External electric field manipulations on structural phase transition of vanadium dioxide nanoparticles and its application in field effect transistor

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 115, Issue 47, 2011, Pages 23558-23563

  Li, W W ^a   Zhu, J J ^a   Liang, J R ^b,c   Hu, Z G ^a   Liu, J ^a,b   Chen, H D ^b   Chu, J H ^a  

^a EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY   (China)

^b INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS   (China)

^c TIANJIN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

APPLIED VOLTAGES; COOLING PROCESS; ELECTRONS AND HOLES; EXTERNAL ELECTRIC FIELD; FITTING RESULTS; HEATING PROCESS; HEATING UP; PHONON MODE; POSITIVE VOLTAGE; RAMAN SCATTERING SPECTRA; STRUCTURAL PHASE TRANSITION; THREE-TERMINAL DEVICES; VANADIUM DIOXIDE; VIBRATION MODES;

ELECTRIC FIELD EFFECTS; FIELD EFFECT TRANSISTORS; LATTICE VIBRATIONS; METAL INSULATOR BOUNDARIES; NANOPARTICLES; SEMICONDUCTOR INSULATOR BOUNDARIES; SILICON COMPOUNDS; VANADIUM;

METAL INSULATOR TRANSITION;

EID: 82155192912     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp207196g     Document Type: Article

References (43)

