SCOPUS 정보 검색 플랫폼 - 논문 보기

메뉴 건너뛰기

Volumn 14, Issue 24, 2012, Pages 8492-8498

Synthesis, photoluminescence and field emission properties of well aligned/well patterned conical shape GaN nanorods

(9) Nabi, Ghulam a Cao, Chuanbao a Hussain, Sajad a Khan, Waheed S a Sagar, R R b Ali, Zulfiqar a Butt, Faheem K a Usman, Zahid a Yu, Dapeng c

a BEIJING INSTITUTE OF TECHNOLOGY (China)

b TSINGHUA UNIVERSITY (China)

c PEKING UNIVERSITY (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84870479714 PISSN: None EISSN: 14668033 Source Type: Journal
DOI: 10.1039/c2ce25800e Document Type: Article

Times cited : (36)

References (44)

1
- 0042385001
- Y. J. Saito J. Nanosci. Nanotechnol. 2003 3 39 50
- (2003) J. Nanosci. Nanotechnol. , vol.3 , pp. 39-50
- Saito, Y.J.¹

2
- 0037191823
- N. Jonge Y. Lamy K. Schoots T. H. Oosterkame Nature 2002 420 393 395
- (2002) Nature , vol.420 , pp. 393-395
- Jonge, N.¹ Lamy, Y.² Schoots, K.³ Oosterkame, T.H.⁴

3
- 84859434944
- G. Nabi C. B. Cao W. S. Khan S. Hussain Z. Usman T. Mahmood N. A. D. Khattak S. Zhao X. Xin D. Yu X. Fu Mater. Chem. Phys. 2012 133 793 798
- (2012) Mater. Chem. Phys. , vol.133 , pp. 793-798
- Nabi, G.¹ Cao, C.B.² Khan, W.S.³ Hussain, S.⁴ Usman, Z.⁵ Mahmood, T.⁶ Khattak, N.A.D.⁷ Zhao, S.⁸ Xin, X.⁹ Yu, D.¹⁰ Fu, X.¹¹

4
- 0035927016
- T. Sugino T. Hori C. Kimura T. Yamamoto Appl. Phys. Lett. 2001 78 3229 3231
- (2001) Appl. Phys. Lett. , vol.78 , pp. 3229-3231
- Sugino, T.¹ Hori, T.² Kimura, C.³ Yamamoto, T.⁴

5
- 0000005719
- Graded electron affinity electron source
- J. L. Shaw H. F. Gray K. L. Jensen J. M. Jung Graded electron affinity electron source J. Vac. Sci. Technol., B 1996 14 2072 2079
- (1996) J. Vac. Sci. Technol., B , vol.14 , pp. 2072-2079
- Shaw, J.L.¹ Gray, H.F.² Jensen, K.L.³ Jung, J.M.⁴

6
- 0001134509
- I. Berishev A. Bensaoula I. Rusakova A. Karabutov M. Ugarov V. P. Ageev Appl. Phys. Lett. 1998 73 1808
- (1998) Appl. Phys. Lett. , vol.73 , pp. 1808
- Berishev, I.¹ Bensaoula, A.² Rusakova, I.³ Karabutov, A.⁴ Ugarov, M.⁵ Ageev, V.P.⁶

7
- 0141676961
- H. M. Kim T. W. Kang K. S. Chung J. P. Hong W. B. Choi Chem. Phys. Lett. 2003 377 491 496
- (2003) Chem. Phys. Lett. , vol.377 , pp. 491-496
- Kim, H.M.¹ Kang, T.W.² Chung, K.S.³ Hong, J.P.⁴ Choi, W.B.⁵

8
- 0034805449
- C. C. Chen C. C. Yeh C. H. Chen M. Y. Yu H. L. Liu J. J. Wu K. H. Chen L. C. Chen J. Y. Peng Y. F. Chen J. Am. Chem. Soc. 2001 123 2791 2798
- (2001) J. Am. Chem. Soc. , vol.123 , pp. 2791-2798
- Chen, C.C.¹ Yeh, C.C.² Chen, C.H.³ Yu, M.Y.⁴ Liu, H.L.⁵ Wu, J.J.⁶ Chen, K.H.⁷ Chen, L.C.⁸ Peng, J.Y.⁹ Chen, Y.F.¹⁰

9
- 80051790498
- G. Nabi C. B. Cao W. S. Khan S. Hussain Z. Usman M. Safdar S. H. Shah N. A. D. Khattak Appl. Surf. Sci. 2011 257 10289 10293
- (2011) Appl. Surf. Sci. , vol.257 , pp. 10289-10293
- Nabi, G.¹ Cao, C.B.² Khan, W.S.³ Hussain, S.⁴ Usman, Z.⁵ Safdar, M.⁶ Shah, S.H.⁷ Khattak, N.A.D.⁸

