Fabrication of single- and multilayer MoS 2 film-based field-effect transistors for sensing NO at room temperature

Small

Volumn 8, Issue 1, 2012, Pages 63-67

  Li, Hai ^a   Yin, Zongyou ^a   He, Qiyuan ^a   Li, Hong ^b   Huang, Xiao ^a   Lu, Gang ^a   Fam, Derrick Wen Hui ^a   Tok, Alfred Iing Yoong ^a   Zhang, Qing ^b   Zhang, Hua ^a  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^b NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

Author keywords

2D nanomaterials; field effect transistors; gas sensors; mechanical exfoliation; MoS 2

Indexed keywords

MECHANICAL EXFOLIATION; MOS 2; NITROUS OXIDE; RAPID RESPONSE; ROOM TEMPERATURE; SINGLE LAYER;

CHEMICAL SENSORS; GAS DETECTORS; MESFET DEVICES; MULTILAYER FILMS; MULTILAYERS; NITROGEN OXIDES;

MOLYBDENUM COMPOUNDS;

NANOMATERIAL; NITROUS OXIDE;

ARTICLE; CHEMISTRY; EQUIPMENT DESIGN; GAS; METHODOLOGY; NANOTECHNOLOGY; SEMICONDUCTOR; TEMPERATURE;

EQUIPMENT DESIGN; GASES; NANOSTRUCTURES; NANOTECHNOLOGY; NITROUS OXIDE; TEMPERATURE; TRANSISTORS, ELECTRONIC;

EID: 84855440960     PISSN: 16136810     EISSN: 16136829     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/smll.201101016     Document Type: Article

References (39)

