Self-aligned inversion-type enhancement-mode GaAs metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with Al2O3 gate dielectric

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 20, 2008, Pages

  Shahrjerdi, D ^a   Akyol, T ^a   Ramon, M ^a   Garcia Gutierrez, D I ^a,b   Tutuc, E ^a   Banerjee, S K ^a  

^a The University of Texas at Austin   (United States)

^b SEMATECH   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FREQUENCY DISPERSION; GATE OVERDRIVES; METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTORS;

ATOMIC LAYER DEPOSITION; GATE DIELECTRICS; RAPID THERMAL ANNEALING; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SUBSTRATES; THERMODYNAMIC STABILITY;

MOS DEVICES;

EID: 44349122944     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2931708     Document Type: Article

References (22)

1. International Technology Roadmap for Semiconductors, 2006 update; (www.itrs.net).
2. S. Koveshnikov, W. Tsai, I. Ok, J. C. Lee, V. Torkanov, M. Yakimov, and S. Oktyabrsky, Appl. Phys. Lett. 88, 022106 (2006).
3. I. Ok, H. Kim, M. Zhang, T. Lee, F. Zhu, L. Yu, S. Koveshnikov, W. Tsai, V. Tokranov, M. Yakimov, S. Oktyabrsky, and J. C. Lee, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2006, 829 (2006).
4. D. Shahrjerdi, M. M. Oye, A. L. Holmes, and S. K. Banerjee, Appl. Phys. Lett. 89, 043501 (2006).
5. H.-S. Kim, I. Ok, M. Zhang, F. Zhu, S. Park, J. Yum, H. Zhao, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 91, 042904 (2007).
6. F. Gao, S. J. Lee, R. Li, S. J. Whang, S. Balakumar, D. Z. Chi, C. C. Kean, S. Vicknesh, C. H. Tung, and D.-L. Kwong, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2006, 833 (2006).
7. K. Rajagopalan, R. Droopad, J. Abrokwah, P. Zurcher, P. Fejes, and M. Passlack, IEEE Electron Device Lett. 28, 100 (2007).
8. R. J. W. Hill, D. A. J. Moran, X. Li, H. Zhou, D. Macintyre, S. Thoms, A. Asenov, P. Zurcher, K. Rajagopalan, J. Abrokwah, R. Droopad, M. Passlack, and I. G. Thayne, IEEE Electron Device Lett. 28, 1080 (2007).
9. F. Ren, M. Hong, W. S. Hobson, J. M. Kuo, J. R. Lothian, J. P. Mannaerts, J. Kwo, S. N. G. Chu, Y. K. Chen, and A. Y. Cho, Solid-State Electron. 41, 1751 (1997).
10. F. Ren, J. M. Kuo, M. Hong, W. S. Hobson, J. R. Lothian, J. Lin, H. S. Tsai, J. P. Mannaerts, J. Kwo, S. N. G. Chu, Y. K. Chen, and A. Y. Cho, IEEE Electron Device Lett. 19, 309 (1998).
11. M. Hong, J. R. Kwo, P.-C. Tsai, Y. Chang, M.-L. Huang, C.-P. Chen, and T.-D. Lin, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 46, 3167 (2007).
12. M. L. Huang, Y. C. Chang, C. H. Chang, Y. J. Lee, P. Chang, J. Kwo, T. B. Wu, and M. Hong, Appl. Phys. Lett. 87, 252104 (2005).
13. Y. Xuan, Y. Q. Wu, T. Shen, T. Yang, and P. D. Ye, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2007, 637 (2007).
14. Y. Xuan, Y. Q. Wu, H. C. Lin, T. Shen, and P. D. Ye, IEEE Electron Device Lett. 28, 637 (2007).
15. D. Shahrjerdi, E. Tutuc, and S. K. Banerjee, Appl. Phys. Lett. 91, 063501 (2007).
16. B. Kellerman, A. Mahajan, N. Russell, J. Ekerdt, S. Banerjee, A. Tasch, A. Campion, J. White, and D. Bonser, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 1819 (1995).
17. E. Yablonovitch, R. Bhat, C. E. Zah, T. J. Gmitter, and M. A. Koza, Appl. Phys. Lett. 60, 371 (1991).
18. G. Brammertz, M. Heyns, M. Meuris, M. Caymax, D. Jiang, Y. Mols, S. Degroote, M. Leys, and G. Borghs, Appl. Phys. Lett. 90, 134102 (2007).
19. M. D. Pashley, K. W. Haberern, R. M. Feenstra, and P. D. Kirchner, Phys. Rev. B 48, 4612 (1993).
20. C. L. Hinkle, A. M. Sonnet, E. M. Vogel, S. McDonnell, G. J. Hughes, M. Milojevic, B. Lee, F. S. Aguirre-Tostado, K. J. Choi, J. Kim, and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 91, 163512 (2007).
21. G. Brammertz, K. Martens, S. Sioncke, A. Delabie, M. Caymax, M. Caymax, M. Meuris, and M. Heyns, Appl. Phys. Lett. 90, 133510 (2007).
22. M. Passlack, Materials Fundamentals of Gate Dielectrics, edited by, A. A. Demkov, and, A. Navrotsky, (Springer, New York, 2005), p. 411.