10
- 34247347690
- X. Xiang H. Zhu Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 2007 87 651 659
- (2007) Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. , vol.87 , pp. 651-659
- Xiang, X.¹ Zhu, H.²

11
- 20744444742
- B. C. Ha S. H. Seo J. H. Cho C. S. Yoon J. Yoo G. C. Yi C. Y. Park C. J. Lee J. Phys. Chem. B 2005 109 11095 11099
- (2005) J. Phys. Chem. B , vol.109 , pp. 11095-11099
- Ha, B.C.¹ Seo, S.H.² Cho, J.H.³ Yoon, C.S.⁴ Yoo, J.⁵ Yi, G.C.⁶ Park, C.Y.⁷ Lee, C.J.⁸

12
- 34548275105
- K. H. Lee C. D. Shin I. G. Chen B. J. Li J. Electrochem. Soc. 2007 154 K87 K91
- (2007) J. Electrochem. Soc. , vol.154
- Lee, K.H.¹ Shin, C.D.² Chen, I.G.³ Li, B.J.⁴

13
- 80052845235
- G. Nabi C. B. Cao W. S. Khan S. Hussain Z. Usman N. A. D. Khattak Z. Ali F. K. Butt S. H. Shah M. Safdar Mater. Lett. 2012 66 50 53
- (2012) Mater. Lett. , vol.66 , pp. 50-53
- Nabi, G.¹ Cao, C.B.² Khan, W.S.³ Hussain, S.⁴ Usman, Z.⁵ Khattak, N.A.D.⁶ Ali, Z.⁷ Butt, F.K.⁸ Shah, S.H.⁹ Safdar, M.¹⁰

14
- 25444459450
- B. D. Liu Y. Bando C. C. Tang F. F. Xu J. Q. Hu D. Golberg J. Phys. Chem. B 2005 109 17082 17085
- (2005) J. Phys. Chem. B , vol.109 , pp. 17082-17085
- Liu, B.D.¹ Bando, Y.² Tang, C.C.³ Xu, F.F.⁴ Hu, J.Q.⁵ Golberg, D.⁶

15
- 3242684322
- L. Luo K. Yu Z. Zhu Y. G. Zhan H. Ma C. Xue Y. Yang S. Chen Mater. Lett. 2004 58 2893 2896
- (2004) Mater. Lett. , vol.58 , pp. 2893-2896
- Luo, L.¹ Yu, K.² Zhu, Z.³ Zhan, Y.G.⁴ Ma, H.⁵ Xue, C.⁶ Yang, Y.⁷ Chen, S.⁸

16
- 77952986809
- L. T. Fu Z. G. Chen D. W. Wang L. Cheng H. Y. Xu J. Z. Liu H. T. Cong G. Q. Lu J. Zou J. Phys. Chem. C 2010 114 9627 9633
- (2010) J. Phys. Chem. C , vol.114 , pp. 9627-9633
- Fu, L.T.¹ Chen, Z.G.² Wang, D.W.³ Cheng, L.⁴ Xu, H.Y.⁵ Liu, J.Z.⁶ Cong, H.T.⁷ Lu, G.Q.⁸ Zou, J.⁹

17
- 59749098110
- D. V. Dinh S. M. Kang J. H. Yang S. W. Kim D. H. Yoon J. Cryst. Growth 2009 311 495 499
- (2009) J. Cryst. Growth , vol.311 , pp. 495-499
- Dinh, D.V.¹ Kang, S.M.² Yang, J.H.³ Kim, S.W.⁴ Yoon, D.H.⁵

18
- 61749083543
- Z. Chen C. B. Cao W. S. Li C. Surya Cryst. Growth Des. 2009 9 792 796
- (2009) Cryst. Growth Des. , vol.9 , pp. 792-796
- Chen, Z.¹ Cao, C.B.² Li, W.S.³ Surya, C.⁴

19
- 57949105748
- C. T. Lin G. H. Yu X. Z. Wang M. X. Cao H. F. Lu H. Gong M. Qi A. Z. Li J. Phys. Chem. C 2008 112 18821 18824
- (2008) J. Phys. Chem. C , vol.112 , pp. 18821-18824
- Lin, C.T.¹ Yu, G.H.² Wang, X.Z.³ Cao, M.X.⁴ Lu, H.F.⁵ Gong, H.⁶ Qi, M.⁷ Li, A.Z.⁸

20
- 0037418379
- Y. Xia P. Yang Y. Sun Y. Wu B. Mayers B. Gates Y. Yi F. Kim H. Yan Adv. Mater. 2003 15 353 389
- (2003) Adv. Mater. , vol.15 , pp. 353-389
- Xia, Y.¹ Yang, P.² Sun, Y.³ Wu, Y.⁴ Mayers, B.⁵ Gates, B.⁶ Yi, Y.⁷ Kim, F.⁸ Yan, H.⁹

