Graphene edge lithography

Nano Letters

Volumn 12, Issue 9, 2012, Pages 4642-4646

  Xie, Guibai ^a   Shi, Zhiwen ^a   Yang, Rong ^a   Liu, Donghua ^a   Yang, Wei ^a   Cheng, Meng ^a   Wang, Duoming ^a   Shi, Dongxia ^a   Zhang, Guangyu ^a  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

Author keywords

atomic layer deposition (ALD); edge; electrical transport; Graphene nanoribbons (GNRs); nanostructure; top gate

Indexed keywords

DIELECTRIC LAYER; EDGE; EDGE LITHOGRAPHY; ELECTRICAL TRANSPORT; FABRICATION PROCESS; FUNCTIONAL DEVICES; GRAPHENE NANORIBBONS; HIGH QUALITY; LITHOGRAPHIC FABRICATION; MASK LAYER; SMALL FEATURES; TOP GATE;

ATOMIC LAYER DEPOSITION; FABRICATION; NANOSTRUCTURES;

GRAPHENE;

GRAPHITE; NANOMATERIAL;

ARTICLE; CHEMISTRY; CONFORMATION; CRYSTALLIZATION; MACROMOLECULE; MATERIALS TESTING; METHODOLOGY; MOLECULAR IMPRINTING; PARTICLE SIZE; PHOTOGRAPHY; SURFACE PROPERTY; ULTRASTRUCTURE;

CRYSTALLIZATION; GRAPHITE; MACROMOLECULAR SUBSTANCES; MATERIALS TESTING; MOLECULAR CONFORMATION; MOLECULAR IMPRINTING; NANOSTRUCTURES; PARTICLE SIZE; PHOTOGRAPHY; SURFACE PROPERTIES;

EID: 84866342673     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl301936r     Document Type: Article

References (35)

