Photoluminescence study of rapid thermal annealed GaAs/AlGaAs quantum dots formed by low energy ion sputtering

Advanced Science Letters

Volumn 3, Issue 4, 2010, Pages 393-397

  Wang, Y ^a   Yoon, S F ^a   Ngo, C Y ^b   Liu, C Y ^c  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^b INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

^c TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 77957566443     PISSN: 19366612     EISSN: 19367317     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/asl.2010.1156     Document Type: Article

References (23)

1. C. Y. Ngo, S. F. Yoon, W. J. Fan, and S. J. Chua, Appl. Phys. Lett. 90, 13103 (2007).
2. Z. Z. Sun, S. F. Yoon, K. C. Yew, and B. X. Bo, J. Cryst. Growth 263, 99 (2004).
3. C. Y. Liu, S. F. Yoon, Z. Z. Sun, and K. C. Yew, Appl. Phys. Lett. 88, 081105 (2006).
4. A. Rastelli, S. Stufler, A. Schliwa, R. Songmuang, C. Manzano, G. Costantini, K. Kern, A. Zrenner, D. Bimberg, and O. G. Schmidt, Phys. Rev. Lett. 92, 166104 (2004).
5. X. Mei, M. Blumin, M. Sun, D. Kim, Z. H. Wu, H. E. Ruda, and Q. X. Guo, Appl. Phys. Lett. 82, 967 (2003).
6. N. Koguchi, S. Takahashi, and T. Chikyow, J. Cryst. Growth 111, 688 (1991).
7. T. Mano, T. Kuroda, M. Yamagiwa, G. Kido, K. Sakoda, and N. Koguchi, Appl. Phys. Lett. 89, 183102 (2006).
8. S. Facsko, T. Dekorsy, C. Koerdt, C. Trappe, H. Kurz, A. Vogt, and H. Hartnagel, Science 285, 155 (1999).
9. E. O. Yewande, R. Kree, and A. K. Hartmann, Phys. Rev. B 75, 155325 (2007).
10. J. Erlebacher, M. J. Aziz, E. Chason, M. B. Sinclair, and J. A. Floro, Phys. Rev. Lett. 82, 2330 (1999).
11. H. C. Chen, C. M. Huang, K. F. Liao, S. W. Lee, C. H. Hsu, and L. J. Chen, Phys. Res. B 237, 465 (2005).
12. T. Bobek, S. Facsko, H. Kurz, T. Dekorsy, M. Xu, and C. Teichert, Phys. Rev. B 68, 85324 (2003).
13. Y. Wang, S. F. Yoon, C. Y. Liu, C. Y. Ngo, and J. Ahn, Nanotechnology 19, 015602 (2008).
14. H. J. Park, J. H. Kim, J. J. Yoon, J. S. Son, D. Y. Lee, H. H. Ryu, M. Jeon, and J. Y. Leem, J. Cryst. Growth 300, 319 (2007).
15. T. Yang, J. Tatebayashi, K. Aoki, M. Nishioka, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 90, 111912 (2007).
16. S. Sanguinetti, K. Watanabe, T. Kuroda, F. Minami, Y. Gotoh, and N. Koguchia, J. Cryst. Growth 242, 321 (2002).
17. V. Mantovani, S. Sanguinetti, M. Guzzi, E. Grilli, M. Gurioli, K. Watanabe, and N. Koguchi, J. Appl. Phys. 96, 4416 (2004).
18. Y. Wang, S. F. Yoon, C. Y. Ngo, and J. Ahn, Nanoscale Res. Lett. 2, 504 (2007).
19. P. Michler, A. Hangleiter, M. Moser, M. Geiger, and F. Scholz, Phys. Rev. B 46, 7280 (1992).
20. S. Iyer, S. Hegde, A. Abul-fadl, K. K. Bajaj, and W. Mitchel, Phys. Rev. B 47, 1329 (1993).
21. R. F. Kopf, M. H. Herman, M. L. Schnoes, and C. Colvard, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 813 (1993).
22. K. Watanabe, S. Tsukamoto, Y. Gotoh, and N. Koguchi, J. Cryst. Growth 227, 1073 (2001).
23. T. E. Schlesinger and T. Kuech, Appl. Phys. Lett. 49, 519 (1986).