Band-selective infrared photodetectors with complete-composition-range InAsxP1-x alloy nanowires

Advanced Materials

Volumn 26, Issue 44, 2014, Pages 7444-7449

  Ren, Pinyun ^a   Hu, Wei ^a   Zhang, Qinglin ^a   Zhu, Xiaoli ^a   Zhuang, Xiujuan ^a   Ma, Liang ^a   Fan, Xiaopeng ^a   Zhou, Hong ^a   Liao, Lei ^b   Duan, Xiangfeng ^c   Pan, Anlian ^a  

^a HUNAN UNIVERSITY   (China)

^b WUHAN UNIVERSITY   (China)

^c UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ENERGY GAP; FIELD EFFECT TRANSISTORS; NANOWIRES; PHOTODETECTORS; PHOTONIC DEVICES; PHOTONS; SEMICONDUCTOR DIODES;

BAND GAP ENGINEERING; COMPOSITION RANGES; ELECTRONIC COMPONENT; INFRARED PHOTODETECTOR; INTEGRATED PHOTONIC DEVICES; PERFORMANCE BANDS; POTENTIAL BUILDING BLOCKS; SEMICONDUCTOR NANOWIRE;

INDIUM ALLOYS;

EID: 84919340095     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201402945     Document Type: Article

References (39)