21
- 0035834415
- Y. Huang X. Duan Y. Cui L. J. Lauhon K. H. Kim C. M. Lieber Science 2001 294 1313 1317
- (2001) Science , vol.294 , pp. 1313-1317
- Huang, Y.¹ Duan, X.² Cui, Y.³ Lauhon, L.J.⁴ Kim, K.H.⁵ Lieber, C.M.⁶

22
- 0000285878
- R. D. Underwood S. Keller U. K. Mishra D. Kapolnek B. P. Keller S. P. Denbaars J. Vac. Sci. Technol., B 1998 16 822 825
- (1998) J. Vac. Sci. Technol., B , vol.16 , pp. 822-825
- Underwood, R.D.¹ Keller, S.² Mishra, U.K.³ Kapolnek, D.⁴ Keller, B.P.⁵ Denbaars, S.P.⁶

23
- 0030698928
- D. Kapolnek R. D. Underwood B. P. Keller S. Keller S. P. Denbaars U. K. Mishra J. Cryst. Growth 1997 170 340 343
- (1997) J. Cryst. Growth , vol.170 , pp. 340-343
- Kapolnek, D.¹ Underwood, R.D.² Keller, B.P.³ Keller, S.⁴ Denbaars, S.P.⁵ Mishra, U.K.⁶

24
- 28144437037
- F. Qian S. Gradecak Y. Li C. Y. Wen C. M. Lieber Nano Lett. 2005 5 2287 2291
- (2005) Nano Lett. , vol.5 , pp. 2287-2291
- Qian, F.¹ Gradecak, S.² Li, Y.³ Wen, C.Y.⁴ Lieber, C.M.⁵

25
- 26444587214
- V. N. Sokolov K. W. Kim V. A. Kochelap D. L. Woolard J. Appl. Phys. 2005 98 064507
- (2005) J. Appl. Phys. , vol.98 , pp. 064507
- Sokolov, V.N.¹ Kim, K.W.² Kochelap, V.A.³ Woolard, D.L.⁴

26
- 33645789734
- P. J. Pauzauskie D. J. Sirbuly P. Yang Phys. Rev. Lett. 2006 96 143903
- (2006) Phys. Rev. Lett. , vol.96 , pp. 143903
- Pauzauskie, P.J.¹ Sirbuly, D.J.² Yang, P.³

27
- 37349051478
- T. Jang J. S. Kwak Y. J. Sung K. K. Cho O. H. Nam Y. Park Thin Solid Films 2008 516 1093 1096
- (2008) Thin Solid Films , vol.516 , pp. 1093-1096
- Jang, T.¹ Kwak, J.S.² Sung, Y.J.³ Cho, K.K.⁴ Nam, O.H.⁵ Park, Y.⁶

28
- 61649087872
- Y. B. Tang Z. H. Chen H. S. Song C. S. Lee H. T. Cong H. M. Cheng W. J. Zhang I. Bello S. T. Lee Nano Lett. 2008 8 4191 4195
- (2008) Nano Lett. , vol.8 , pp. 4191-4195
- Tang, Y.B.¹ Chen, Z.H.² Song, H.S.³ Lee, C.S.⁴ Cong, H.T.⁵ Cheng, H.M.⁶ Zhang, W.J.⁷ Bello, I.⁸ Lee, S.T.⁹

29
- 0043143147
- Z. H. Zhong F. Qian D. L. Wang C. M. Lieber Nano Lett. 2003 3 343 346
- (2003) Nano Lett. , vol.3 , pp. 343-346
- Zhong, Z.H.¹ Qian, F.² Wang, D.L.³ Lieber, C.M.⁴

30
- 0038262624
- P. Qi O. Vermesh M. Grecu A. Javey Q. Wang H. Dai S. Peng K. L. Cho Nano Lett. 2003 3 347 351
- (2003) Nano Lett. , vol.3 , pp. 347-351
- Qi, P.¹ Vermesh, O.² Grecu, M.³ Javey, A.⁴ Wang, Q.⁵ Dai, H.⁶ Peng, S.⁷ Cho, K.L.⁸

31
- 0037008487
- R. H. Baughman A. A. Zakhidov W. A. Heer Science 2002 297 787 792
- (2002) Science , vol.297 , pp. 787-792
- Baughman, R.H.¹ Zakhidov, A.A.² Heer, W.A.³

32
- 3042835508
- H. Kim Y. Cho H. Lee S. Kim S. Ryu D. Kim T. Kang K. Chung Nano Lett. 2004 4 1059 1062
- (2004) Nano Lett. , vol.4 , pp. 1059-1062
- Kim, H.¹ Cho, Y.² Lee, H.³ Kim, S.⁴ Ryu, S.⁵ Kim, D.⁶ Kang, T.⁷ Chung, K.⁸

