The impact of active layer pre-treatment on bias stress stability of sol-gel derived amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin film transistor

ECS Transactions

Volumn 41, Issue 6, 2011, Pages 273-281

  Chung, Wan Fang ^a   Chang, Ting Chang ^b,c   Li, Hung Wei ^a   Chen, Yu Chun ^b   Li, Iue Hen ^a   Tseng, Tseung Yuen ^a   Tai, Ya Hsiang ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY   (Taiwan)

^c NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHARGE TRAPPING; GALLIUM COMPOUNDS; GAS ADSORPTION; II-VI SEMICONDUCTORS; OXYGEN; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SOL-GEL PROCESS; SOL-GELS; THIN FILM TRANSISTORS; THIN FILMS; THRESHOLD VOLTAGE; ZINC OXIDE;

AMORPHOUS-INDIUM GALLIUM ZINC OXIDES; BIAS STRESS STABILITIES; DEVICE STABILITY; ELECTRICAL INSTABILITY; GATE-BIAS STRESS; PASSIVATION PROCESS; POSITIVE/NEGATIVE; THRESHOLD VOLTAGE SHIFTS;

THIN FILM CIRCUITS;

EID: 84863152520     PISSN: 19385862     EISSN: 19386737     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1149/1.3629976     Document Type: Conference Paper

References (21)

1. E. M. C. Fortunate, P. M. C. Barquinha, A. M. B. G. Pimentel, A. M. F. Gonçalves, A. J. S. Marques, R. F. P. Martins, and L. M. N. Pereira, Appl. Phys. Lett., 85, 2541 (2004).
2. N. L. Dehuff, E. S. Kettenring, D. Hong, H. Q. Chiang, J. F. Wager, R. L. Hoffman, C. H. Park, and D. A. Keszler, J. Appl. Phys., 97, 064505 (2005).
3. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature, 432, 488 (2004).
4. K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Science, 300, 1260 (2003).
5. G. H. Kim, B. D. Ahn, H. S. Shin, W. H. Jeong, H. J. Kim, H. J. Kim, Appl. Phys. Lett., 94, 233501 (2009).
6. G. H. Kim, H. S. Shin, B. D. Ahn, K. H. Kim, W. J. Park, and H. J. Kim, J. Electrochem. Soc., 156, H7 (2009).
7. G. H. Kim, H. S. Kim, H. S. Shin, B. D. Ahn, K. H. Kim, and H. J. Kim, Thin Solid Films, 517,4007 (2009).
8. H. Q. Chiang, J. F. Wager, R. L. Hoffman, J. Jeong, and D. A. Keszler, Appl. Phys. Lett., 86, 013503 (2005).
9. G. H. Kim, B. D. Ahn, H. S. Shin, W. H. Jeong, H. J. Kim, H. J. Kim, Appl. Phys. Lett., 94, 233501 (2009).
10. M. K. Kim, J. H. Jeong, H. J. Lee, T. K. Ahn, H. S. Shin, J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, and H. D. Kim, Appl. Phys. Lett., 90, 212114 (2007).
11. D. H. Lee, Y. J. Chang, G. S. Herman, and C. H. Chang, Advance Material (Weinheim, Ger.), 19, 843(2007).
12. G. H. Kim, H. S. Shin, B. D. Ahn, K. H. Kim, W. J. Park, and H. J. Kim, J. Electrochem. Soc., 156, H7 (2009).
13. P. Barquinha, L. Pereira, G. Goncalves, R. Martins, and E. Fortunate, J. Electrochem. Soc., 156, H161 (2009).
14. W. F. Chung, T. C. Chang, H. W. Li, C. W. Chen, Y. C. Chen, S. C. Chen, T. Y. Tseng, and Y. H. Tai, Electrochemical and Solid-State Letters, 14, H114 (2011).
15. W. F. Chung, T. C. Chang, H. W. Li, S. C. Chen, Y. C. Chen, T. Y. Tseng, and Y. H. Tai, Electrochemical and Solid-State Letters, 14, H235 (2011).
16. W. F. Chung, T. C. Chang, H. W. Li, S. C. Chen, Y. C. Chen, T. Y. Tseng, and Y. H. Tax, Appl. Phys. Lett., 98, 152109 (2011).
17. T. C. Chen, T. C. Chang, C. T. Tsai, T. Y. Hsieh, S. C. Chen, C. S. Lin, M. C. Hung, C. H. Tu, J. J. Chang, and P. L. Chen, Appl. Phys. Lett., 97, 112104 (2010)
18. Y. C. Chen, T. C. Chang, H. W. Li, S. C. Chen, J. Lu, W. F. Chung, Y. H. Tai, T. Y. Tseng, Appl. Phys. Lett., 96, 262104 (2010).
19. E. N. Cho, J. H. Kang, C. E. Kim, P. Moon, and I. Yun, IEEE Trans. Device and Materials Reliability, 11, 112 (2011).
20. D. Kang, H. Lim, C. Kim, I. Song, J. Park, and Y. Park, Appl. Phys. Lett., 90, 192101 (2007).
21. J. F. Boyle and K. A. Jones, J. Electron. Mater., 6, 717 (1977).