Vertical graphene-base hot-electron transistor

Nano Letters

Volumn 13, Issue 6, 2013, Pages 2370-2375

  Zeng, Caifu ^a   Song, Emil B ^a,b   Wang, Minsheng ^a   Lee, Sejoon ^a,c   Torres, Carlos M ^a   Tang, Jianshi ^a   Weiller, Bruce H ^b   Wang, Kang L ^a  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^b AEROSPACE CORPORATION   (United States)

^c Dongguk University   (South Korea)

Author keywords

current gain; Graphene; graphene base; graphene heterostructure; hot electron transistor; on off ratio

Indexed keywords

ELECTRONS; GRAPHENE TRANSISTORS; HAFNIUM OXIDES; HOT ELECTRONS; SILICA;

BASE CURRENTS; COMMON-BASE; CURRENT GAINS; CURRENT SATURATION; GRAPHENE BASE; GRAPHENE HETEROSTRUCTURE; HOT ELECTRON TRANSISTORS; MATERIALS PARAMETERS; ON-OFF RATIO; STRUCTURE PARAMETER;

GRAPHENE;

EID: 84879110657     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl304541s     Document Type: Article

References (30)

1. Bolotin, K. I.; Sikes, K. J.; Hone, J.; Stormer, H. L.; Kim, P. Phys. Rev. Lett. 2008, 101 (9) 096802
2. Li, X.; Cai, W.; An, J.; Kim, S.; Nah, J.; Yang, D.; Piner, R.; Velamakanni, A.; Jung, I.; Tutuc, E.; Banerjee, S. K.; Colombo, L.; Ruoff, R. S. Science 2009, 324 (5932) 1312-1314
3. Novoselov, K. S.; Geim, A. K.; Morozov, S. V.; Jiang, D.; Zhang, Y.; Dubonos, S. V.; Grigorieva, I. V.; Firsov, A. A. Science 2004, 306 (5696) 666-669
4. Liao, L.; Lin, Y.-C.; Bao, M.; Cheng, R.; Bai, J.; Liu, Y.; Qu, Y.; Wang, K. L.; Huang, Y.; Duan, X. Nature 2010, 467 (7313) 305-308
5. Wu, Y.; Lin, Y.-m.; Bol, A. A.; Jenkins, K. A.; Xia, F.; Farmer, D. B.; Zhu, Y.; Avouris, P. Nature 2011, 472 (7341) 74-78
6. Chen, J.-H.; Jang, C.; Xiao, S.; Ishigami, M.; Fuhrer, M. S. Nat. Nanotechnol. 2008, 3 (4) 206-209
7. Chen, J. H.; Jang, C.; Adam, S.; Fuhrer, M. S.; Williams, E. D.; Ishigami, M. Nat. Phys. 2008, 4 (5) 377-381
8. Schwierz, F. Nat. Nanotechnol. 2010, 5 (7) 487-496
9. Mead, C. A. In The Tunnel-Emission Amplifier; Proceedings of the Institute of Radio Engineers; Institute of Radio Engineers: New York, 1960; Vol. 48, Issue 3, pp 359-361.
10. Shannon, J. M. IEE J. Solid-State Electron Devices 1979, 3 (5) 142-144
11. Heiblum, M.; Thomas, D. C.; Knoedler, C. M.; Nathan, M. I. Surf. Sci. 1986, 174 (1-3) 478-480
12. Moise, T. S.; Kao, Y. C.; Seabaugh, A. C. Appl. Phys. Lett. 1994, 64 (9) 1138-1140
13. Evers, N.; Laskar, J.; Jokerst, N. M.; Moise, T. S.; Kao, Y. C. Appl. Phys. Lett. 1997, 70 (18) 2452-2454
14. Heiblum, M. Solid-State Electron. 1981, 24 (4) 343-366
15. Heiblum, M. Solid-State Electron. 1988, 31 (3-4) 617-618
16. Mehr, W.; Dabrowski, J.; Scheytt, J. C.; Lippert, G.; Xie, Y.-H..; Lemme, M. C.; Ostling, M.; Lupina, G. IEEE Electron Device Lett. 2012, 33 (5) 691-693
17. Kong, B. D.; Zeng, C.; Gaskill, D. K.; Wang, K. L.; Kim, K. W. Appl. Phys. Lett. 2012, 101 (26) 263112
18. Vaziri, S.; Lupina, G.; Henkel, C.; Smith, A. D.; Ostling, M.; Dabrowski, J.; Lippert, G.; Mehr, W.; Lemme, M. C. Nano Lett. 2013, 13 (4) 1435-1439
19. Rasool, H. I.; Song, E. B.; Allen, M. J.; Wassei, J. K.; Kaner, R. B.; Wang, K. L.; Weiller, B. H.; Gimzewski, J. K. Nano Lett. 2010, 11 (1) 251-256
20. Rasool, H. I.; Song, E. B.; Mecklenburg, M.; Regan, B. C.; Wang, K. L.; Weiller, B. H.; Gimzewski, J. K. J. Am. Chem. Soc. 2011, 133 (32) 12536-12543
21. Suk, J. W.; Kitt, A.; Magnuson, C. W.; Hao, Y.; Ahmed, S.; An, J.; Swan, A. K.; Goldberg, B. B.; Ruoff, R. S. ACS Nano 2011, 5 (9) 6916-6924
22. Heiblum, M.; Fischetti, M. V. IBM J. Res. Dev. 1990, 34 (4) 530-549
23. Gruhle, A.; Kibbel, H.; Mahner, C.; Mroczek, W. IEEE Trans. Electron Devices 1999, 46 (7) 1510-1513
24. Wallace, P. R. Phys. Rev. 1947, 71 (9) 622-634
25. Robertson, J. J. Vac. Sci. Technol. B 2000, 18 (3) 1785-1791
26. Yu, Y.-J.; Zhao, Y.; Ryu, S.; Brus, L. E.; Kim, K. S.; Kim, P. Nano Lett. 2009, 9 (10) 3430-3434
27. Das, A.; Pisana, S.; Chakraborty, B.; Piscanec, S.; Saha, S. K.; Waghmare, U. V.; Novoselov, K. S.; Krishnamurthy, H. R.; Geim, A. K.; Ferrari, A. C.; Sood, A. K. Nat. Nanotechnol. 2008, 3 (4) 210-215
28. Osburn, C. M.; Kim, I.; Han, S. K.; De, I.; Yee, K. F.; Gannavaram, S.; Lee, S. J.; Lee, C. H.; Luo, Z. J.; Zhu, W.; Hauser, J. R.; Kwong, D. L.; Lucovsky, G.; Ma, T. P.; Ozturk, M. C. IBM J. Res. Dev. 2002, 46 (2.3) 299-315
29. Han, M. Y.; Ozyilmaz, B.; Zhang, Y.; Kim, P. Phys. Rev. Lett. 2007, 98 (20) 206805
30. Li, X.; Wang, X.; Zhang, L.; Lee, S.; Dai, H. Science 2008, 319 (5867) 1229-1232