Phosphorus and boron codoped colloidal silicon nanocrystals with inorganic atomic ligands

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 117, Issue 13, 2013, Pages 6807-6813

  Sugimoto, Hiroshi ^a   Fujii, Minoru ^a   Imakita, Kenji ^a   Hayashi, Shinji ^a   Akamatsu, Kensuke ^b  

^a KOBE UNIVERSITY   (Japan)

^b KONAN UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CO-DOPED; HF SOLUTIONS; POLAR LIQUIDS; SILICON NANOCRYSTALS;

DOPING (ADDITIVES); HYDROFLUORIC ACID; LIGANDS; PHOSPHORUS; PHOTOELECTRONS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

SILICON;

EID: 84875849353     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp312788k     Document Type: Article

References (41)

1. Talapin, D.; Murray, C. Science 2005, 310, 86
2. Urban, J.; Talapin, D.; Shevchenko, E.; Kagan, C.; Murray, C. Nat. Mater. 2007, 6, 115
3. Gur, I.; Fromer, N.; Geier, M.; Alivisatos, A. Science 2005, 310, 462
4. Mcdonald, S.; Konstantatos, G.; Zhang, S.; Cyr, P.; Klem, E.; Levina, L.; Sargent, E. Nat. Mater. 2005, 4, 138
5. Michalet, X.; Pinaud, F. F.; Bentolila, L. A.; Tsay, J. M.; Doose, S.; Li, J. J.; Sundaresan, G.; Wu, A. M.; Gambhir, S. S.; Weiss, S. Science 2005, 307, 538-544
6. Cai, W. B.; Shin, D. W.; Chen, K.; Gheysens, O.; Cao, Q. Z.; Wang, S. X.; Gambhir, S. S.; Chen, X. Y. Nano Lett. 2006, 6, 669
7. Mangolini, L.; Kortshagen, U. Adv. Mater. 2007, 19, 2513-2519
8. Mastronardi, M. L.; Maier-Flaig, F.; Faulkner, D.; Henderson, E. J.; Kübel, C.; Lemmer, U.; Ozin, G. A. Nano Lett. 2012, 12, 337-342
9. Hessel, C.; Reid, D.; Panthani, M.; Rasch, M.; Goodfellow, B.; Wei, J.; Fujii, H.; Akhavan, V.; Korgel, B. Chem. Mater. 2012, 24, 393
10. Maria, A.; Cyr, P. W.; Klem, E. J. D.; Levina, L.; Sargent, E. H. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 213112
11. Trotzky, S.; Kolny-Olesiak, J.; Falke, S. M.; Hoyer, T.; Lienau, C.; Tuszynski, W.; Parisi, J. J. Phys. D: Appl. Phys. 2008, 41, 102004
12. Zhang, H.; Hu, B.; Sun, L.; Hovden, R.; Wise, F.; Muller, D.; Robinson, R. Nano Lett. 2011, 11, 5356-5361
13. Nag, A.; Kovalenko, M. V.; Lee, J.-S.; Liu, W.; Spokoyny, B.; Talapin, D. V. J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 10612-10620
14. Lee, J. S.; Kovalenko, M. V.; Huang, J.; Chung, D. S.; Talapin, D. V. Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 348-352
15. Fafarman, A. T.; Koh, W.-K.; Diroll, B. T.; Kim, D. K.; Ko, D.-K.; Oh, S.-J.; Ye, X.; Doan-Nguyen, V.; Crump, M. R.; Reifsnyder, D. C.; Murray, C. B.; Kagan, C. R. J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 15753-15761
16. Panthani, M. G.; Hessel, C. M.; Reid, D.; Casillas, G.; José-Yacamán, M.; Korgel, B. J. Phys. Chem. C 2012, 116, 22463-22468
17. Fukuda, M.; Fujii, M.; Sugimoto, H.; Imakita, K.; Hayashi, S. Opt. Lett. 2011, 36, 4026-4028
18. Sugimoto, H.; M.; Fujii, M.; Imakita, K.; Hayashi, S.; Akamatsu, K. J. Phys. Chem. C 2012, 116, 17969-17974
19. Takeoka, S.; Fujii, M.; Hayashi, S. Phys. Rev. B 2000, 62, 16820
20. Fujii, M.; Toshikiyo, K.; Takase, Y.; Yamaguchi, Y.; Hayashi, S. J. Appl. Phys. 2003, 94, 1990
21. Fujii, M.; Yamaguchi, Y.; Takase, Y.; Ninomiya, K.; Hayashi, S. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 1158
22. Fujii, M.; Yamaguchi, Y.; Takase, Y.; Ninomiya, K.; Hayashi, S. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 211919
23. Sugimoto, H.; Fujii, M.; Fukuda, M.; Imakita, K.; Hayashi, S. J. Appl. Phys. 2011, 110, 063528
24. Ito, M.; Imakita, K.; Fujii, M.; Hayashi, S. J. Phys. D: Appl. Phys. 2010, 43, 505101
25. Tenney, A. J. Electrochem. Soc. 1971, 118, 1658
26. Fukuda, M.; Fujii, M.; Imakita, K.; Hayashi, S. J. Lumin. 2011, 131, 1066-1069
27. Wolkin, M.; Jorne, J.; Fauchet, P.; Allan, G.; Delerue, C. Phys. Rev. Lett. 1999, 82, 197
28. Durrani, S. M. A.; Al-Kuhaili, M. F.; Khawaja, E. E. J. Phys.: Condens. Matter 2003, 15, 8123
29. Lu, Z. H.; McCaffrey, J. P; Brar, B.; Wilk, G. D; Wallace, R. M; Feldman, L. C; Tay, S. P. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 2764
30. Fujii, M.; Mimura, A.; Hayashi, Sh.; Yamamoto, Y.; Murakami, K. Phys. Rev. Lett. 2002, 89, 206805
31. Mimura, A.; Fujii, M.; Hayashi, Sh.; Kovalev, D.; Koch, F. Phys. Rev. B 2000, 62, 12625
32. Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices, 2 nd ed.; Wiley: New York, 1981.
33. Fujii, M.; Hayashi, S.; Yamamoto, K. J. Appl. Phys. 1998, 83, 7953
34. Fujii, M.; Mimura, A.; Hayashi, S.; Yamamoto, K. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 184
35. Phang, S. P.; Macdonald, D. J. Appl. Phys. 2011, 109, 073521
36. Kessler, M. A.; Ohrdes, T.; Wolpensinger, B.; Bock, R.; Harder, N. P. Semicond. Sci. Technol. 2010, 25, 055001
37. Arai, E.; Nakamura, H.; Terunuma, Y. J. Electrochem. Soc. 1973, 120, 980-987
38. Chen, T. P.; Lei, T. F.; Lin, H. C.; Chang, C. Y.; Hsieh, W. Y.; Chen, L. J. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 1853
39. Aselage, T. L. J. Mater. Res. 1998, 13, 1786-1794
40. Ossicini, S.; Degoli, E.; Iori, F.; Luppi, E.; Magri, R.; Cantele, G.; Trani, F.; Ninno, D. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 173120
41. Iori, F.; Degoli, E.; Magri, R.; Marri, I.; Cantele, G.; Ninno, D.; Trani, F.; Pulci, O.; Ossicini, S. Phys. Rev. B 2007, 76, 085302