33
- 25844436238
- P. Deb H. Kim V. Rawat M. Oliver S. Kim M. Marshall E. Stach T. Sands Nano Lett. 2005 5 1847 1851
- (2005) Nano Lett. , vol.5 , pp. 1847-1851
- Deb, P.¹ Kim, H.² Rawat, V.³ Oliver, M.⁴ Kim, S.⁵ Marshall, M.⁶ Stach, E.⁷ Sands, T.⁸

34
- 33846107443
- G. T. Wang A. A. Talin D. J. Werder J. R. Creighton E. Lai R. L. Anderson I. Arslan Nanotechnology 2006 17 5773 5780
- (2006) Nanotechnology , vol.17 , pp. 5773-5780
- Wang, G.T.¹ Talin, A.A.² Werder, D.J.³ Creighton, J.R.⁴ Lai, E.⁵ Anderson, R.L.⁶ Arslan, I.⁷

35
- 33847413617
- Z. Chen C. B. Cao H. Zhu J. Phys. Chem. C 2007 111 1895 1899
- (2007) J. Phys. Chem. C , vol.111 , pp. 1895-1899
- Chen, Z.¹ Cao, C.B.² Zhu, H.³

36
- 77953156478
- S. F. Huang Z. H. Huang M. H. Fang Y. G. Liu J. T. Huang J. Z. Yang Cryst. Growth Des. 2010 10 2439 2442
- (2010) Cryst. Growth Des. , vol.10 , pp. 2439-2442
- Huang, S.F.¹ Huang, Z.H.² Fang, M.H.³ Liu, Y.G.⁴ Huang, J.T.⁵ Yang, J.Z.⁶

37
- 84055214126
- G. Nabi C. B. Cao Z. Usman S. Hussain W. S. Khan F. K. Butt Z. Ali D. Yu X. Fu Mater. Lett. 2012 70 19 22
- (2012) Mater. Lett. , vol.70 , pp. 19-22
- Nabi, G.¹ Cao, C.B.² Usman, Z.³ Hussain, S.⁴ Khan, W.S.⁵ Butt, F.K.⁶ Ali, Z.⁷ Yu, D.⁸ Fu, X.⁹

38
- 79955884559
- W. S. Khan C. B. Cao Z. Ali F. K. Butt N. A. Niaz A. Baig R. Din M. H. Farooq F. P. Wang Q. Ain Mater. Lett. 2011 65 2127 2129
- (2011) Mater. Lett. , vol.65 , pp. 2127-2129
- Khan, W.S.¹ Cao, C.B.² Ali, Z.³ Butt, F.K.⁴ Niaz, N.A.⁵ Baig, A.⁶ Din, R.⁷ Farooq, M.H.⁸ Wang, F.P.⁹ Ain, Q.¹⁰

39
- 0000928931
- R. H. Fowler L. W. Nordheim Proc. R. Soc. London, Ser. A 1928 119 173 181
- (1928) Proc. R. Soc. London, Ser. A , vol.119 , pp. 173-181
- Fowler, R.H.¹ Nordheim, L.W.²

40
- 84943005075
- K. M. Tracy W. J. Mecouch R. F. Davis R. J. Nemanich J. Appl. Phys 2003 94 316
- (2003) J. Appl. Phys , vol.94 , pp. 316
- Tracy, K.M.¹ Mecouch, W.J.² Davis, R.F.³ Nemanich, R.J.⁴

41
- 0003565888
- McGraw-Hill, New York, 2nd edn
- D. A. Neamen, Semiconductor Physics and Devices, McGraw-Hill, New York, 2nd edn, 2003, p. 328
- (2003) Semiconductor Physics and Devices , pp. 328
- Neamen, D.A.¹

42
- 9744279393
- W. A. De Heer A. Chatelain D. Ugarte Science 1995 270 1179 1180
- (1995) Science , vol.270 , pp. 1179-1180
- De Heer, W.A.¹ Chatelain, A.² Ugarte, D.³

43
- 0037450217
- L. Dong J. Jiao D. W. Tuggle J. M. Petty S. A. Elliff M. Coulter Appl. Phys. Lett. 2003 82 1096
- (2003) Appl. Phys. Lett. , vol.82 , pp. 1096
- Dong, L.¹ Jiao, J.² Tuggle, D.W.³ Petty, J.M.⁴ Elliff, S.A.⁵ Coulter, M.⁶

44
- 84943004349
- H. Z. Zhuang S. B. Xue Mater. Lett. 2008 62 23 26
- (2008) Mater. Lett. , vol.62 , pp. 23-26
- Zhuang, H.Z.¹ Xue, S.B.²

* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.