Epitaxial graphene growth on α-SiC: Probing the effect of surface orientation

Nanoscience and Nanotechnology Letters

Volumn 3, Issue 1, 2011, Pages 49-54

  Camara, N ^a,b   Jouault, B ^a   Caboni, A ^b   Tiberj, A ^a   Godignon, P ^b   Camassel, J ^a  

^a CNRS   (France)

^b CSIC   (Spain)

Author keywords

Epitaxial graphene; Graphene; Quantum hall effect; Raman; SiC

Indexed keywords

EPITAXIAL GRAPHENE; HIGH CARRIER MOBILITY; HYDROGEN ANNEALING; N-TYPE DOPING; NON-POLAR; P-TYPE; QUANTUM HALL EFFECT; RAMAN; SIC; SINGLE LAYER; STRAIN-FREE; SURFACE ORIENTATION;

CARRIER MOBILITY; DOPING (ADDITIVES); EPITAXIAL GROWTH; GRAPHENE; GYRATORS; HALL EFFECT; HALL EFFECT DEVICES; MAGNETIC FIELD EFFECTS; QUANTUM THEORY; SILICON; SILICON CARBIDE; SURFACES;

SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS;

EID: 79952320027     PISSN: 19414900     EISSN: 19414919     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/nnl.2011.1118     Document Type: Article

References (26)

1. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov, Science 306, 666 (2004).
2. C. Berger, Z. M. Song, T. B. Li, X. B. Li, A. Y. Ogbazghi, R. Feng, Z. T. Dai, A. N. Marchenkov, E. H. Conrad, P. N. First, and W. A. de Heer, J. Phys. Chem. B 108, 19912 (2004).
3. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, M.I. Katsnelson, I. V. Grigorieva, S. V. Dubonos, and A. A. Firsov, Nature 438, 197 (2005).
4. A. K. Geim, Science 324, 1530 (2009).
5. Y. Hernandez, V. Nicolosi, M. Lotya, F. M. Blighe, Z. Sun, S. De, I. T. McGovern, B. Holland, M. Byrne, Y. K. Gun'Ko, J. J. Boland, P. Niraj, G. Duesberg, S. Krishnamurthy, R. Goodhue, J. Hutchison, V. Scardaci, A. C. Ferrari, and J. N. Coleman, Nature Nano. 3, 563 (2008).
6. P. W. Sutter, J. I. Flege, and E. A. Sutter, Nat. Mater. 7, 406 (2008).
7. K. S. Kim , Y. Zhao, H. Jang, S. Y. Lee, J. M. Kim, K. S KiM, J.-H. ' Ahn, P. Kim, J.-Y. Choi, and B. H. Hong, Nature 457, 706 (2009).
8. S. Bae, H. Kim, Y. Lee, X. Xu, J.-S. Park, Y. Zheng, J. Balakrishnan, T. Lei, H. R. Kim, Y. I. Song, Y.-J. Kim, K. S. Kim, B. Özyilmaz, J.-H. Ahn, B. H. Hong, and S. Iijima, Nat. Nanotechnol. 5, 574 (2010).
9. C. Berger, Z. M. Song, X. B. Li, X. S. Wu, N. Brown, C. Naud, D. Mayou, T. B. Li, J. Hass, A. N. Marchenkov, E. H. Conrad, P. N. First, and W. A. de Heer, Science 312, 1191 (2006).
10. P. Sutter, Nat. Mater. 8, 171 (2009).
11. http://www.itrs.net ITRS: Emerging Research Materials 2009.
12. J. Kedzierski, P. L. Hsu, P. Healey, P. W. Wyatt, C. L. Keast, M. Sprinkle, C. Berger, and W. A. de Heer, IEEE Trans. Elect. Dev. 55, 2078 (2008).
13. J. Hass, R. Feng, T. Li, X. Li, Z. Zong, W. A. de Heer, P. N. First, E. H. Conrad, C. A. Jeffrey, and C. Berger, Appl. Phys. Lett. 89, 143106 (2006).
14. W. A. de Heer, C. Berger, X. S. Wu, P. N. First, E. H. Conrad, X. B. Li, T. B. Li, M. Sprinkle, J. Hass, M. L. Sadowski, M. Potemski, and G. Martinez, Solid State Commun. 143, 92 (2007).
15. J. Hass, R. Feng, J. E. Millan-Otoya, X. Li, M. Sprinkle, P. N. First, W. A. de Heer, E. H. Conrad, and C. Berger, Phys. Rev. B 75, 214109 (2007) .
16. C. Virojanadara, M. Syvajarvi, R. Yakimova, L. I. Johansson, A. A. Zakharov, and T. Balasubramanian, Phys. Rev. B 78, 245403 (2008) .
17. K. V. Emtsev, A. Bostwick, K. Horn, J. Jobst, G. L. Kellogg, L. Ley, J. L. McChesney, T. Ohta, S. A. Reshanov, E. Rotenberg, A. K. Schmid, D. Waldmann, H. B. Weber, and T. Seyller, Nat. Mater.8 203 (2009).
18. S. Sonde, F. Giannazzo, V. Raineri, R. Yakimova, J.-R. Huntzinger, A. Tiberj, and J. Camassel, Phys. Rev. B 80, 241406(R) (2009).
19. F. Varchon, P. Mallet, J.-Y. Veuillen, and L. Magaud, Phys. Rev. B 77, 235412 (2008).
20. N. Camara, G. Rius, J.-R. Huntzinger, A. Tiberj, L. Magaud, N. Mestres, P. Godignon, and J. Camassel, Appl. Phys. Lett. 93, 263102 (2009).
21. N. Camara, J.-R. Huntzinger, G. Rius, A. Tiberj, N. Mestres, F. Pérez-Murano, P. Godignon, and J. Camassel, Phys. Rev. B 80, 125410 (2009).
22. N. Camara, A. Tiberj, B. Jouault, A. Caboni, B. Jabakhanji, N. Mestres, P. Godignon, and J. Camassel, J. Phys. D 83, 374011 (2010).
23. N. Camara, B. Jouault, A. Caboni, B. Jabakhanji, W. Desrat, E. Pausas, C. Consejo, N. Mestres, P. Godignon, and J. Camassel, Appl. Phys. Lett. 97, 093107 (2010).
24. J. B. Hannon and R. M. Trump, Phys. Rev. B 77, 241404(R) (2005).
25. M. K. Yakes, D. Gunlycke, J. L. Tedesco, P. M. Campbell, R. L. Myers-Ward, C. R. Eddy, Jr., D. K. Gaskill, P. E. Sheehan, A. R. Laracuente, Nano Lett. 10, 1559 (2010).
26. B. Jouault, B. Jabakhanji, N. Camara, W. Desrat, A. Tiberj, J. R. Huntzinger, C. Consejo, A. Caboni, P. Godignon, Y. Kopelevich, and J. Camassel, Phys. Rev. B 82, 085438 (2010).