Self-induced gate dielectric for graphene field-effect transistor

ACS Applied Materials and Interfaces

Volumn 5, Issue 14, 2013, Pages 6443-6446

  Thiyagarajan, Kaliannan ^a   Saravanakumar, Balasubramaniam ^a   Mohan, Rajneesh ^a   Kim, Sang Jae ^a  

^a Jeju National University   (South Korea)

Author keywords

field effect transistors; graphene; self induced; surface oxygen; ZnO microwire

Indexed keywords

ELECTRONIC CHARACTERISTICS; GATE-CHANNEL CAPACITANCE; GRAPHENE FIELD-EFFECT TRANSISTORS; LITHOGRAPHIC PROCESS; MICROWIRE; PERFORMANCE DEGRADATION; SELF-INDUCED; SURFACE OXYGEN;

FIELD EFFECT TRANSISTORS; GATE DIELECTRICS; OXYGEN; ZINC OXIDE;

GRAPHENE;

EID: 84880825715     PISSN: 19448244     EISSN: 19448252     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/am401219x     Document Type: Article

References (25)

1. Schwierz, F. Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 487-496
2. Schedin, F.; Geim, A. K.; Morozov, S. V.; Hill, E. W.; Blake, P.; Katsnelson, M. I.; Novoselov, K. S. Nat. Mater. 2007, 6, 652-655
3. Novoselov, K. S.; Geim, A. K.; Morozov, S. V; Jiang, D.; Zhang, Y.; Dubonos, S. V.; Grigorieva, I. V.; Firsov, A. A. Science 2004, 306, 666-669
4. Novoselov, K. S.; Geim, A. K.; Morozov, S. V.; Jiang, D.; Katsnelson, M. I.; Grigorieva, I. V.; Dubonos, S. V.; Firsov, A. A. Nature 2005, 438, 197-200
5. Zhang, Y. B.; Tan, Y. W.; Stormer, H. L.; Kim, P. Nature 2005, 438, 201-204
6. Tan, Y. W.; Zhang, Y.; Stormer, H. L.; Kim, P. Eur. Phys. J. Spec. Top. 2007, 148, 15-18
7. Morozov, S. V.; Novoselov, K. S.; Katsnelson, M. I.; Schedin, F.; Elias, D. C.; Jaszczak, J. A.; Geim, A. K. Phys. Rev. Lett. 2008, 100, 016602-1-016602-4
8. Hahnlein, B.; Handel, B.; Pezoldt, J.; Topfer, H.; Granzner, R.; Schwierz, F. Appl. Phys. Lett. 2012, 101, 093504-1-093504-3
9. Meric, I.; Han, M. Y.; Young, A. F.; Ozyilmaz, B.; Kim, P.; Shepard, K. Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 654-659
10. Kim, S.; Nah, J.; Jo, I.; Shahrjerdi, D.; Colombo, L.; Yao, Z.; Tutuc, E.; Banerjee, S. K. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 062107-1-062107-3
11. Liao, L.; Duan, X. Mater. Sci. Eng. R 2010, 70, 354-370
12. Liao, L.; Bai, J.; Lin, Y. C.; Qu, Y.; Huang, Y.; Duan, X. Adv. Mater. 2010, 22, 1941-1945
13. Lin, Y. M.; Chiu, H. Y.; Jenkins, K. A.; Farmer, D. B.; Avouris, P.; Valdes-Garcia, A. IEEE Electron Device Lett. 2010, 31, 68-70
14. Lemme, M. C.; Echtermeyer, T. J.; Baus, M.; Kurz, H. IEEE Electron Device Lett. 2007, 28, 282-284
15. Liao, L.; Lin, Y.-C.; Bao, M.; Cheng, R.; Bai, J.; Liu, Y.; Qu, Y.; Wang, K-L.; Huang, Yu.; Duan, X. Nature 2010, 467, 305-308
16. Liao, Z.-M.; Lv, Z.-K.; Zhou, Y.-B.; Xu, J.; Zhang, J.-M.; Yu, D.-P. Nanotechnology 2008, 19, 335204-1-335204-4
17. Kaschner, A.; Haboeck, U.; Strassburg, M.; Kaczmarzyk, G.; Hoffmann, A.; Thomsen, C.; Zeuner, A.; Alves, H. R.; Hofmann, D. M.; Meyer, B. K. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 1909-1911
18. Chai, G. Y.; Lupan, O.; Rusu, E. V.; Stratan, G. I.; Ursaki, V. V.; Sontea, V.; Khallaf, H.; Chow, L. Sens. Actuators A 2012, 176, 64-71
19. Chai, G. Y.; Chowa, L.; Lupan, O.; Rusud, E.; Stratan, G. I.; Heinrich, H.; Ursaki, V. V.; Tiginyanu, I. M. Solid State Sci. 2011, 13, 1205-1210
20. Liao, Z. M.; Zhang, H. Z.; Zhou, Y. B.; Xu, J.; Zhang, J. M.; Yu, D. P. Phys. Lett. A 2008, 372, 4505-4509
21. Vanheusden, K.; Warren, W. L.; Seager, C. H.; Tallant, D. R.; Voigt, J. A.; Gnade, B. E. J. Appl. Phys. 1996, 79, 7983-7990
22. Liao, Z. M.; Liu, K. J.; Zhang, J. M.; Xu, J.; Yu, D. P. Phys.Lett. A 2007, 367, 207-210
23. Liao, L.; Bai, J.; Qu, Y.; Lin, Y.-C.; Li, Y.; Huang, Y.; Duan, X. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A 2010, 107, 6711-6715
24. Wang, Y.; Huang, B.-C.; Zhang, M.; Miao, C.; Xie, Y.-H.; Woo, J. C. S. ISRN Electronics 2012, 2012, 891480-1-891480-7
25. Adam, S.; Hwang, E. H.; Galitski, V. M.; Das Sarma, S. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A 2007, 104, 18392-18397