Cost-effective, transfer-free, flexible resistive random access memory using laser-scribed reduced graphene oxide patterning technology

Nano Letters

Volumn 14, Issue 6, 2014, Pages 3214-3219

  Tian, He ^a   Chen, Hong Yu ^b   Ren, Tian Ling ^a   Li, Cheng ^a   Xue, Qing Tang ^a   Mohammad, Mohammad Ali ^a   Wu, Can ^a   Yang, Yi ^a   Wong, H S Philip ^b  

^a TSINGHUA UNIVERSITY   (China)

^b Stanford University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COST EFFECTIVENESS; COSTS; GRAPHENE; NONVOLATILE STORAGE; PHOTORESISTS; TECHNOLOGY;

ELECTRICAL CHARACTERISTIC; FLEXIBLE ELECTRONIC SYSTEMS; PATTERNING TECHNOLOGY; REDUCED GRAPHENE OXIDES; REDUCED GRAPHENE OXIDES (RGO); RELIABILITY PERFORMANCE; RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY; RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (RERAM);

LASER APPLICATIONS;

GRAPHITE; OXIDE;

COMPUTER; LASER;

COMPUTERS; GRAPHITE; LASERS; OXIDES;

EID: 84902279660     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl5005916     Document Type: Article

References (34)

1. Geim, A. K.; Novoselov, K. S. Nat. Mater. 2007, 6, 183-191
2. Novoselov, K.; Fal, V.; Colombo, L.; Gellert, P.; Schwab, M.; Kim, K. Nature 2012, 490, 192-200
3. Bae, S.; Kim, H.; Lee, Y.; Xu, X.; Park, J.-S.; Zheng, Y.; Balakrishnan, J.; Lei, T.; Kim, H. R.; Song, Y. I. Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 574-578
4. Ryu, J.; Kim, Y.; Won, D.; Kim, N.; Park, J. S.; Lee, E. K.; Cho, D.; Cho, S. P.; Kim, S. J.; Ryu, G. H.; Shin, H. A. S.; Lee, Z.; Hong, B. H.; Cho, S. ACS Nano 2014, 8, 950-956
5. Gao, L.; Ni, G.-X.; Liu, Y.; Liu, B.; Neto, A. H. C.; Loh, K. P. Nature 2013, 505, 190-194
6. Lin, Y.-C.; Jin, C.; Lee, J.-C.; Jen, S.-F.; Suenaga, K.; Chiu, P.-W. ACS Nano 2011, 5, 2362-2368
7. Liang, X.; Sperling, B. A.; Calizo, I.; Cheng, G.; Hacker, C. A.; Zhang, Q.; Obeng, Y.; Yan, K.; Peng, H.; Li, Q. ACS Nano 2011, 5, 9144-9153
8. Wei, Z.; Wang, D.; Kim, S.; Kim, S.-Y.; Hu, Y.; Yakes, M. K.; Laracuente, A. R.; Dai, Z.; Marder, S. R.; Berger, C. Science 2010, 328, 1373-1376
9. Eda, G.; Fanchini, G.; Chhowalla, M. Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 270-274
10. Robinson, J. T.; Zalalutdinov, M.; Baldwin, J. W.; Snow, E. S.; Wei, Z.; Sheehan, P.; Houston, B. H. Nano Lett. 2008, 8, 3441-3445
11. El-Kady, M. F.; Strong, V.; Dubin, S.; Kaner, R. B. Science 2012, 335, 1326-1330
12. El-Kady, M. F.; Kaner, R. B. Nat. Commun. 2013, 4, 1475
13. Strong, V.; Dubin, S.; El-Kady, M. F.; Lech, A.; Wang, Y.; Weiller, B. H.; Kaner, R. B. ACS Nano 2012, 6, 1395-1403
