Metal–semiconductor–metal GaN ultraviolet photodetectors on Si(111)

Applied Physics Letters

Volumn 77, Issue 3, 2000, Pages 444-446

  Zhao, Z M ^a   Jiang, R L ^a   Chen, P ^a   xi, D J ^a   Luo, Z Y ^a   Zhang, R ^a   Shen, B ^a   Chen, Z Z ^a   Zheng, Y D ^a  

^a NANJING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84869176521     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.127004     Document Type: Article

References (21)

1. J. I. Pankove, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. MRSPDH 162, 515 (1990).
2. A. Watanabe, T. Takeuchi, K. Hirosawa, H. Amano, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth JCRGAE 128, 391 (1993).
3. W. Yang, S. McPherson, Z. Mao, S. McKernan, and C. Barry Carter, J. Cryst. Growth JCRGAE 204, 207 (1999).
4. E. Monroy, E. Muñoz, F. J. Sánchez, F. Calle, E. Calleja, B. Beaumont, P. Gibart, J. A. Muñoz, and F. Cussó, Semicond. Sci. Technol. SSTEET 13, 1042 (1998).
5. G. Parish, S. Keller, P. Kozodoy, J. P. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. B. Fleischer, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. APPLAB 75, 247 (1999).
6. E. Monroy, M. Hamilton, D. Walker, P. Kung, F. J. Sánchez, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. APPLAB 74, 1171 (1999).
7. A. Osinsky, S. Gangopadhyay, R. Gaska, B. Williams, M. Asif Khan, D. Kuksenkov, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. APPLAB 71, 2334 (1997).
8. Q. Chen, J. W. Yang, A. Osinsky, S. Gangopadhyay, B. Lim, M. Z. Anwar, M. Asif Khan, D. Kuksenkov, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. APPLAB 70, 2277 (1997).
9. Z. C. Huang, J. C. Chen, and D. Wickenden, J. Cryst. Growth JCRGAE 170, 362 (1997).
10. W. Yang, T. Nohova, S. Krishnankutty, R. Torreano, S. McPherson, and H. Marsh, Appl. Phys. Lett. APPLAB 73, 1086 (1998).
11. K. S. Stevens, M. Kinniburgh, and R. Beresford, Appl. Phys. Lett. APPLAB 66, 3518 (1995).
12. A. Osinsky, S. Gangopadhyay, J. W. Yang, R. Gaska, D. Kuksenkov, H. Temkin, I. K. Shmagin, Y. C. Chang, J. F. Muth, and R. M. Kolbas, Appl. Phys. Lett. APPLAB 72, 551 (1998).
13. G. M. Smith, J. M. Redwing, R. P. Vaudo, E. M. Ross, J. S. Flynn, and V. M. Phanse, Appl. Phys. Lett. APPLAB 75, 25 (1999).
14. D. Walker, X. Zhang, P. Kung, A. Saxler, S. Javadpour, J. Xu, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. APPLAB 68, 2100 (1996).
15. B. Shen, Y. G. Zhou, Z. Z. Chen, P. Chen, R. Zhang, Y. Shi, Y. D. Zheng, W. Tong, and W. Park, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. APAMFC 68A, 593 (1999).
16. M. Razeghi and A. Rogalski, J. Appl. Phys. JAPIAU 79, 7433 (1996).
17. E. Muñoz, E. Monroy, J. A. Garrido, I. Izpura, F. J. Sánchez, M. A. Sanchez-Garcia, E. Calleja, B. Beaumont, and P. Gibart, Appl. Phys. Lett. APPLAB 71, 870 (1997).
18. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981).
19. B. Shen, K. Yang, L. Zang, Z. Z. Chen, Y. G. Zhou, P. Chen, R. Zhang, Z. C. Huang, H. S. Zhou, and Y. D. Zheng, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 JAPNDE 38, 767 (1999).
20. B. W. Lim, Q. C. Chen, J. Y. Yang, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. APPLAB 68, 3761 (1996).
21. C. H. Qiu and J. I. Pankove, Appl. Phys. Lett. APPLAB 70, 1983 (1997).