Effects of rapid thermal annealing on Hf-doped ZnO films grown by atomic layer deposition

Journal of Alloys and Compounds

Volumn 577, Issue , 2013, Pages 340-344

  Zhu, Shang Bin ^a   Geng, Yang ^a   Lu, Hong Liang ^a   Zhang, Yuan ^a   Sun, Qing Qing ^a   Ding, Shi Jin ^a   Zhang, David Wei ^a  

^a FUDAN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

ALD; Hf doped ZnO; Rapid thermal annealing

Indexed keywords

ANNEALING; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CARRIER CONCENTRATION; CRYSTAL ATOMIC STRUCTURE; DEPOSITION; HAFNIUM; LATTICE CONSTANTS; OXIDE FILMS; PHOTOLUMINESCENCE; RAPID THERMAL ANNEALING; SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY; THIN FILMS; X RAY DIFFRACTION; ZINC OXIDE;

ANNEALING TEMPERATURES; DIFFRACTION PEAKS; DOPED ZINC OXIDES; HALL EFFECT MEASUREMENT; HF-DOPED; PHOTOLUMINESCENCE BANDS; RAPID THERMAL ANNEALING (RTA); SI (100) SUBSTRATE;

ATOMIC LAYER DEPOSITION;

EID: 84879834193     PISSN: 09258388     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.jallcom.2013.05.181     Document Type: Article

References (28)

1. U. Ozgur, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S. J. Cho, H. J. Morkoc, Appl. Phys. 98 (2005) 041301.
2. F. K. Shan, G. X. Liu, W. J. Lee, B. C. J. Shin, Appl. Phys. 101 (2007) 053106.
3. H. Nanto, T. Minami, S. Shooji, S. J. Takata, Appl. Phys. 55 (1987) 1029.
4. A. V. Singh, R. M. Mehra, N. Buthrath, A. Wakahara, A. J. Yoshida, Appl. Phys. 90 (2001) 5661.
5. T. Minami, T. Yamamoto, T. Miyata, Thin Solid Films 373 (2000) 189.
6. M. P. Taylor, D. W. Readey, M. F. A. M. Van Hest, C. W. Teplin, J. L. Alleman, M. S. Dabney, L. M. Gedvilas, B. M. Keyes, B. To, J. D. Perkins, D. S. Ginley, Adv. Funct. Mater. 18 (2008) 3169.
7. V. Bhosle, A. Tiwari, J. Narayan, Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 032106.
8. N. Jun-ichi, M. Konagai, K. Okada, T. Ito, T. Miyata, T. Minami, Thin Solid Films 518 (2010) 2937.
9. J. Zhong, S. Muthukumar, Y. Chen, Y. Lu, H. M. Ng, W. Jiang, E. L. Garfunkel, Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 3401.
10. H. Sato, T. Minami, S. Takata, J. Vac. Sci. Technol. A 11 (1993) 2975.
11. W. S. Kim, Y. K. Moon, K. T. Kim, S. Y. Shin, B. D. Ahn, J. H. Lee, J. W. Park, Electrochem. Solid-State Lett. 13 (2010) H295.
12. W. H. Jeong, G. H. Kim, S. Y. Shin, B. D. Ahn, H. J. Kim, Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 093503.
13. C. T. Chou, P. W. Yu, M. H. Tseng, C. C. Hsu, J. J. Shyue, C. C. Wang, F. Y. Tsai, Adv. Mater. 25 (2013) 1750.
14. S. M. George, Chem. Rev. 110 (2010) 111.
15. G. N. Parsons, S. M. George, M. Knez, MRS Bull. 36 (2011) 865.
16. Y. Geng, Z. Y. Xie, W. Yang, S. S. Xu, Q. Q. Sun, S. J. Ding, H. L. Lu, D. W. Zhang, Surf. Coat. Technol. (2013). http://www.sciencedirect.com/science/ article/pii/S0257897213004040.
17. X. T. Zhou, D. M. Jiang, F. T. Lin, X. M. Ma, W. Z. Shi, Physica B 403 (2008) 115.
18. C. H. Ahn, J. H. Kim, H. K. J. Cho, Electrochem. Soc. 159 (2012) H384.
19. Rao T. Prasada, Kumar M. C. Santhosh, N. Sooraj Hussain, J. Alloys Comp. 541 (2012) 495.
20. Jen-Po Lin, Jenn-Ming Wu, Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 134103.
21. S. Y. Pung, K. L. Choy, X. Hou, C. X. Shan, Nanotechnology 19 (2008) 435609.
22. H. Yuan, B. Luo, J. Vac. Sci. Technol. A 30 (01) (2012) A138.
23. C. K. Lee, E. Cho, H. S. Lee, C. S. Hwang, S. Han, Phys. Rev. B 78 (2008) 012102.
24. R. D. Vispute, V. Talyansky, S. Choopun, R. P. Sharma, T. Venkatesan, M. He, X. Tang, J. B. Halpern, M. G. Spencer, Y. X. Li, L. G. Salamanca-Riba, A. A. Iliadis, K. A. Jones, Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 348.
25. D. F. Paraguay, L. W. Estrada, N. D. R. Acosta, E. Andrade, M. Miki-Yoshida, Thin Solid Films 350 (1999) 192.
26. Y. Geng, Z. Y. Xie, S. S. Xu, Q. Q. Sun, S. J. Ding, H. L. Lu, D. W. Zhang, ECS J. Solid State Sci. Technol. 1 (2012) N45.
27. K. K. Kim, S. Niki, J. Y. Oh, J. O. Song, T. Y. Seong, S. J. Park, S. Fujita, S. W. Kim, J. Appl. Phys. 97 (2005) 066103.
28. P. Sagar, P. K. Shishodia, R. M. Mehra, H. Okada, A. Wakahara, A. Yoshida, J. Lumin. 126 (2007) 800.