High carrier mobility in single ultrathin colloidal lead selenide nanowire field effect transistors

Nano Letters

Volumn 12, Issue 8, 2012, Pages 4360-4365

  Graham, Rion ^a   Yu, Dong ^a  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

carrier diffusion length; Colloidal; field effect transistors; mobility; nanowires; scanning photocurrent microscopy

Indexed keywords

AMMONIUM THIOCYANATE; CARRIER DIFFUSION LENGTH; COLLOIDAL; HIGH CARRIER MOBILITY; LEAD SELENIDE; LEAD SELENIDE NANOWIRES; POTENTIAL BUILDING BLOCKS; ROOM TEMPERATURE; TRANSPORT CHANNEL; TUNABLE BAND-GAP; ULTRA-THIN;

AMMONIUM COMPOUNDS; FIELD EFFECT TRANSISTORS; NANOWIRES;

CARRIER MOBILITY;

EID: 84864670706     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl302161n     Document Type: Article

References (32)

1. Murray, C. B.; Kagan, C. R.; Bawendi, M. G. Annu. Rev. Mater. Res. 2000, 30, 545
2. Hines, M. A.; Scholes, G. D. Adv. Mater. 2003, 15, 1844
3. Wehrenberg, B. L.; Wang, C. J.; Guyot-Sionnest, P. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 10634
4. Yu, D.; Wang, C. J.; Guyot-Sionnest, P. Science 2003, 300, 1277
5. Yu, D.; Wang, C. J.; Wehrenberg, B. L.; Guyot-Sionnest, P. Phys. Rev. Lett. 2004, 92, 216802
6. Cho, K. S.; Talapin, D. V.; Gaschler, W.; Murray, C. B. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 7140
7. Yu, H.; Li, J. B.; Loomis, R. A.; Wang, L. W.; Buhro, W. E. Nat. Mater. 2003, 2, 517
8. Boercker, J. E.; Clifton, E. M.; Tischler, J. G.; Foos, E. E.; Zega, T. J.; Twigg, M. E.; Stroud, R. M. J. Phys. Chem. Lett. 2011, 2, 527
9. Giblin, J.; Vietmeyer, F.; McDonald, M. P.; Kuno, M. Nano Lett. 2011, 11, 3307
10. Baker, J. L.; Widmer-Cooper, A.; Toney, M. F.; Geissler, P. L.; Alivisatos, A. P. Nano Lett. 2010, 10, 195
11. Khandelwal, A.; Jena, D.; Grebinski, J. W.; Hull, K. L.; Kuno, M. K. J. Electron. Mater. 2006, 35, 170
12. Talapin, D. V.; Black, C. T.; Kagan, C. R.; Shevchenko, E. V.; Afzali, A.; Murray, C. B. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 13244
13. Kim, D. K.; Vemulkar, T. R.; Oh, S. J.; Koh, W. K.; Murray, C. B.; Kagan, C. R. ACS Nano 2011, 5, 3230
14. Choi, J.-H.; Fafarman, A. T.; Oh, S. J.; Ko, D.-K.; Kim, D. K.; Diroll, B. T.; Muramoto, S.; Gillen, J. G.; Murray, C. B.; Kagan, C. R. Nano Lett. 2012, 12, 2631
15. Liang, W. J.; Hochbaum, A. I.; Fardy, M.; Rabin, O.; Zhang, M. J.; Yang, P. D. Nano Lett. 2009, 9, 1689
16. Ford, A. C.; Ho, J. C.; Chueh, Y. L.; Tseng, Y. C.; Fan, Z. Y.; Guo, J.; Bokor, J.; Javey, A. Nano Lett. 2009, 9, 360
17. Talin, A. A.; Leonard, F.; Swartzentruber, B. S.; Wang, X.; Hersee, S. D. Phys. Rev. Lett. 2008, 101, 076802
18. Cho, K. S.; Talapin, D. V.; Gaschler, W.; Murray, C. B. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 7140
19. Graham, R. M., C.; Triplett, M.; Yu, D. Proc. SPIE 2011, 8106
20. Graham, R.; Miller, C.; Oh, E.; Yu, D. Nano Lett. 2011, 11, 717
21. Fafarman, A. T.; Koh, W. K.; Diroll, B. T.; Kim, D. K.; Ko, D. K.; Oh, S. J.; Ye, X. C.; Doan-Nguyen, V.; Crump, M. R.; Reifsnyder, D. C.; Murray, C. B.; Kagan, C. R. J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 15753
22. Bartnik, A. C.; Efros, A. L.; Koh, W. K.; Murray, C. B.; Wise, F. W. Phys. Rev. B 2010, 82, 195313
23. Sun, S. C.; Plummer, J. D. IEEE J. Solid-State Circuit 1980, 15, 562
24. Dayeh, S. A.; Soci, C.; Yu, P. K. L.; Yu, E. T.; Wang, D. L. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 162112
25. Dalven, R. Infrared Phys. 1969, 9, 141
26. Xiang, J.; Lu, W.; Hu, Y. J.; Wu, Y.; Yan, H.; Lieber, C. M. Nature 2006, 441, 489
27. Ahn, Y. H.; Tsen, A. W.; Kim, B.; Park, Y. W.; Park, J. Nano Lett. 2007, 7, 3320
28. Kelzenberg, M. D.; Turner-Evans, D. B.; Kayes, B. M.; Filler, M. A.; Putnam, M. C.; Lewis, N. S.; Atwater, H. A. Nano Lett. 2008, 8, 710
29. Miller, C.; Triplett, M.; Lammatao, J.; Suh, J.; Fu, D. Y.; Wu, J. Q.; Yu, D. Phys. Rev. B 2012, 85, 085111
30. Strasfeld, D. B.; Dorn, A.; Wanger, D. D.; Bawendi, M. G. Nano Lett. 2012, 12, 569
31. Fu, D. Y.; Zou, J. J.; Wang, K.; Zhang, R.; Yu, D.; Wu, J. Q. Nano Lett. 2011, 11, 3809
32. Leonard, F.; Talin, A. A.; Swartzentruber, B. S.; Picraux, S. T. Phys. Rev. Lett. 2009, 102, 106805