Dependences of the characteristics of an InGaP/GaAs HBT for applications in power amplifiers on the structural parameters

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 59, Issue 21, 2011, Pages 435-438

  Min, Byoung Gue ^a   Yoon, Hyung Sup ^a   Lee, Jong Min ^a   Kim, Seong Il ^a   Kim, Hae Cheon ^a   Choi, Il Hwan ^b   Jang, Kyung Wook ^b  

^a Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)   (South Korea)

^b Hanseo University   (South Korea)

Author keywords

GaAs; HBT; InGaP; Power amplifier; Uniformity

Indexed keywords

EID: 79961217846     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.59.435     Document Type: Article

References (15)

1. S. I. Kim, B. G. Min, J. M. Lee, K. H. Lee, K. S. Chae, C. W. Kim and H. Shin, J. Korean Phys. Soc. 42, S230 (2003).
2. S. W. Yoon and S. I. Kim, Electron. Lett. 46, 1573 (2010).
3. J. M. Lee, B. G. Min, S. I. Kim, K. H. Lee, S. H. Park and I. H. Choi, J. Korean Phys. Soc. 40, 320 (2002).
4. J. M. Lee, I. H. Choi, S. H. Park, B. G. Min, T. W. Lee, M. P. Park and K. H. Lee, J. Korean Phys. Soc. 37, 43 (2000).
5. B. G. Min, J. M. Lee, S. I. Kim, K. H. Lee and C. W. Ju, J. Korean Phys. Soc. 42, S518 (2003).
6. J. M. Lee, T. W. Lee, S. H. Park, B. G. Min, M. P. Park, K. H. Lee and I. H. Choi, Mater. Sci. Eng., B 79, 63 (2001).
7. J. M. Lee, S. I. Kim, B. G. Min and K. H. Lee, J. Korean Phys. Soc. 42, S234 (2003).
8. T. Iwai, S. Ohara, H. Yamada, Y. Yamaguchi, K. Imanishi and K. Joshin, IEEE Trans. Electron Devices 45, 1196 (1998).
9. M. Salib, F. Ali, A. Gupta, B. Bayraktaroglu and D. Dawson, IEEE Microw. Guided W. 4, 320 (1994).
10. B. L. Nelson, C. B. Perry, R. Dixit, B. R. Allen, M. E. Kim, A. K. Oki, J. B. Camou and D. K. Umemoto, in IEEE GaAs IC Symp. Technical Digest (San Diego, CA, October 22-25, 1989), p. 79.
11. C. M. Wang, H. T. Hsu, H. C. Shu and Y. M. Hsin, IEEE Electron Device Lett. 25, 58 (2004).
12. S. Jeon, H. M. Park and S. Hong. IEEE Trans. Electron Devices 48, 2442 (2001).
13. H. Ito, O. Nakajima, K. Nagata, T. Makimura and T. Ishibashi, Jpn. J. Appl. Phys. 32, L1500 (1993).
14. B. G. Min, K. H. Lee, J. M. Lee, S. I. Kim and C. W. Ju, J. Korean Phys. Soc. 45, S601 (2004).
15. J. M. Lee, B. G. Min, S. I. Kim, K. H. Lee and H. C. Kim, ETRI J. 31, 749 (2009).