Crystallinity improvement of epitaxial Ge grown on a Ge(110) substrate by incorporation of Sn

Applied Physics Express

Volumn 5, Issue 1, 2012, Pages

  Shimura, Yosuke ^a,b   Asano, Takanori ^a   Nakatsuka, Osamu ^a   Zaima, Shigeaki ^a  

^a NAGOYA UNIVERSITY   (Japan)

^b JAPAN SOCIETY FOR THE PROMOTION OF SCIENCE   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTALLINITIES; GROWTH BEHAVIOR; HOMOEPITAXIAL;

EPITAXIAL GROWTH; STACKING FAULTS; SUBSTRATES; SURFACE RECONSTRUCTION; TIN;

GERMANIUM;

EID: 84856045042     PISSN: 18820778     EISSN: 18820786     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/APEX.5.015501     Document Type: Article

References (20)

1. S. Dissanayake, Y. Zhao, S. Sugahara, M. Takenaka, and S. Takagi: J. Appl. Phys. 109 (2011) 033709.
2. C. H. Lee, T. Nishimura, T. Tabata, S. K. Wang, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi: IEDM Proc., 2010, p. 416.
3. J. Kavalieros, B. Doyle, S. Datta, G. Dewey, M. Doczy, B. Jin, D. Lionberger, M. Metz, W. Rachmady, M. Radosavljevic, U. Shah, N. Zelick, and R. Chau: Symp. VLSI Technology Dig. Tech. Pap., 2006.
4. V. S. Basker, T. Standaert, H. Kawasaki, C. Yeh, K. Maitra, T. Yamashita, J. Faltermeier, H. Adhikari, H. Jagannathan, J. Wang, H. Sunamura, S. Kanakasabapathy, S. Schmitz, J. Cummings, A. Inada, C. Lin, P. Kulkarni, Y. Zhu, J. Kuss, T. Yamamoto, A. Kumar, J. Wahl, A. Yagishita, L. F. Edge, R. H. Kim, E. Mclellan, S. J. Holmes, R. C. Johnson, T. Levin, J. Demarest, M. Hane, M. Takayanagi, M. Colburn, V. K. Paruchuri, R. J. Miller, H. Bu, B. Doris, D. McHerron, E. Leobandung, and J. O'Neill: Symp. VLSI Technology Dig. Tech. Pap., 2010.
5. S. D. Suk, S.-Y. Lee, S.-M. Kim, E.-J. Yoon, M.-S. Kim, M. Li, C. W. Oh, K. H. Yeo, S. H. Kim, D.-S. Shin, K.-H. Lee, H. S. Park, J. N. Han, C. J. Park, J.-B. Park, D.-W. Kim, D. Park, and B.-I. Ryu: IEDM Tech. Dig., 2005, p. 717.
6. S. Bangsaruntip, G. M. Cohen, A. Majumdar, Y. Zhang, S. U. Engelmann, N. Fuller, L. M. Gignac, S. Mittal, J. S. Newbury, M. Guillorn, T. Barwicz, L. Sekaric, M. M. Frank, and J. W. Sleight: IEDM Proc., 2009, p. 1.
7. K. Arimoto, M. Watanabe, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, Y. Shiraki, N. Usami, and K. Nakajima: Thin Solid Films 517 (2008) 235.
8. T. Ichikawa: Surf. Sci. 544 (2003) 58.
9. C. Merckling, X. Sun, Y. Shimura, A. Franquet, B. Vincent, S. Takeuchi, W. Vandervorst, O. Nakatsuka, S. Zaima, R. Loo, and M. Caymax: Appl. Phys. Lett. 98 (2011) 192110.
10. T. An, M. Yoshimura, and K. Ueda: Surf. Sci. 576 (2005) 165.
11. Y. Shimura, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, B. Vincent, F. Gencarelli, T. Clarysse, W. Vandervorst, M. Caymax, R. Loo, A. Jensen, D. H. Petersen, and S. Zaima: to be published in Thin Solid Films.
12. S. Takeuchi, Y. Shimura, O. Nakatsuka, S. Zaima, M. Ogawa, and A. Sakai: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 231916.
13. B. Vincent, Y. Shimura, S. Takeuchi, T. Nishimura, G. Eneman, A. Firrincieli, J. Demeulemeester, A. Vantomme, T. Clarysse, O. Nakatsuka, S. Zaima, J. Dekoster, M. Caymax, and R. Loo: Microelectron. Eng. 88 (2011) 342.
14. T. Krishnamohan, D. Kim, T. V. Dinh, A.-T. Pham, B. Meinerzhagen, C. Jungemann, and K. Saraswat: IEDM Proc., 2008, p. 899.
15. K. A. Bratland, Y. L. Foo, J. A. N. T. Soares, T. Spila, P. Desjardins, and J. E. Greene: Phys. Rev. 67 (2003) 125322.
16. Y. Shimura, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima: Solid-State Electron. 60 (2011) 84.
17. Y. Shimura, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima: ECS Trans. 33 [6] (2010) 205.
18. S. Takeuchi, Y. Shimura, T. Nishimura, B. Vincent, G. Eneman, T. Clarysse, J. Demeulemeester, K. Temst, A. Vantomme, J. Dekoster, M. Caymax, R. Loo, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima: ECS Trans. 33 [6] (2010) 529.
19. T. Asano, Y. Shimura, O. Nakatsuka, and S. Zaima: submitted to Thin Solid Films.
20. D. Paskiewicz, S. Scott, D. Savage, G. Celler, and M. Lagally: ACS Nano 5 (2011) 5532.