Strain-induced indirect to direct bandgap transition in multilayer WSe 2

Nano Letters

Volumn 14, Issue 8, 2014, Pages 4592-4597

  Desai, Sujay B ^a,b   Seol, Gyungseon ^c   Kang, Jeong Seuk ^a,b   Fang, Hui ^a,b   Battaglia, Corsin ^a,b   Kapadia, Rehan ^a,b   Ager, Joel W ^b   Guo, Jing ^c   Javey, Ali ^a,b  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^b LAWRENCE BERKELEY NATIONAL LABORATORY   (United States)

^c UNIVERSITY OF FLORIDA   (United States)

Author keywords

indirect to direct bandgap transition; layered materials; photoluminescence; strain engineering; uniaxial tensile strain

Indexed keywords

ENERGY GAP; MOLYBDENUM COMPOUNDS; MONOLAYERS; OPTICAL BAND GAPS; PHOTOLUMINESCENCE; TENSILE STRAIN;

BANDGAP TRANSITION; ENERGY DIFFERENCES; LAYERED MATERIAL; OPTOELECTRONIC APPLICATIONS; OPTOELECTRONIC PROPERTIES; STRAIN ENGINEERING; TRANSITION METAL DICHALCOGENIDES; UNIAXIAL TENSILE STRAIN;

MULTILAYERS;

EID: 84906094169     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl501638a     Document Type: Article

References (28)

1. Novoselov, K. S.; Jiang, D.; Schedin, F.; Booth, T. J.; Khotkevich, V. V.; Morozov, S. V.; Geim, A. K. Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A. 2005, 102 (30) 10451-3
2. Radisavljevic, B.; Radenovic, A.; Brivio, J.; Giacometti, V.; Kis, A. Nat. Nanotechnol. 2011, 6 (3) 147-50
3. Fang, H.; Chuang, S.; Chang, T. C.; Takei, K.; Takahashi, T.; Javey, A. Nano Lett. 2012, 12 (7) 3788-3792
4. Wang, Q. H.; Kalantar-Zadeh, K.; Kis, A.; Coleman, J. N.; Strano, M. S. Nat. Nano 2012, 7 (11) 699-712
5. Butler, S. Z.; Hollen, S. M.; Cao, L.; Cui, Y.; Gupta, J. A.; Gutiérrez, H. R.; Heinz, T. F.; Hong, S. S.; Huang, J.; Ismach, A. F.; Johnston-Halperin, E.; Kuno, M.; Plashnitsa, V. V.; Robinson, R. D.; Ruoff, R. S.; Salahuddin, S.; Shan, J.; Shi, L.; Spencer, M. G.; Terrones, M.; Windl, W.; Goldberger, J. E. ACS Nano 2013, 7 (4) 2898-2926
6. Chhowalla, M.; Shin, H. S.; Eda, G.; Li, L. J.; Loh, K. P.; Zhang, H. Nat. Chem. 2013, 5 (4) 263-75
7. Xu, M.; Liang, T.; Shi, M.; Chen, H. Chem. Rev. 2013, 113 (5) 3766-98
8. Jariwala, D.; Sangwan, V. K.; Lauhon, L. J.; Marks, T. J.; Hersam, M. C. ACS Nano 2014, 8 (2) 1102-1120
9. Mak, K. F.; Lee, C.; Hone, J.; Shan, J.; Heinz, T. F. Phys. Rev. Lett. 2010, 105, 136805
10. Splendiani, A.; Sun, L.; Zhang, Y.; Li, T.; Kim, J.; Chim, C.-Y.; Galli, G.; Wang, F. Nano Lett. 2010, 10 (4) 1271-1275
11. Tonndorf, P.; Schmidt, R.; Böttger, P.; Zhang, X.; Börner, J.; Liebig, A.; Albrecht, M.; Kloc, C.; Gordan, O.; Zahn, D. R. T.; Michaelis de Vasconcellos, S.; Bratschitsch, R. Opt. Expr. 2013, 21 (4) 4908-4916
12. Ellis, J. K.; Lucero, M. J.; Scuseria, G. E. Appl. Phys. Lett. 2011, 99 (26) 261908
13. Cheng, T.-H.; Peng, K.-L.; Ko, C.-Y.; Chen, C.-Y.; Lan, H.-S.; Wu, Y.-R.; Liu, C. W.; Tseng, H.-H. Appl. Phys. Lett. 2010, 96 (21) -
14. Hoshina, Y.; Iwasaki, K.; Yamada, A.; Konagai, M. Jpn. J. of Appl. Phys. 2009, 48 (4S) 04C125
15. Conley, H. J.; Wang, B.; Ziegler, J. I.; Haglund, R. F.; Pantelides, S. T.; Bolotin, K. I. Nano Lett. 2013, 13 (8) 3626-3630
16. Sahin, H.; Tongay, S.; Horzum, S.; Fan, W.; Zhou, J.; Li, J.; Wu, J.; Peeters, F. M. Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 2013, 87 (16) 165409
17. Castellanos-Gomez, A.; Agraït, N.; Rubio-Bollinger, G. Appl. Phys. Lett. 2010, 96 (21) 213116
18. Benameur, M. M.; Radisavljevic, B.; Héron, J. S.; Sahoo, S.; Berger, H.; Kis, A. Nanotechnology 2011, 22 (12) 125706
19. Fang, H.; Battaglia, C.; Carraro, C.; Nemsak, S.; Ozdol, B.; Kang, J. S.; Bechtel, H. A.; Desai, S. B.; Kronast, F.; Unal, A. A.; Conti, G.; Conlon, C.; Palsson, G. K.; Martin, M. C.; Minor, A. M.; Fadley, C. S.; Yablonovitch, E.; Maboudian, R.; Javey, A. Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A. 2014, 111, 6198-6202
20. Luo, X.; Zhao, Y.; Zhang, J.; Toh, M.; Kloc, C.; Xiong, Q.; Quek, S. Y. Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 2013, 88, 195313
21. Kresse, G.; Hafner, J. Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 1993, 47, R558
22. Kresse, G.; Furthmüller, J. Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 1996, 54 (16) 11169-11186
23. Perdew, J. P.; Burke, K.; Ernzerhof, M. Phys. Rev. Lett. 1996, 77 (18) 3865-3868
24. Heyd, J.; Scuseria, G. E.; Ernzerhof, M. J. Chem. Phys. 2006, 124 (21) 9906
25. Hedin, L. Phys. Rev. 1965, 139 (3A) A796-A823
26. Shi, H.; Pan, H.; Zhang, Y.-W.; Yakobson, B. I. Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 2013, 87 (15) 155304
27. Cheiwchanchamnangij, T.; Lambrecht, W. R. L. Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 2012, 85 (20) 205302
28. Sze, S. M.; Ng, K. K. Physics of Semiconductor Devices; Wiley-VCH: Weinheim, Germany, 2006.