14. Tian, H.; Shu, Y.; Cui, Y.-L.; Mi, W.-T.; Yang, Y.; Xie, D.; Ren, T.-L. Nanoscale 2013, 6, 699-705
15. Tian, H.; Yang, Y.; Xie, D.; Cui, Y.-L.; Mi, W.-T.; Zhang, Y.; Ren, T.-L. Sci. Rep. 2014, 4, 3598
16. Waser, R. Microelectron. Eng. 2009, 86, 1925-1928
17. Kund, M.; Beitel, G.; Pinnow, C.-U.; Rohr, T.; Schumann, J.; Symanczyk, R.; Ufert, K.-D.; Muller, G. IEEE Int. Electron Devices Meet. 2005, 754-757
18. Wong, H.-S.; Lee, H.-Y.; Yu, S.; Chen, Y.-S.; Wu, Y.; Chen, P.-S.; Lee, B.; Chen, F. T.; Tsai, M.-J. Proc. IEEE 2012, 100, 1951-1970
19. Govoreanu, B.; Kar, G.; Chen, Y.; Paraschiv, V.; Kubicek, S.; Fantini, A.; Radu, I.; Goux, L.; Clima, S.; Degraeve, R. IEEE Int. Electron Devices Meet. 2011, 31.6. 1-31.6. 4
20. Chen, H.-Y.; Yu, S.; Gao, B.; Huang, P.; Kang, J.; Wong, H.-S. P. IEEE Int. Electron Devices Meet. 2012, 20.7. 1-20.7. 4
21. Lee, M.-J.; Lee, C.; Kim, S.; Yin, H.; Park, J.; Ahn, S.; Kang, B.; Kim, K.; Stefanovich, G.; Song, I. IEEE Int. Electron Devices Meet. 2008, 1-4
22. Hong, A. J.; Song, E. B.; Yu, H. S.; Allen, M. J.; Kim, J.; Fowler, J. D.; Wassei, J. K.; Park, Y.; Wang, Y.; Zou, J. ACS Nano 2011, 5, 7812-7817
23. Tian, H.; Chen, H.-Y.; Gao, B.; Yu, S.; Liang, J.; Yang, Y.; Xie, D.; Kang, J.; Ren, T.-L.; Zhang, Y. Nano Lett. 2013, 13, 651-657
24. Yao, J.; Lin, J.; Dai, Y.; Ruan, G.; Yan, Z.; Li, L.; Zhong, L.; Natelson, D.; Tour, J. M. Nat. Commun. 2012, 3, 1101
25. Chen, H.-Y.; Tian, H.; Gao, B.; Yu, S.; Liang, J.; Kang, J.; Zhang, Y.; Ren, T.-L.; Wong, H.-S. P. IEEE Int. Electron Devices Meet. 2012, 20.5. 1-20.5. 4
26. Haemori, M.; Nagata, T.; Chikyow, T. Appl. Phys. Express 2009, 2, 1401
27. Russo, U.; Kamalanathan, D.; Ielmini, D.; Lacaita, A. L.; Kozicki, M. N. IEEE Trans. Electron Devices 2009, 56, 1040-1047
28. Miao, F.; Strachan, J. P.; Yang, J. J.; Zhang, M. X.; Goldfarb, I.; Torrezan, A. C.; Eschbach, P.; Kelley, R. D.; Medeiros-Ribeiro, G.; Williams, R. S. Adv. Mater. 2011, 23, 5633-5640
29. Tsuruoka, T.; Terabe, K.; Hasegawa, T.; Aono, M. Nanotechnology 2010, 21, 425205
30. Guan, W.; Liu, M.; Long, S.; Liu, Q.; Wang, W. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 223506
31. Yu, S.; Wong, H.-S. IEEE Trans. Electron Devices 2011, 58, 1352-1360
32. Li, Y.; Long, S.; Lv, H.; Liu, Q.; Wang, Y.; Zhang, S.; Lian, W.; Wang, M.; Zhang, K.; Xie, H. Nanotechnology 2011, 22, 254028
33. Chen, S.; Brown, L.; Levendorf, M.; Cai, W.; Ju, S.-Y.; Edgeworth, J.; Li, X.; Magnuson, C. W.; Velamakanni, A.; Piner, R. D. ACS Nano 2011, 5, 1321-1327
34. Hummers, W. S., Jr.; Offeman, R. E. J. Am. Chem. Soc. 1958, 80, 1339-1339