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Volumn 42, Issue SPEC., 2003, Pages

Current gain improvement of InGaP/GaAs HBT by a newly developed emitter ledge process

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HBT; InGaP; Ledge

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EID: 0037306755     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Conference Paper
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References (7)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.