1. Qazilbash, M. M.; Brehm, M.; Chae, B. G.; Ho, P. C.; Andreev, G. O.; Kim, B. J.; Yun, S. J.; Balatsky, A. V.; Maple, M. B.; Keilmann, F.; Kim, H. T.; Basov, D. N. Science 2007, 318, 1750
2. Booth, J. M.; Casey, P. S. ACS. Appl. Mater. Interfaces 2009, 1, 1899
3. Mannhart, J.; Schlom, D. G. Science 2010, 327, 1607
4. Corr, S. A.; Shoemaker, D. P.; Melot, B. C.; Seshadri, R. Phys. Rev. Lett. 2010, 105, 056404
5. Lu, S. W.; Hou, L. S.; Gan, F. X. Adv. Mater. 1997, 9, 244
6. Whittaker, L.; Jaye, C.; Fu, Z. G.; Fischer, D. A.; Banerjee, S. J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 8884
7. Cao, J.; Fan, W.; Chen, K.; Tamura, N.; Kunz, M.; Eyert, V.; Wu, J. Phys. Rev. B 2010, 82, 241101R
8. Mlyuka, N. R.; Niklasson, G. A.; Granqvist, C. G. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 171909
9. Sohn, J. I.; Joo, H. J.; Ahn, D.; Lee, H. H.; Porter, A. E.; Kim, K.; Kang, D. J.; Welland, M. E. Nano Lett. 2009, 9, 3392
10. Cao, J.; Ertekin, E.; Srinivasan, V.; Fan, W.; Huang, S.; Zheng, H.; Yim, J. W. L.; Khanal, D. R.; Ogletree, D. F.; Grossman, J. C.; Wu, J. Nat. Nanotechnol. 2009, 4, 732
11. Ko, C.; Ramanathan, S. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 252101
12. Kim, H. T.; Chae, B. G.; Youn, D. H.; Kim, G.; Kang, K. Y.; Lee, S. J.; Kim, K.; Lim, Y. S. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 242101
13. Yang, Z.; Ko, C.; Ramanathan, S. J. Appl. Phys. 2010, 108, 073708
14. Xie, R. G.; Bui, C. T.; Varghese, B.; Zhang, Q. X.; Sow, C. H.; Li, B. W.; Thong, J. T. L. Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 1602
15. Kim, H. T.; Lee, Y. W.; Kim, B. J.; Chae, B. G.; Yun, S. J.; Kang, K. Y.; Han, K. J.; Yee, K. J.; Lim, Y. S. Phys. Rev. Lett. 2006, 97, 266401
16. Yao, T.; Zhang, X. D.; Sun, Z. H.; Liu, S. J.; Huang, Y. Y.; Xie, Y.; Wu, C. Z.; Yuan, X.; Zhang, W. Q.; Wu, Z. Y.; Pan, G. Q.; Hu, F. C.; Wu, L. H.; Liu, Q. H.; Wei, S. Q. Phys. Rev. Lett. 2010, 105, 226405
17. Kim, B. J.; Lee, Y. W.; Chae, B. G.; Yun, S. J.; Oh, S. Y.; Kim, H. T.; Lim, Y. S. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 023515
18. Wu, J. Q.; Gu, Q.; Guiton, B. S.; de Leon, N. P.; Ouyang, L.; Park, H. Nano Lett. 2006, 6, 2313
19. Wei, J.; Wang, Z.; Chen, W.; Cobden, D. H. Nat. Nanotechnol. 2009, 4, 420
20. Appavoo, K.; Haglund, R. F., Jr. Nano Lett. 2011, 11, 1025
21. Hu, B.; Ding, Y.; Chen, W.; Kulkarni, D.; Shen, Y.; Tsukruk, V. V.; Wang, Z. L. Adv. Mater. 2010, 22, 5134
22. Donev, E. U.; Lopez, R.; Feldman, L. C.; Haglund, R. F., Jr. Nano Lett. 2009, 9, 702
23. Li, W. W.; Zhu, J. J.; Xu, X. F.; Jiang, K.; Hu, Z. G.; Zhu, M.; Chu, J. H. J. Appl. Phys. 2011, 110, 013504
24. Liang, J. R.; Hu, M.; Wang, X. D.; Li, G. K.; Ji, A.; Yang, F. H.; Liu, J.; Wu, N. J.; Chen, H. D. Acta Phys.-Chim. Sin. 2009, 25, 1523
25. Kim, H. T.; Chae, B. G.; Youn, D. H.; Maeng, S. L.; Kim, G.; Kang, K. Y.; Lim, Y. S. New J. Phys. 2004, 6, 52
26. Tselev, A.; Meunier, V.; Strelcov, E.; Shelton, W. A., Jr.; Lukyanchuk, I. A.; Jones, K.; Proksch, R.; Kolmakov, A.; Kalinin, S. V. ACS Nano 2010, 4, 4412
27. Zhang, S. X.; Chou, J. Y.; Lauhon, L. J. Nano Lett. 2009, 9, 4527
28. Mun, B. S.; Chen, K.; Leem, Y.; Dejoie, C.; Tamura, N.; Kunz, M.; Liu, Z.; Grass, M. E.; Park, C.; Yoon, J.; Lee, Y. Y.; Ju, H. Phys. Status Solidi RRL 2011, 5, 107
29. Shin, Y.; Moon, J.; Ju, H. J. Korean Phys. Soc. 2008, 52, 1828
30. Chen, C. H.; Wang, R. F.; Shang, L.; Guo, C. F. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 171101
31. Schilbe, P. Phys. B 2002, 316-317, 600
32. Kang, L. T.; Gao, Y. F.; Zhang, Z. T.; Du, J.; Cao, C. X.; Chen, Z.; Luo, H. J. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 1901
33. Zhang, Z. T.; Gao, Y. F.; Chen, Z.; Du, J.; Cao, C. X.; Kang, L. T.; Luo, H. J. Langmuir 2010, 26, 10738
34. Arcangeletti, E.; Baldassarre, L.; Di Castro, D.; Lupi, S.; Malavasi, L.; Marini, C.; Perucchi, A.; Postorino, P. Phys. Rev. Lett. 2007, 98, 196406
35. Wu, C. Z.; Wei, H.; Ning, B.; Xie, Y. Adv. Mater. 2010, 22, 1972
36. Liu, W. T.; Cao, J.; Fan, W.; Hao, Z.; Martin, M. C.; Shen, Y. R.; Wu, J.; Wang, F. Nano Lett. 2011, 11, 466
37. Liu, Q.; Long, S. B.; Wang, W.; Tanachutiwat, S.; Li, Y. T.; Wang, Q.; Zhang, M. H.; Huo, Z. L.; Chen, J. N.; Liu, M. IEEE Electron Device Lett. 2010, 31, 1299
38. Ruzmetov, D.; Heiman, D.; Claflin, B. B.; Narayanamurti, V.; Ramanathan, S. Phys. Rev. B 2009, 79, 153107
39. Chen, C. H.; Fan, Z. Y. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 262106
40. Qazilbash, M. M.; Schafgans, A. A.; Burch, K. S.; Yun, S. J.; Chae, B. G.; Kim, B. J.; Kim, H. T.; Basov, D. N. Phys. Rev. B 2008, 77, 115121
41. Eyert, V. Ann. Phys. 2002, 11, 650
42. Frenzel, A.; Qazilbash, M. M.; Brehm, M.; Chae, B. G.; Kim, B. J.; Kim, H. T.; Balatsky, A. V.; Keilmann, F.; Basov, D. N. Phys. Rev. B 2009, 80, 115115
43. Kim, J.; Ko, C.; Frenzel, A.; Ramanathan, S.; Hoffman, J. E. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 213106