Insulating behavior in ultrathin bismuth selenide field effect transistors

Nano Letters

Volumn 11, Issue 5, 2011, Pages 1925-1927

  Cho, Sungjae ^a   Butch, Nicholas P ^a   Paglione, Johnpierre ^a   Fuhrer, Michael S ^a  

^a UNIVERSITY OF MARYLAND   (United States)

Author keywords

bismuth selenide; field effect transistor; surface state; topological insulator

Indexed keywords

BISMUTH SELENIDE; CONDUCTANCE MEASUREMENT; MECHANICAL EXFOLIATION; NEGATIVE GATE VOLTAGES; SURFACE STATE; TEMPERATURE DEPENDENT; TOPOLOGICAL INSULATOR; ULTRA-THIN;

ELECTRIC INSULATORS; MESFET DEVICES; SILICON COMPOUNDS; TRANSISTORS;

BISMUTH;

EID: 79955925120     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl200017f     Document Type: Article

References (25)

1. Hsieh, D.; Xia, Y.; Qian, D.; Wray, L.; Dil, J. H.; Meier, F.; Osterwalder, J.; Patthey, L.; Checkelsky, J. G.; Ong, N. P.; Fedorov, A. V.; Lin, H.; Bansil, A.; Grauer, D.; Hor, Y. S.; Cava, R. J.; Hasan; Z., M. Nature 2009, 460 (7259) 1101-1105
2. Chen, Y. L.; Analytis, J. G.; Chu, J. H.; Liu, Z. K.; Mo, S. K.; Qi, X. L.; Zhang, H. J.; Lu, D. H.; Dai, X.; Fang, Z.; Zhang, S. C.; Fisher; I., R.; Hussain, Z.; Shen, Z. X. Science 2009, 325 (5937) 178-181
3. Xia, Y.; Qian, D.; Hsieh, D.; Wray, L.; Pal, A.; Lin, H.; Bansil, A.; Grauer, D.; Hor, Y. S.; Cava, R. J.; Hasan, M. Z. Nat. Phys. 2009, 5 (6) 398-402
4. Hanaguri, T.; Igarashi, K.; Kawamura, M.; Takagi, H.; Sasagawa, T. Phys. Rev. B 2010, 82, 081305
5. Roushan, P.; Seo, J.; Parker, C. V.; Hor, Y. S.; Hsieh, D.; Qian, D.; Richardella, A.; Hasan, M. Z.; Cava, R. J.; Yazdani, A. Nature 2009, 460 (7259) 1106-1109
6. Zhang, T.; Cheng, P.; Chen, X.; Jia, J.; Wang, L.; Zhang, H.; Dai, X.; Fang, Z.; Xie, X.; Xue, Q. Phys. Rev. Lett. 2009, 103, 266803
7. Butch, N. P.; Kirshenbaum, K.; Syers, P.; Sushkov, A. B.; Jenkins, G. S.; Drew, H. D.; Paglione, J. Phys. Rev. B 2010, 81, 241301
8. Qu, D.-X.; Hor, Y. S.; Xiong, J.; Cava, R. J.; Ong, N. P. Science 2010, 329 (5993) 821-824
9. Jenkins, G. S.; Sushkov, A. B.; Schmadel, D. C.; Butch, N. P.; Syers, P.; Paglione, J.; Drew, H. D. Phys. Rev. B 2010, 82, 125120
10. Sushkov, A. B.; Jenkins, G. S.; Schmadel, D. C.; Butch, N. P.; Paglione, J.; Drew, H. D. Phys. Rev. B 2010, 82, 125110
11. Sacépé, B.; Oostinga, J. B.; Li, J.; Ubaldini, A.; Couto, N. J. G.; Giannini, E.; Morpurgo, A. F. Arxiv: 1101.2352, 2011.
12. Liu, M.; Chang, C.; Zhang, Z.; Zhang, Y.; Ruan, W.; He, K.; Wang, L.; Chen, X.; Jia, J.; Zhang, S.; Xue, Q.; Ma, X.; Wang, Y. Arxiv: 1011.1055, 2010.
13. Checkelsky, J. G.; Hor, Y.; Liu, M.; Qu, D.; Cava, R.; Ong, N. P. Phys. Rev. Lett. 2009, 103 (24) 246601
14. Steinberg, H.; Gardner, D. R.; Lee, Y. S.; Jarillo-Herrero, P. Nano Lett. 2010, 10, 5032-5036
15. Lu, H.; Shan, W.; Yao, W.; Niu, Q.; Shen, S. Phys. Rev. B 2010, 81, 115407
16. Liu, C.; Zhang, H.; Yan, B.; Qi, X.; Frauenheim, T.; Dai, X.; Fang, Z.; Zhang, S. Phys. Rev. B 2010, 81, 041307
17. Linder, J.; Yokoyama, T.; Sudbø, A. Phys. Rev. B 2009, 80, 205401
18. Zhang, Y.; Chang, C.; Song, C.; Wang, L.; Chen, X.; Jia, J.; Fang, Z.; Dai, X.; Shan, W.; Shen, S.; Niu, Q.; Zhang, S.; Xue, Q. Nat. Phys. 2009, 6, 584-588
19. Murakami, S.; Nagaosa, N.; Zhang, S. Phys. Rev. Lett. 2004, 93, 156804
20. Kane, C. L; Mele, E.. J. Phys. Rev. Lett. 2005, 95, 226801
21. Bernevig, B. A.; Zhang, S. Phys. Rev. Lett. 2006, 96, 106802
22. Novoselov, K. S.; Jiang, D.; Schedin, F.; Booth, T. J.; Khotkevich, V. V.; Morozov, S. V.; Geim, A. K. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2005, 10451-10453
23. Zhang, Y.; Tan, Y.; Stormer, H. L.; Kim, P. Nature 2005, 438, 201-204
24. Hirahara, T.; Sakamoto, Y.; Takeichi, Y.; Miyazaki, H.; Kimura, S.; Matsuda, I.; Kakizaki, A.; Hasegawa, S. Phys. Rev. B 2010, 82, 155309
25. Ayari, A.; Cobas, E.; Ogundadegbe, O.; Fuhrer, M. S. J. Appl. Phys. 2007, 101, 014507