Dependence of field-effect mobility of graphene grown by thermal chemical vapor deposition on its grain size

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 52, Issue 11 PART 1, 2013, Pages

  Yagi, Katsunori ^a   Yamada, Ayaka ^a   Hayashi, Kenjiro ^a   Harada, Naoki ^a   Sato, Shintaro ^a   Yokoyama, Naoki ^a  

^a NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY AIST   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOR DEPOSITIONS (CVD); DARK-FIELD TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; FIELD-EFFECT MOBILITIES; GROWTH TIME; INTER-GRAIN; LOW MOBILITY; LOW PARTIAL PRESSURES; THERMAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION;

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; GRAIN BOUNDARIES; GRAPHENE; PARTIAL PRESSURE; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; VAPORS;

GRAIN SIZE AND SHAPE;

EID: 84889042855     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.7567/JJAP.52.110106     Document Type: Article

References (33)

1. A. K. Geim and K. S. Novoselov: Nat. Mater. 6 (2007) 183.
2. K. I. Bolotin, K. J. Sikes, Z. Jiang, M. Klima, G. Fudenberg, J. Hone, P. Kim, and H. L. Stormer: Solid State Commun. 146 (2008) 351.
3. C. R. Dean, A. F. Young, I. Meric, C. Lee, L. Wang, S. Sorgenfrei, K. Watanabe, T. Taniguchi, P. Kim, K. L. Shepard, and J. Hone: Nat. Nanotechnol. 5 (2010) 722.
4. S. V. Morozov, K. S. Novoselov, M. I. Katsnelson, F. Schedin, D. C. Elias, J. A. Jaszczak, and A. K. Geim: Phys. Rev. Lett. 100 (2008) 016602.
5. A. S. Mayorov, R. V. Gorbachev, S. V. Morozov, L. Britnell, R. Jalil, L. A. Ponomarenko, P. Blake, K. S. Novoselov, K. Watanabe, T. Taniguchi, and A. K. Geim: Nano Lett. 11 (2011) 2396.
6. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov: Science 306 (2004) 666.
7. Q. Yu, J. Lian, S. Siriponglert, H. Li, Y. P. Chen, and S.-S. Pei: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 113103.
8. X. S. Li, W. W. Cai, J. H. An, S. Kim, J. Nah, D. X. Yang, R. Piner, A. Velamakanni, I. Jung, E. Tutuc, S. K. Banerjee, L. Colombo, and R. S. Ruoff: Science 324 (2009) 1312.
9. D. Kondo, S. Sato, K. Yagi, N. Harada, M. Sato, M. Nihei, and N. Yokoyama: Appl. Phys. Express 3 (2010) 025102.
10. S. Sato, K. Yagi, D. Kondo, K. Hayashi, A. Yamada, N. Harada, and N. Yokoyama: ECS Trans. 35 [3] (2011) 219.
11. S. Bae, H. Kim, Y. Lee, X. Xu, J.-S. Park, Y. Zheng, J. Balakrishnan, T. Lei, H. R. Kim, Y. I. Song, Y.-J. Kim, K. S. Kim, B. Özyilmaz, J.-H. Ahn, B. H. Hong, and S. Iijima: Nat. Nanotechnol. 5 (2010) 574.
12. K. Kim, Z. Lee, W. Regan, C. Kisielowski, M. F. Crommie, and A. Zettl: ACS Nano 5 (2011) 2142.
13. P. Y. Huang, C. S. Ruiz-Vargas, A. M. van der Zande, W. S. Whitney, M. P. Levendorf, J. W. Kevek, S. Garg, J. S. Alden, C. J. Hustedt, Y. Zhu, J. Park, P. L. McEuen, and D. A. Muller: Nature 469 (2011) 389.
14. O. V. Yazyev and S. G. Louie: Nat. Mater. 9 (2010) 806.
15. N. M. R. Peres, F. Guinea, and A. H. Castro Neto: Phys. Rev. B 73 (2006) 125411.
16. D. Van Tuan, J. Kotakoski, T. Louvet, F. Ortmann, J. C. Meyer, and S. Roche: Nano Lett. 13 (2013) 1730.
17. Q. Yu, L. A. Jauregui, W. Wu, R. Colby, J. Tian, Z. Su, H. Cao, Z. Liu, D. Pandey, D. Wei, T. F. Chung, P. Peng, N. P. Guisinger, E. A. Stach, J. Bao, S.-S. Pei, and Y. P. Chen: Nat. Mater. 10 (2011) 443.
18. H. S. Song, S. L. Li, H. Miyazaki, S. Sato, K. Hayashi, A. Yamada, N. Yokoyama, and K. Tsukagoshi: Sci. Rep. 2 (2012) 337.
19. A. W. Tsen, L. Brown, M. P. Levendorf, F. Ghahari, P. Y. Huang, R. W. Havener, C. S. Ruiz-Vargas, D. A. Muller, P. Kim, and J. Park: Science 336 (2012) 1143.
20. A. Reina, X. Jia, J. Ho, D. Nezich, H. Son, V. Bulovic, M. S. Dresselhaus, and J. Kong: Nano Lett. 9 (2009) 30.
21. H. Kim, C. Mattevi, M. R. Calvo, J. C. Oberg, L. Artiglia, S. Agnoli, C. F. Hirjibehedin, M. Chhowalla, and E. Saiz: ACS Nano 6 (2012) 3614.
22. H. Mehdipour and K. Ostrikov: ACS Nano 6 (2012) 10276.
23. X. Li, C. W. Magnuson, A. Venugopal, J. An, J. W. Suk, B. Han, M. Borysiak, W. Cai, A. Velamakanni, Y. Zhu, L. Fu, E. M. Vogel, E. Voelkl, L. Colombo, and R. S. Ruoff: Nano Lett. 10 (2010) 4328.
24. S. Nie, J. M. Wofford, N. C. Bartelt, O. D. Dubon, and K. F. McCarty: Phys. Rev. B 84 (2011) 155425.
25. J. M. Wofford, S. Nie, K. F. McCarty, N. C. Bartelt, and O. D. Dubon: Nano Lett. 10 (2010) 4890.
26. G. H. Han, F. Güneş, J. J. Bae, E. S. Kim, S. J. Chae, H.-J. Shin, J.-Y. Choi, D. Pribat, and Y. H. Lee: Nano Lett. 11 (2011) 4144.
27. K. Hayashi, S. Sato, M. Ikeda, C. Kaneta, and N. Yokoyama: J. Am. Chem. Soc. 134 (2012) 12492.
28. K. Hayashi, S. Sato, and N. Yokoyama: Nanotechnology 24 (2013) 025603.
29. A. Pirkle, J. Chan, A. Venugopal, D. Hinojos, C. W. Magnuson, S. McDonnell, L. Colombo, E. M. Vogel, R. S. Ruoff, and R. M. Wallace: Appl. Phys. Lett. 99 (2011) 122108.
30. M. Lafkioti, B. Krauss, T. Lohmann, U. Zschieschang, H. Klauk, K. v. Klitzing, and J. H. Smet: Nano Lett. 10 (2010) 1149.
31. P. A. Khomyakov, G. Giovannetti, P. C. Rusu, G. Brocks, J. van den Brink, and P. J. Kelly: Phys. Rev. B 79 (2009) 195425.
32. B. Uchoa, C.-Y. Lin, and A. H. Castro Neto: Phys. Rev. B 77 (2008) 035420.
33. F. Xia, V. Perebeinos, Y. Lin, Y. Wu, and P. Avouris: Nat. Nanotechnol. 6 (2011) 179.