Characterization of a solution-processed YHfZnO gate insulator for thin-film transistors

Journal of Information Display

Volumn 11, Issue 4, 2010, Pages 165-168

  Kim, Si Joon ^a   Kim, Dong Lim ^a   Kim, Doo Na ^a   Kim, Hyun Jae ^a  

^a Yonsei University   (South Korea)

Author keywords

Electron affinity; Gate insulator; Oxide compound; Solution process; TFT; Yttrium hafnium zinc oxide

Indexed keywords

EID: 80053559676     PISSN: 15980316     EISSN: 21581606     Source Type: Journal    
DOI: 10.1080/15980316.2010.9665846     Document Type: Article

References (16)

1. K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Science300, 1269 (2003).
2. H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Aiba, T. Den, and H. Ku- momi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett.89, 112123 (2006).
3. X. H. Zhang, B. Domercq, X. Wang, S. Yoo, T. Kondo, Z. L. Wang, and B. Kippelen, Organic Electronics8, 718 (2007).
4. Y. Ohya, T. Kume, and Y Ban, Jpn. J. Appl. Phys44, 1919 (2005).
5. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys 89, 5243 (2001).
6. J. Robertson, Rep. Prog. Phys.69, 327 (2006).
7. J. F. Wager, D. A. Keszler, and R. E. Presley, Transparent Electronics, Springer (2008).
8. S. J. Kim, D. L. Kim, and H. J. Kim, Thin Solid Films517, 4135 (2009).
9. B. S. Ong, C. Li, Y Li, Y Wu, and R. Loutfy, J. Am. Chem. Soc.129, 2750 (2007).
10. G. H. Kim, B. D. Ahn, H. S. Shin, W. H. Jeong, H. J. Kim, and H. J. Kim, Appl. Phys. Lett.94, 33501 (2009).
11. G. H. Kim, H. S. Shin, B. D. Ahn, K. H. Kim, W. J. Park, and H. J. Kim, J. Electrochem. Soc.156, H7 (2009).
12. T. Nishide and M. Shibata, J. Sol-Gel Sci. Technol.21, 189 (2001).
13. T. Nishide, S. Honda, M. Matsuura, M. Ide, Thin Solid Films371, 61 (2000).
14. Y P Zhao, G. C. Wang, and T. M. Lu, Phys. Rev. B60, 9157 (1999).
15. S. J. Kim, G. H. Kim, D. L. Kim, D. N. Kim, and H. J. Kim, Phys. Status Solidi A207, 1668 (2010).
16. R. Martins, P. Barquinha, I. Ferreira, L. Pereira, G. Goncalves, and E. Fortunato, J. Appl. Phys.101, 044505 (2007).