Amorphous InGaZnO ultraviolet phototransistors with double-stack Ga 2O3/SiO2 dielectric

Applied Physics Letters

Volumn 102, Issue 22, 2013, Pages

  Chang, T H ^a   Chiu, C J ^a   Chang, S J ^a   Tsai, T Y ^a   Yang, T H ^a   Huang, Z D ^a   Weng, W Y ^a  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHOUS INGAZNO; AMORPHOUS-INDIUM GALLIUM ZINC OXIDES; ELECTRICAL PERFORMANCE; FOWLER-NORDHEIM TUNNELING; HIGH MOBILITY; INTER-LAYER DIELECTRICS; PHOTOGENERATED CARRIERS; RESPONSIVITY;

AMORPHOUS SEMICONDUCTORS; ELECTRIC FIELDS; GATE DIELECTRICS; PHOTOTRANSISTORS;

GALLIUM;

EID: 84879081825     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4808164     Document Type: Article

References (15)

1. T. Iwasaki, N. Itagaki, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 90, 242114 (2007) 10.1063/1.2749177.
2. C. J. Kim, S. Kim, J. H. Lee, J. S. Park, J. Park, E. Lee, J. Lee, Y. Park, J. H. Kim, S. T. Shin, and U. I. Chung, Appl. Phys. Lett. 95, 252103 (2009) 10.1063/1.3275801.
3. C. H. Wu, K. M. Chang, S. H. Huang, I. C. Deng, C. J. Wu, W. H. Chiang, and C. C. Chang, IEEE Electron Device Lett. 33, 552 (2012). 10.1109/LED.2012. 2185774
4. L. Y. Su, H. K. Lin, C. C. Hung, and J. J. Huang, J. Disp. Technol. 8, 695 (2012). 10.1109/JDT.2012.2217728
5. C. J. Chiu, S. P. Chang, and S. J. Chang, IEEE Electron Device Lett. 31, 1245 (2010).
6. L. Y. Su, H. Y. Lin, H. K. Lin, S. L. Wang, L. H. Peng, and J. J. Huang, IEEE Electron Device Lett. 32, 1245 (2011). 10.1109/LED.2011.2160931
7. C. J. Chiu, W. Y. Weng, S. J. Chang, S. P. Chang, and T. H. Chang, IEEE Sens. J. 11, 2902 (2011). 10.1109/JSEN.2011.2146770
8. M. Passlack, E. F. Schubert, W. S. Hobson, M. Hong, N. Moriya, S. N. G. Chu, K. Konstadinidis, J. P. Mannaerts, M. L. Schnoes, and G. J. Zydzik, J. Appl. Phys. 77, 686 (1995). 10.1063/1.359055
9. D. J. Fu, Y. H. Kwon, T. W. Kang, C. J. Park, K. H. Baek, H. Y. Cho, D. H. Shin, C. H. Lee, and K. S. Chung, Appl. Phys. Lett. 80, 446 (2002). 10.1063/1.1436279
10. W. Y. Weng, T. J. Hsueh, S. J. Chang, G. J. Huang, and H. T. Hsueh, IEEE Sens. J. 11, 999 (2011). 10.1109/JSEN.2010.2062176
11. J. B. Varley, J. R. Weber, A. Janotti, and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 97, 142106 (2010) 10.1063/1.3499306.
12. T. H. Chang, C. J. Chiu, W. Y. Weng, S. J. Chang, T. Y. Tsai, and Z. D. Huang, Appl. Phys. Lett. 101, 261112 (2012) 10.1063/1.4773307.
13. K. H. Choi and H. K. Kim, Appl. Phys. Lett. 102, 052103 (2013) 10.1063/1.4790357.
14. R. S. Yan, Q. Zhang, W. Li, I. Calizo, T. Shen, C. A. Richter, A. R. Hight-Walker, X. L. Liang, A. Seabaugh, D. Jena, H. G. Xing, D. J. Gundlach, and N. V. Nguyen, Appl. Phys. Lett. 101, 022105 (2012) 10.1063/1.4734955.
15. K. Roy, S. Mukhopadhyay, and H. Mahmoodi-Meimand, Proc. IEEE 91, 305 (2003). 10.1109/JPROC.2002.808156