Threshold voltage dependence on channel length in amorphous-indium-gallium- zinc-oxide thin-film transistors

Applied Physics Letters

Volumn 102, Issue 8, 2013, Pages

  Kang, Dong Han ^a   Han, Ji Ung ^a   Mativenga, Mallory ^a   Ha, Su Hwa ^a   Jang, Jin ^a  

^a Kyung Hee University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITANCE VOLTAGE; CARRIER DIFFUSIONS; COMBINED ANALYSIS; CURRENT VOLTAGE; SOURCE AND DRAINS; THIN-FILM TRANSISTOR (TFTS); UNINTENTIONAL DOPING; VOLTAGE DEPENDENCE;

GALLIUM; INDIUM; THRESHOLD VOLTAGE; ZINC;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 84874919728     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4793996     Document Type: Article

References (21)

1. D. H. Kim, H. Yim, S. M. Lee, S. K. Kim, K. S. Park, C. D. Kim, Y. K. Hwang, and I. J. Chung, SID Int. Symp. Dig. Tech. Papers 2010, 1373.
2. Y. G. Mo, M. K. Kim, C. K. Kang, J. H. Jeong, Y. S. Park, C. G. Choi, H. D. Kim, and S. S. Kim, SID Int. Symp. Dig. Tech. Papers 2010, 1037.
3. D. Geng, D. H. Kang, and J. Jang, IEEE Electron Device Lett. 32, 758 (2011). 10.1109/LED.2011.2122330
4. M. Mativenga, M. H. Choi, J. W. Choi, and J. Jang, IEEE Electron Device Lett. 32, 170 (2011). 10.1109/LED.2010.2093504
5. W. Kim, J. C. Park, C. J. Kim, I. H. Song, S. I. Kim, S. H. Park, H. Yin, H. I. Lee, E. H. Lee, and Y. S. Park, IEEE Electron Device Lett. 30, 374 (2009) 10.1109/LED.2009.2014181.
6. N. Morosawa, Y. Ohshima, M. Morooka, T. Arai, and T. Sasaoka, SID Int. Symp. Dig. Tech. Papers 2011, 479.
7. D. H. Kang, I. Kang, S. H. Ryu, and J. Jang, IEEE Electron Device Lett. 32, 1385 (2011). 10.1109/LED.2011.2161568
8. D. Geng, D. H. Kang, M. J. Seok, M. Mativenga, and J. Jang, IEEE Electron Device Lett. 33, 1012 (2012). 10.1109/LED.2012.2194133
9. G. Fortunato, A. Valletta, P. Gaucci, L. Mariucci, and S. D. Brotherton, Thin Solid Films 487, 221 (2005). 10.1016/j.tsf.2005.01.069
10. Y. W. Heo, K. M. Cho, S. Y. Sun, S. Y. Kim, J. H. Lee, J. J. Kim, D. P. Norton, and S. J. Pearton, J. Vac. Sci. Technol. B 29, 021203 (2011). 10.1116/1.3556921
11. A. Sato, M. Shimade, K. Abe, R. Hayashi, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Thin Solid films 518, 1309 (2009). 10.1016/j.tsf.2009.01.165
12. B. D. Ahn, H. S. Shin, G. H. Kim, J. S. Park, and H. J. Kim, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 48, 03B019 (2009). 10.1143/JJAP.48.03B019
13. K. H. Ji, J. I. Kim, H. Y. Jung, S. Y. Park, Y. G. Mo, J. H. Jeong, J. Y. Kwon, M. K. Ryu, S. Y. Lee, R. Choi, and J. K. Jeong, J. Electrochem. Soc. 157, H983 (2010). 10.1149/1.3483787
14. D. H. Kang, S. H. Ha, S. H. Ryu, Y. S. Ahn, and J. Jang, in Proc. Int. TFT Conf. (2012), p. 51.
15. A. Sato, K. Abe, R. Hayashi, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 94, 133502 (2009). 10.1063/1.3112566
16. P. Migliorato, M. Seok, and J. Jang, Appl. Phys. Lett. 100, 073506 (2012). 10.1063/1.3685705
17. J. W. Jeong, Y. T. Hong, J. K. Jeong, J. S. Park, and Y. G. Mo, J. Disp. Technol. 5, 495 (2009). 10.1109/JDT.2009.2021490
18. S. M. Sze and K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed. (Wiley-Interscience, Hoboken, 2007), p. 85.
19. W. C. Johnson and P. T. Panousis, IEEE Trans. Electron Devices 18, 965 (1971). 10.1109/T-ED.1971.17311
20. H. H. Hsieh and C. C. Wu, Appl. Phys. Lett. 89, 041109 (2006). 10.1063/1.2235895
21. L. Lan, M. Xu, J. Peng, H. Xu, M. Li, D. Luo, J. Zou, H. Tao, L. Wang, and L. Yao, J. Appl. Phys. 110, 103703 (2011). 10.1063/1.3660791