Eliminating surface effects via employing nitrogen doping to significantly improve the stability and reliability of ZnO resistive memory

Journal of Materials Chemistry C

Volumn 1, Issue 45, 2013, Pages 7593-7597

  Huang, Teng Han ^a   Yang, Po Kang ^a   Chang, Wen Yuan ^a   Chien, Jui Fen ^a   Kang, Chen Fang ^a   Chen, Miin Jang ^a   He, Jr Hau ^a  

^a NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

METASTABILITIES; NITROGEN-DOPING; OXYGEN CHEMISORPTION; PERFORMANCE DEGRADATION; RESISTIVE MEMORY; STABILITY AND RELIABILITIES; SWITCHING BEHAVIORS; THERMAL ACTIVATION;

SURFACE DEFECTS; ZINC OXIDE;

NITROGEN;

EID: 84887094470     PISSN: 20507534     EISSN: 20507526     Source Type: Journal    
DOI: 10.1039/c3tc31542h     Document Type: Article

References (26)

1. C. Y. Chen C. A. Lin J. H. He Nanotechnology 2009 20 185605
2. J. H. He C. H. Ho C. Y. Chen Nanotechnology 2009 20 065503
3. M. W. Allen S. M. Durbin Appl. Phys. Lett. 2008 92 122110
4. C. Y. Chen J. R. D. Retamal D. H. Lien M. W. Chen I. W. Wu Y. Ding Y. L. Chueh C. I. Wu J. H. He ACS Nano 2012 6 9366
5. C. Y. Chen M. W. Chen J. J. Ke C. A. Lin J. R. D. Retamal J. H. He Pure Appl. Chem. 2010 82 2055
6. Z. Fan D. Wang P. C. Chang W. Y. Tseng J. G. Lu Appl. Phys. Lett. 2004 85 5923
7. M. W. Chen C. Y. Chen D. H. Lien Y. Ding J. H. He Opt. Express 2010 18 14836
8. C. Soci A. Zhang B. Xiang S. A. Dayeh D. P. R. Aplin J. Park X. Y. Bao Y. H. Lo D. Wang Nano Lett. 2007 7 1003
9. M. W. Chen J. R. D. Retamal C. Y. Chen J. H. He IEEE Electron Device Lett. 2012 33 411
10. P. C. Chen G. Shen C. Zhou IEEE Trans. Nanotechnol. 2008 7 668
11. J.-S. Park J. K. Jeong H.-J. Chung Y.-G. Mo H. D. Kim Appl. Phys. Lett. 2008 92 072104
12. C. H. Huang J. S. Huang S. M. Lin W. Y. Chang J. H. He Y. L. Chueh ACS Nano 2012 6 8407
13. W. Y. Chang C. A. Lin J. H. He T. B. Wu Appl. Phys. Lett. 2010 96 242109
14. J. J. Ke Z. J. Liu C. F. Kang S. J. Lin J. H. He Appl. Phys. Lett. 2011 99 192106
15. N. Xu L. Liu X. Sun X. Liu D. Han Y. Wang R. Han J. Kang B. Yu Appl. Phys. Lett. 2008 92 232112
16. R. Waser R. Dittmann G. Staikov K. Szot Adv. Mater. 2009 21 2632
17. S. Yu X. Guan H.-S. P. Wong IEEE Trans. Electron Devices 2012 59 1183
18. Y. S. Chen H. Y. Lee P. S. Chen P. Y. Gu C. W. Chen W. P. Lin W. H. Liu Y. Y. Hsu S. S. Sheu P. C. Chiang W. S. Chen F. T. Chen C. H. Lien M. J. Tsai IEDM Tech. Dig. 2009 1
19. Y. Otani D. C. Gilmer H. Park O. Junko N. Yamaguchi T. Nakagawa P. D. Kirsch R. Jammy Tech. Dig.-Symp. VLSI Tech. 2011 1
20. B. Gao W. Y. Chang B. Sun H. W. Zhang L. F. Liu X. Y. Liu R. Q. Han T. B. Wu J. F. Kang Tech. Dig.-Symp. VLSI Tech. 2010 144
21. Y. S. Chen T. Y. Wu P. J. Tzeng P. S. Chen H. Y. Lee C. H. Lin F. T. Chen M.-J. Tsai Tech. Dig.-Symp. VLSI Tech. 2009 36
22. M. Li F. Zhuge X. Zhu K. Yin J. Wang Y. Liu C. He B. Chen R. W. Li Nanotechnology 2010 21 425202
23. Y. Y. Chen R. Degraeve S. Clima B. Govoreanu L. Goux A. Fantini G. S. Kar G. Pourtois G. Groeseneken D. J. Wouters M. Jurczak IEDM Tech. Dig. 2012 482
24. P. Fons H. Tampo A. V. Kolobov M. Ohkubo S. Niki J. Tominaga R. Carboni F. Boscherini S. Friedrich Phys. Rev. Lett. 2006 96 045504
25. S. J. Lim S.-J. Kwon H. Kim Appl. Phys. Lett. 2007 91 183517
26. P.-T. Liu Y.-T. Chou L.-F. Teng F.-H. Li H.-P. Shieh Appl. Phys. Lett. 2011 98 052102