lacaita, A.19
Casagrande, G.20
Cappelletti, P.21
Bez, R.22
more..
-
13
-
-
21244498532
-
-
Y.-T. Kim Y.-N. Hwang K.-H. Lee S.-H. Lee C.-W. Jeong S.-J. Ahn F. Yeung G.-H. Koh H.-S. Jeong W.-Y. Chung T.-K. Kim Y.-K. Park K.-N. Kim J.-T. Kong Jpn. J. Appl. Phys. 2005 44 2701 2705
-
(2005)
Jpn. J. Appl. Phys.
, vol.44
, pp. 2701-2705
-
-
Kim, Y.-T.1
Hwang, Y.-N.2
Lee, K.-H.3
Lee, S.-H.4
Jeong, C.-W.5
Ahn, S.-J.6
Yeung, F.7
Koh, G.-H.8
Jeong, H.-S.9
Chung, W.-Y.10
Kim, T.-K.11
Park, Y.-K.12
Kim, K.-N.13
Kong, J.-T.14
-
19
-
-
67349117674
-
-
M. Ritala V. Pore T. Hatanpää M. Heikkilä M. Leskelä K. Mizohata A. Schrott S. Raoux S. M. Rossnagel Microelectron. Eng. 2009 86 1946 1949
-
(2009)
Microelectron. Eng.
, vol.86
, pp. 1946-1949
-
-
Ritala, M.1
Pore, V.2
Hatanpää, T.3
Heikkilä, M.4
Leskelä, M.5
Mizohata, K.6
Schrott, A.7
Raoux, S.8
Rossnagel, S.M.9
-
20
-
-
78751517370
-
-
V. Pore K. Knapas T. Hatanpää T. Sarnet M. Kemell M. Ritala M. Leskelä K. Mizohata Chem. Mater. 2010 23 247 254
-
(2010)
Chem. Mater.
, vol.23
, pp. 247-254
-
-
Pore, V.1
Knapas, K.2
Hatanpää, T.3
Sarnet, T.4
Kemell, M.5
Ritala, M.6
Leskelä, M.7
Mizohata, K.8
-
21
-
-
33947127140
-
-
B. J. Choi S. Choi Y. C. Shin C. S. Hwang J. W. Lee J. Jeong Y. J. Kim S.-Y. Hwang S. K. Hong J. Electrochem. Soc. 2007 154 H318 H324
-
(2007)
J. Electrochem. Soc.
, vol.154
, pp. H318-H324
-
-
Choi, B.J.1
Choi, S.2
Shin, Y.C.3
Hwang, C.S.4
Lee, J.W.5
Jeong, J.6
Kim, Y.J.7
Hwang, S.-Y.8
Hong, S.K.9
-
22
-
-
34548820185
-
-
B. J. Choi S. Choi Y. C. Shin K. M. Kim C. S. Hwang Y. J. Kim Y. J. Son S. K. Hong Chem. Mater. 2007 19 4387 4389
-
(2007)
Chem. Mater.
, vol.19
, pp. 4387-4389
-
-
Choi, B.J.1
Choi, S.2
Shin, Y.C.3
Kim, K.M.4
Hwang, C.S.5
Kim, Y.J.6
Son, Y.J.7
Hong, S.K.8
-
23
-
-
67649268160
-
-
B. J. Choi S. Choi T. Eom S. W. Ryu D.-Y. Cho J. Heo H. J. Kim C. S. Hwang Y. J. Kim S. K. Hong Chem. Mater. 2009 21 2386 2396
-
(2009)
Chem. Mater.
, vol.21
, pp. 2386-2396
-
-
Choi, B.J.1
Choi, S.2
Eom, T.3
Ryu, S.W.4
Cho, D.-Y.5
Heo, J.6
Kim, H.J.7
Hwang, C.S.8
Kim, Y.J.9
Hong, S.K.10
-
24
-
-
74349083544
-
-
M. Leskela V. Pore T. Hatanpaa M. Heikkila M. Ritala A. Schrott S. Raoux S. Rossnagel ECS Trans. 2009 25 399 407
-
(2009)
ECS Trans.
, vol.25
, pp. 399-407
-
-
Leskela, M.1
Pore, V.2
Hatanpaa, T.3
Heikkila, M.4
Ritala, M.5
Schrott, A.6
Raoux, S.7
Rossnagel, S.8
-
26
-
-
84862235099
-
-
T. Eom S. Choi B. J. Choi M. H. Lee T. Gwon S. H. Rha W. Lee M.-S. Kim M. Xiao I. Buchanan D.-Y. Cho C. S. Hwang Chem. Mater. 2012 24 2099 2110
-
(2012)
Chem. Mater.
, vol.24
, pp. 2099-2110
-
-
Eom, T.1
Choi, S.2
Choi, B.J.3
Lee, M.H.4
Gwon, T.5
Rha, S.H.6
Lee, W.7
Kim, M.-S.8
Xiao, M.9
Buchanan, I.10
Cho, D.-Y.11
Hwang, C.S.12
-
27
-
-
84894659027
-
-
T. Eom T. Gwon S. Yoo B. J. Choi M.-S. Kim I. Buchanan M. Xiao C. S. Hwang Chem. Mater. 2014 26 1583 1591
-
(2014)
Chem. Mater.
, vol.26
, pp. 1583-1591
-
-
Eom, T.1
Gwon, T.2
Yoo, S.3
Choi, B.J.4
Kim, M.-S.5
Buchanan, I.6
Xiao, M.7
Hwang, C.S.8
-
28
-
-
84922436654
-
-
Accelrys Software Inc., San Diego, US, 7.0 edn
-
Accelrys Software, Materials Studio Modeling Environment, Accelrys Software Inc., San Diego, US, 7.0 edn, 2014
-
(2014)
Materials Studio Modeling Environment
-
-
Software, A.1
|