1. X. F. Duan, Y. Huang, R. Agarwal, C. M. Lieber, Nature 2003, 421, 241.
2. B. Mayer, D. Rudolph, J. Schnell, S. Morkötter, J. Winnerl, J. Treu, K. Müller, G. Bracher, G. Abstreiter, G. Koblmüller, J. J. Finley, Nat. Commun. 2013, 4, 2931.
3. A. Pan, W. Zhou, E. S. P. Leong, R. Liu, A. H. Chin, B. Zou, C. Z. Ning, Nano Lett. 2009, 9, 784.
4. X. Duan, Y. Huang, Y. Cui, J. Wang, C. M. Lieber, Nature 2001, 409, 66.
5. A. Bakin, A. Behrends, A. Waag, H.-J. Lugauer, A. Laubsch, K. Streubel, Proc. IEEE 2010, 98, 1281.
6. R. K. Paul, M. Penchev, J. Zhong, M. Ozkan, M. Ghazinejad, X. Jing, E. Yengel, C. S. Ozkan, Mater. Chem. Phys. 2010, 121, 397.
7. G. Z. Shen, P. C. Chen, Y. Bando, D. Golberg, C. W. Zhu, Chem. Mater. 2008, 20, 6779.
8. Z.-x. Yang, N. Han, F. Wang, H.-Y. Cheung, X. Shi, S. Yip, T. Hung, M. H. Lee, C.-Y. Wong, J. C. Ho, Nanoscale 2013, 5, 9671.
9. L. Ma, W. Hu, Q. Zhang, P. Ren, X. Zhuang, H. Zhou, J. Xu, H. Li, Z. Shan, X. Wang, L. Liao, H. Q. Xu, A. Pan, Nano Lett. 2014, 14, 694.
10. Z. Wang, M. Safdar, C. Jiang, J. He, Nano Lett. 2012, 12, 4715.
11. L. Cao, J.-S. Park, P. Fan, B. Clemens, M. L. Brongersma, Nano Lett. 2010, 10, 1229.
12. J. Svensson, N. Anttu, N. Vainorius, B. M. Borg, L.-E. Wernersson, Nano Lett. 2013, 13, 1380.
13. X. Liu, L. Gu, Q. Zhang, J. Wu, Y. Long, Z. Fan, Nat. Commun. 2014, 5, 1.
14. K. Deng, L. Li, Adv. Mater. 2014, 26, 2619.
15. H. Pettersson, I. Zubritskaya, N. Ngo Tuan, J. Wallentin, M. T. Borgstrom, K. Storm, L. Landin, P. Wickert, F. Capasso, L. Samuelson, Nanotechnology 2012, 23, 135201.
16. Y. Ye, L. Dai, T. Sun, L. P. You, R. Zhu, J. Y. Gao, R. M. Peng, D. P. Yu, G. G. Qin, J. Appl. Phys. 2010, 108, 044301.
17. L. Hu, J. Yan, M. Liao, L. Wu, X. Fang, Small 2011, 7, 1012.
18. S. B. Wang, C. H. Hsiao, S. J. Chang, K. T. Lam, K. H. Wen, S. C. Hung, S. J. Young, B. R. Huang, Sens. Actuators A 2011, 171, 207.
19. C.-H. Kuo, J.-M. Wu, S.-J. Lin, W.-C. Chang, Nanoscale Res. Lett. 2013, 8, 327.
20. X. Gong, M. Tong, Y. Xia, W. Cai, J. S. Moon, Y. Cao, G. Yu, C.-L. Shieh, B. Nilsson, A. J. Heeger, Science 2009, 325, 1665.
21. T. Takahashi, P. Nichols, K. Takei, A. C. Ford, A. Jamshidi, M. C. Wu, C. Z. Ning, A. Javey, Nanotechnology 2012, 23, 045201.
22. A. Pan, R. Liu, M. Sun, C.-Z. Ning, ACS Nano 2010, 4, 671.
23. C.-J. Kim, H.-S. Lee, Y.-J. Cho, J.-E. Yang, R. R. Lee, J. K. Lee, M.-H. Jo, Adv. Mater. 2011, 23.
24. X. Zhuang, C. Z. Ning, A. Pan, Adv. Mater. 2012, 24, 13.
25. Y.-J. Choi, K.-S. Park, J.-G. Park, Nanotechnology 2010, 21, 505605.
26. Z. Liu, T. Luo, B. Liang, G. Chen, G. Yu, X. Xie, D. Chen, G. Shen, Nano Res. 2013, 6, 775.
27. A. Arlauskas, J. Treu, K. Saller, I. Beleckaite, G. Koblmüller, A. Krotkus, Nano Lett. 2014, 14, 1508.
28. E. Thrush, O. Levi, W. Ha, G. Carey, L. J. Cook, J. Deich, S. J. Smith, W. E. Moerner, J. S. Harris, Jr., IEEE J. Quantum Electron. 2004, 40, 491.
29. G. A. Antypas, T. O. Yep, J. Appl. Phys. 1971, 42, 3201.
30. A. I. Persson, M. T. Björk, S. Jeppesen, J. B. Wagner, L. R. Wallenberg, L. Samuelson, Nano Lett. 2006, 6, 403.
31. J. C. Shin, A. Lee, P. K. Mohseni, D. Y. Kim, L. Yu, J. H. Kim, H. J. Kim, W. J. Choi, D. Wasserman, K. J. Choi, X. Li, ACS Nano 2013, 7, 5463.
32. J. Y. Lee, D. S. Kim, J. Park, Chem. Mater. 2007, 19, 4663.
33. K. Yamaguchi, Y. Takeda, K. Kameda, K. Itagaki, Mater. Trans., JIM 1994, 35, 596.
34. L. F. Hu, J. Yan, M. Y. Liao, H. J. Xiang, X. G. Gong, L. D. Zhang, X. S. Fang, Adv. Mater. 2012, 24, 2305.
35. S. M. Sze, K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed., Wiley, Hoboken, NJ, 2007.
36. P. J. Wang, B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 1984, 44, 766.
37. R. Bowers, J. E. Bauerle, A. J. Cornish, J. Appl. Phys. 1959, 30, 1050.
38. Y. Kajikawa, K. Okamura, Y. Inoko, H. Mizuki, J. Appl. Phys. 2012, 112, 123712.
39. P. Guo, J. Xu, X. Zhuang, W. Hu, X. Zhu, H. Zhou, L. Tang, A. Pan, J. Mater. Chem. C 2013, 1, 566.