1. K. S. Novoselov, D. Jiang, F. Schedin, T. J. Booth, V. V. Khotkevich, S. V. Morozov, A. K. Geim, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 2005, 102, 10451.
2. F. Schedin, A. K. Geim, S. V. Morozov, E. W. Hill, P. Blake, M. I. Katsnelson, K. S. Novoselov, Nat. Mater. 2007, 6, 652.
3. O. Leenaerts, B. Partoens, F. M. Peeters, Phys. Rev. B 2008, 77, 125416.
4. J. T. Robinson, F. K. Perkins, E. S. Snow, Z. Q. Wei, P. E. Sheehan, Nano Lett. 2008, 8, 3137.
5. Y. P. Dan, Y. Lu, N. J. Kybert, Z. T. Luo, A. T. C. Johnson, Nano Lett. 2009, 9, 1472.
6. J. D. Fowler, M. J. Allen, V. C. Tung, Y. Yang, R. B. Kaner, B. H. Weiller, ACS Nano 2009, 3, 301.
7. Q. Y. He, H. G. Sudibya, Z. Y. Yin, S. X. Wu, H. Li, F. Boey, W. Huang, P. Chen, H. Zhang, ACS Nano 2010, 4, 3201.
8. G. Ko, H. Y. Kim, J. Ahn, Y. M. Park, K. Y. Lee, J. Kim, Curr. Appl. Phys. 2010, 10, 1002.
9. B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, A. Kis, Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 147.
10. S. J. Sandoval, D. Yang, R. F. Frindt, J. C. Irwin, Phys. Rev. B 1991, 44, 3955.
11. A. Ayari, E. Cobas, O. Ogundadegbe, M. S. Fuhrer, J. Appl. Phys. 2007, 101, 014507.
12. V. Goyal, D. Teweldebrhan, A. A. Balandin, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 133117.
13. S. S. Hong, W. Kundhikanjana, J. J. Cha, K. J. Lai, D. S. Kong, S. Meister, M. A. Kelly, Z. X. Shen, Y. Cui, Nano Lett. 2010, 10, 3118.
14. C. Lee, Q. Y. Li, W. Kalb, X. Z. Liu, H. Berger, R. W. Carpick, J. Hone, Science 2010, 328, 76.
15. C. Lee, H. Yan, L. E. Brus, T. F. Heinz, J. Hone, S. Ryu, ACS Nano 2010, 4, 2695.
16. K. F. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan, T. F. Heinz, Phys. Rev. Lett. 2010, 105, 136805.
17. H. S. S. R. Matte, A. Gomathi, A. K. Manna, D. J. Late, R. Datta, S. K. Pati, C. N. R. Rao, Angew. Chem. Int. Ed. 2010, 49, 4059.
18. A. Splendiani, L. Sun, Y. B. Zhang, T. S. Li, J. Kim, C. Y. Chim, G. Galli, F. Wang, Nano Lett. 2010, 10, 1271.
19. D. Teweldebrhan, V. Goyal, A. A. Balandin, Nano Lett. 2010, 10, 1209.
20. Z. Y. Wang, H. Li, Z. Liu, Z. J. Shi, J. Lu, K. Suenaga, S. K. Joung, T. Okazaki, Z. N. Gu, J. Zhou, Z. X. Gao, G. P. Li, S. Sanvito, E. G. Wang, S. Iijima, J. Am. Chem. Soc. 2010, 132, 13840.
21. J. Xiao, D. W. Choi, L. Cosimbescu, P. Koech, J. Liu, J. P. Lemmon, Chem. Mater. 2010, 22, 4522.
22. C. Ataca, H. Sahin, E. Akturk, S. Ciraci, J. Phys. Chem. C. 2011, 115, 3934.
23. M. M. Benameur, B. Radisavljevic, J. S. Heron, S. Sahoo, H. Berger, A. Kis, Nanotechnology 2011, 22, 125706.
24. S. Cho, N. P. Butch, J. Paglione, M. S. Fuhrer, Nano Lett. 2011, 11, 1925.
25. J. N. Coleman, M. Lotya, A. O'Neill, S. D. Bergin, P. J. King, U. Khan, K. Young, A. Gaucher, S. De, R. J. Smith, I. V. Shvets, S. K. Arora, G. Stanton, H. Y. Kim, K. Lee, G. T. Kim, G. S. Duesberg, T. Hallam, J. J. Boland, J. J. Wang, J. F. Donegan, J. C. Grunlan, G. Moriarty, A. Shmeliov, R. J. Nicholls, J. M. Perkins, E. M. Grieveson, K. Theuwissen, D. W. McComb, P. D. Nellist, V. Nicolosi, Science 2011, 331, 568.
26. G. H. Lu, S. Park, K. H. Yu, R. S. Ruoff, L. E. Ocola, D. Rosenmann, J. H. Chen, ACS Nano 2011, 5, 1154.
27. X. Huang, X. Y. Qi, F. Boey, H. Zhang, Chem. Soc. Rev. DOI: 10.1039/C1CS15078B.
28. X. Huang, Z. Y. Yin, S. X. Wu, X. Y. Qi, Q. Y. He, Q. C. Zhang, Q. Y. Yan, F. Boey, H. Zhang, Small 2011, 7, 1876.
29. B. K. Miremadi, S. R. Morrison, J. Catal. 1987, 103, 334.
30. C. T. Tye, K. J. Smith, Catal. Today 2006, 116, 461.
31. E. Fortin, W. M. Sears, J. Phys. Chem. Solids 1982, 43, 881.
32. F. Cesano, S. Bertarione, A. Piovano, G. Agostini, M. M. Rahman, E. Groppo, F. Bonino, D. Scarano, C. Lamberti, S. Bordiga, L. Montanari, L. Bonoldi, R. Millini, A. Zecchina, Catal. Sci. Technol. 2011, 1, 123.
33. J. Kong, N. R. Franklin, C. W. Zhou, M. G. Chapline, S. Peng, K. J. Cho, H. J. Dai, Science 2000, 287, 622.
34. J. Zhang, A. Boyd, A. Tselev, M. Paranjape, P. Barbara, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 123112.
35. P. G. Collins, K. Bradley, M. Ishigami, A. Zettl, Science 2000, 287, 1801.
36. D. H. Zhang, Z. Q. Liu, C. Li, T. Tang, X. L. Liu, S. Han, B. Lei, C. W. Zhou, Nano Lett. 2004, 4, 1919.
37. J. Du, D. Liang, H. Tang, X. P. A. Gao, Nano Lett. 2009, 9, 4348.
38. M. C. McAlpine, H. Ahmad, D. W. Wang, J. R. Heath, Nat. Mater. 2007, 6, 379.
39. W. Li, X. Geng, Y. Guo, J. Rong, Y. Gong, L. Wu, X. Zhang, P. Li, J. Xu, G. Cheng, M. Sun, L. Liu, ACS Nano 2011, 5, 6955.