Highly improved uniformity in the resistive switching parameters of TiO2 thin films by inserting Ru nanodots

Advanced Materials

Volumn 25, Issue 14, 2013, Pages 1987-1992

  Yoon, Jung Ho ^a   Han, Jeong Hwan ^a   Jung, Ji Sim ^a   Jeon, Woojin ^a   Kim, Gun Hwan ^a   Song, Seul Ji ^a   Seok, Jun Yeong ^a   Yoon, Kyung Jean ^a   Lee, Min Hwan ^b   Hwang, Cheol Seong ^a  

^a Seoul National University   (South Korea)

^b University of California   (United States)

Author keywords

nanodots; resistive switching memory; thin films; uniformity

Indexed keywords

ELECTRIC-FIELD DISTRIBUTION; KEY FACTORS; MEMORY CELL; NANODOTS; NONUNIFORMITY; RESISTIVE SWITCHING; RESISTIVE SWITCHING MEMORY; UNIFORMITY;

MATERIALS SCIENCE; MECHANICAL PROPERTIES;

THIN FILMS;

EID: 84876059408     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201204572     Document Type: Article

References (22)

1. R. Waser, M. Aono, Nat. Mater. 2007, 6, 833.
2. D. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart, R. S. Williams, Nature 2008, 453, 80.
3. R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, K. Szot, Adv. Mater. 2009, 21, 2632.
4. J. Borghetti, G. S. Snider, P. J. Kuekes, J. J. Yang, D. R. Stewart, R. S. Williams, Nature 2010, 464, 873.
5. A. Sawa, Mater. Today 2008, 11, 28.
6. D.-H. Kwon, K. M. Kim, J. H. Jang, J. M. Jeon, M. H. Lee, G. H. Kim, X.-S. Li, G.-S. Park, B. Lee, S. Han, M. Kim, C. S. Hwang, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 148.
7. M. J. Lee, S. Seo, D. C. Kim, S. E. Ahn, D. H. Seo, I. K. Yoo, I. G. Baek, D. S. Kim, I. S. Byun, S. H. Kim, I. R. Hwang, J. S. Kim, S. H. Jeon, B. H. Park, Adv. Mater. 2007, 19, 73.
8. J. P. Strachan, M. D. Pickett, J. J. Yang, S. Aloni, A. L. D. Kilcoyne, G. Medeiros-Ribeiro, R. S. Williams, Adv. Mater. 2010, 22, 32.
9. Y. Yang, P. Gao, S. Gaba, T. Chang, X. Pan, W. Lu, Nat. Commun. 2012, 3, 732.
10. G. S. Park, X. Li, D. Kim, R. Jung, M. J. Lee, S. Seo, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 222103.
11. J. P. Strachan, J. J. Yang, R. Münstermann, A. Scholl, G. Medeiros-Ribeiro, D. R. Stewart, R. S. Williams, Nanotechnology 2009, 20, 485701.
12. M. H. Lee, C. S. Hwang, Nanoscale 2011, 3, 2.
13. J. Y. Son, Y.-H. Shin,. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 222106.
14. J. B. Yun, S. Kim, S. Seo, M. J. Lee, D. Kim, S. Ahn, Y. Park, J. Kim, H. Shin, PSS-RRL 2007, 6, 280.
15. G. H. Kim, J. H. Lee, Y. Ahn, W. Jeon, S. J. Song, J. Y. Seok, J. H. Yoon, K. J. Yoon, T. J. Park, C. S. Hwang, Adv. Funct. Mater 2012, DOI:10.1002.
16. W. Guan, S. Long, R. Jia, M. Liu, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 062111.
17. W. Chang, K. Cheng, J. Tsai, H. Chen, F. Chen, M. Tsai, T. Wu, Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 042104.
18. J. H. Yoon, K. M. Kim, M. H. Lee, S. K. Kim, G. H. Kim, S. J. Song, J. Y. Seok, C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 232904.
19. J. J. Yang, J. Strachan, Q. Xia, D. A. A. Ohlberg, P. J. Kuekes, R. D. Kelly, W. F. Stickle, D. R. Stewart, G. Medeiros-Riveiro, S. Williams, Adv. Mater. 2010, 22, 4034.
20. K. M. Kim, D. S. Jeong, C. S. Hwang, Nanotechnology 2011, 22, 254002.
21. S. K. Kim, K. M. Kim, W. D. Kim, C. S. Hwang, J. H. Jeong, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 4112.
22. K. M. Kim, B. J. Choi, Y. C. Shin, S. Choi, C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 012907.