1. Yan, Q. M.; Huang, B.; Yu, J.; Zheng, F. W.; Zang, J.; Wu, J.; Gu, B. L.; Liu, F.; Duan, W. H. Nano Lett. 2007, 7, 1469-1473
2. Wakabayashi, K. Phys. Rev. B 2001, 64, 125428
3. Barone, V.; Hod, O.; Scuseria, G. E. Nano Lett. 2006, 6, 2748-2754
4. Son, Y. W.; Cohen, M. L.; Louie, S. G. Nature 2006, 444, 347-349
5. Tao, C.; Jiao, L.; Yazyev, O. V.; Chen, Y.-C.; Feng, J.; Zhang, X.; Capaz, R. B.; Tour, J. M.; Zettl, A.; Louie, S. G.; Dai, H.; Crommie, M. F. Nat. Phys. 2011, 7, 616-620
6. Trauzettel, B.; Bulaev, D. V.; Loss, D.; Burkard, G. Nat. Phys. 2007, 3, 192-196
7. Gengchiau, L.; Neophytou, N.; Nikonov, D. E.; Lundstrom, M. S. IEEE Trans. Electron Devices 2007, 54, 677-682
8. Begliarbekov, M.; Strauf, S.; Search, C. P. Nanotechnology 2011, 22, 165203
9. Cai, J.; Ruffieux, P.; Jaafar, R.; Bieri, M.; Braun, T.; Blankenburg, S.; Muoth, M.; Seitsonen, A. P.; Saleh, M.; Feng, X.; Müllen, K.; Fasel, R. Nature 2010, 466, 470-473
10. Sprinkle, M.; Ruan, M.; Hu, Y.; Hankinson, J.; Rubio Roy, M.; Zhang, B.; Wu, X.; Berger, C.; de Heer, W. A. Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 727-731
11. Chen, Z.; Lin, Y.-M.; Rooks, M. J.; Avouris, P. Physica E 2007, 40, 228-232
12. Han, M. Y.; Ozyilmaz, B.; Zhang, Y. B.; Kim, P. Phys. Rev. Lett. 2007, 98, 206805
13. Li, X. L.; Wang, X. R.; Zhang, L.; Lee, S. W.; Dai, H. J. Science 2008, 319, 1229-1232
14. Tapasztó, L.; Dobrik, G.; Lambin, P.; Biró, L. P. Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 397-401
15. Masubuchi, S.; Ono, M.; Yoshida, K.; Hirakawa, K.; Machida, T. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 082107
16. Yang, R.; Zhang, L. C.; Wang, Y.; Shi, Z. W.; Shi, D. X.; Gao, H. J.; Wang, E. G.; Zhang, G. Y. Adv. Mater. 2010, 22, 4014-4019
17. Shi, Z. W.; Yang, R.; Zhang, L. C.; Wang, Y.; Liu, D. H.; Shi, D. X.; Wang, E. G.; Zhang, G. Y. Adv. Mater. 2011, 23, 3061-3065
18. Yang, R.; Shi, Z. W.; Zhang, L. C.; Shi, D. X.; Zhang, G. Y. Nano Lett. 2011, 11, 4083-4088
19. Liao, L.; Bai, J.; Qu, Y.; Lin, Y. c.; Li, Y.; Huang, Y.; Duan, X. Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A. 2010, 107, 6711-6715
20. Campos, L. C.; Manfrinato, V. R.; Sanchez-Yamagishi, J. D.; Kong, J.; Jarillo-Herrero, P. Nano Lett. 2009, 9, 2600-2604
21. Datta, S. S.; Strachan, D. R.; Khamis, S. M.; Johnson, A. T. C. Nano Lett. 2008, 8, 1912-1915
22. Kosynkin, D. V.; Higginbotham, A. L.; Sinitskii, A.; Lomeda, J. R.; Dimiev, A.; Price, B. K.; Tour, J. M. Nature 2009, 458, 872-875
23. Elias, A. L.; Botello-Mendez, A. R.; Meneses-Rodriguez, D.; Gonzalez, V. J.; Ramirez-Gonzalez, D.; Ci, L.; Munoz-Sandoval, E.; Ajayan, P. M.; Terrones, H.; Terrones, M. Nano Lett. 2010, 10, 366-372
24. Jiao, L. Y.; Zhang, L.; Wang, X. R.; Diankov, G.; Dai, H. J. Nature 2009, 458, 877-880
25. Jiao, L. Y.; Wang, X. R.; Diankov, G.; Wang, H. L.; Dai, H. J. Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 321-325
26. Xuan, Y.; Wu, Y. Q.; Shen, T.; Qi, M.; Capano, M. A.; Cooper, J. A.; Ye, P. D. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 013101
27. Lee, B. K.; Park, S. Y.; Kim, H. C.; Cho, K.; Vogel, E. M.; Kim, M. J.; Wallace, R. M.; Kim, J. Y. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 203102
28. Meric, I.; Han, M. Y.; Young, A. F.; Ozyilmaz, B.; Kim, P.; Shepard, K. L. Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 654-659
29. Wang, X.; Tabakman, S. M.; Dai, H. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 8152-8153
30. Lin, Y.-M.; Jenkins, K. A.; Valdes-Garcia, A.; Small, J. P.; Farmer, D. B.; Avouris, P. Nano Lett. 2008, 9, 422-426
31. Yang, Y. X.; Murali, R. IEEE Electron Device Lett. 2010, 31, 237-239
32. Speck, F.; Ostler, M.; Röhrl, J.; Emtsev, K. V.; Hundhausen, M.; Ley, L.; Seyller, T. Phys. Status Solidi C 2010, 7, 398-401
33. Bischoff, D.; Güttinger, J.; Dröscher, S.; Ihn, T.; Ensslin, K.; Stampfer, C. J. Appl. Phys. 2011, 109, 073710
34. Wang, X.; Ouyang, Y.; Li, X.; Wang, H.; Guo, J.; Dai, H. Phys. Rev. Lett. 2008, 100, 206803
35. Liao, L.; Bai, J.; Lin, Y.-C.; Qu, Y.; Huang, Y.; Duan, X. Adv. Mater. 2010, 22, 1941-1945