Etchant-free and damageless transfer of monolayer and bilayer graphene grown on SiC

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 53, Issue 11, 2014, Pages

  Tanabe, Shinichi ^a   Furukawa, Kazuaki ^a   Hibino, Hiroki ^a  

^a NTT Basic Research Laboratories   (Japan)

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MONOLAYERS; SILICON CARBIDE;

BILAYER GRAPHENE; CHEMICAL ETCHANTS; UNINTENTIONAL DOPING; WATERSOLUBLE POLYMERS;

GRAPHENE;

EID: 84909979669     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.7567/JJAP.53.115101     Document Type: Article

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