Low-temperature growth of ZnO nanowire arrays on p-silicon (111) for visible-light-emitting diode fabrication

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 114, Issue 35, 2010, Pages 14781-14785

  Lupan, O ^a   Pauporte T ^a   B Viana, ^b  

^a PSL RESEARCH UNIVERSITY   (France)

^b UNIVERSITÉ PIERRE ET MARIE CURIE   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DEEP DEFECTS; DEEP LEVEL; DEVICE CURRENTS; ELECTROCHEMICAL METHODS; ENERGY-BAND DIAGRAM; FORWARD BIAS; FORWARD VOLTAGE; HETEROSTRUCTURES; HOLE INJECTION; ITO ELECTRODES; LOW DENSITY; LOW TEMPERATURE GROWTH; LOW TEMPERATURES; MICRO-RAMAN; OPTICAL QUALITIES; P-TYPE SI; PHOTOLUMINESCENCE EMISSION; RADIATIVE RECOMBINATION; ROOM TEMPERATURE; SILICON (111); VISIBLE BAND; VISIBLE LIGHT; ZNO; ZNO NANOWIRE ARRAYS; ZNO NANOWIRES;

ELECTRIC RECTIFIERS; ELECTRON MOBILITY; HETEROJUNCTIONS; LIGHT EMISSION; LIGHT EMITTING DIODES; NANOWIRES; SILICON WAFERS; ZINC OXIDE;

SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS;

EID: 77956978577     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp104684m     Document Type: Article

References (40)

1. Ozgur, U.; Alivov, Y. I.; Liu, C.; Teke, A.; Reshchikov, M. A.; Dogan, S.; Avrutin, V.; Cho, S. J.; Morkoç, H. J. Appl. Phys. 2005, 98, 041301.
2. Pauporté, T. Design of Solution-Grown ZnO Nanostructures in Toward Functional Nanomaterials. In Lecture Notes in Nanoscale Science and Technology; Wang, Z. M., Ed.; Springer: New York, 2009; Vol. 5, Chapter 2, pp 77-127.
3. Könenkamp, R.; Word, R. W.; Godinez, M. Nano Lett. 2005, 5, 2005.
4. Law, M.; Greene, L. E.; Johnson, J. C.; Saykally, R.; Yang, P. Nat. Mater. 2005, 4, 455-459.
5. Lupan, O.; Guérin, V. M.; Tiginyanu, I. M.; Ursaki, V. V.; Chow, L.; Heinrich, H.; Pauporté, T. J. Photochem. Photobiol., A 2010, 211, 65-73.
6. Badre, C.; Pauporté, T. Adv. Mater. 2009, 21, 697-701.
7. Pauporté, T.; Bataille, G.; Joulaud, L.; Vermersch, J. F. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 194-202.
8. Wang, X. D.; Summers, C. J.; Wang, Z. L. Nano Lett. 2004, 4, 423-426.
9. Tseng, Y. K.; Huang, C. J.; Cheng, H. M.; Lin, I. N.; Liu, K. S.; Chen, I. C. Adv. Funct. Mater. 2003, 13, 811-814.
10. Jeong, M. C.; Oh, B. Y.; Ham, M. H.; Myoung, F. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 202105.
11. Lupan, O.; Pauporté, T.; Viana, B. ACS Appl. Mater. Interfaces 2010, 2, 2083-2090.
12. Huang, M. H.; Mao, S.; Feick, H.; Yan, H.; Wu, Y.; Kind, H.; Weber, E.; Russo, R.; Yang, P. Science 2001, 292, 1897-1899.
13. Jeong, M. C.; Oh, B. Y.; Ham, M. H.; Lee, S. W.; Myong, J. M. Small 2007, 3, 568-572.
14. Ye, J. D.; Gu, S. L.; Gu, S. M.; Zhu, S. M.; Liu, W.; Zhang, R.; Shi, Y.; Zheng, Y. D. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 182112.
15. Sun, H.; Zhang, Q. F.; Wu, J. L. Nanotechnology 2006, 17, 2271-2274.
16. Tan, S. T.; Sun, X. W.; Zhao, J. L.; Iwan, S.; Cen, Z. H.; Chen, T. P.; Ye, J. D.; Lo, G. Q.; kwong, D. L.; Teo, K. L. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 013506.
17. Hsieh, Y. P.; Chen, H. Y.; Lin, M. Z.; Shiu, S. S.; Hofmann, M.; Chern, M. Y. Nano Lett. 2009, 9, 1839-1843.
18. Wang, F. F.; Cao, L.; Liu, R. B.; Pan, A. L.; Zou, B. S. Chin. Phys. 2007, 16, 1790-1795.
19. Li, X.; Zhang, B.; Dong, X.; Zhang, Y.; Xia, X.; Zhao, W.; Du, G. J. Lumin. 2009, 129, 86-89.
20. Kim, D. C.; Han, W. S.; Cho, H. K.; Kong, B. H.; Kin, H. S. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 231901.
21. Klason, P.; Rahman, M. M.; Hu, Q. H.; Nur, O.; Turan, R.; Willander, M. Microelectron. J. 2009, 40, 706-710.
22. Rout, C. S.; Rao, C. N. R. Nanotechnology 2008, 19, 285203.
23. Zhang, Y. W.; Li, X. M.; Yu, W. D.; Gao, X. D.; Gu, Y. F.; Yang, C.; Zhao, J. L.; Sun, X. W.; Tan, S. T.; Kong, J. F.; Shen, W. Z. J. Phys. D 2008, 41, 205105.
24. Sun, M. H.; Zhang, Q. F.; Sun, H.; Zhang, J. Y.; Wu, J. L. J. Vac. Sci. Technol., B 2009, 27, 618-621.
25. Rappich, J.; Fahoume, M. Thin Solid Films 2005, 487, 157-161.
26. Kern, W. A.; Puotinen, D. A. RCA Rev. 1970, 31, 187-197.
27. Goux, A.; Pauporté, T.; Lincot, D. Electrochim. Acta 2006, 51, 3168-3172.
28. Pauporté, T.; Jouanno, E.; Pellé, F.; Viana, B.; Aschehoung, P. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 10422-10431.
29. Konenkamp, R.; Word, R. C.; Dosmailov, M. J. Appl. Phys. 2007, 102, 056103.
30. Lupan, O.; Pauporté, T.; Chow, L.; Viana, B.; Pellé, F.; Roldan Cuenya, B.; Ono, L. K.; Heinrich, H. Appl. Surf. Sci. 2010, 256, 1895-1907.
31. Chow, L.; Lupan, O.; Heinrich, H.; Chai, G. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 163105.
32. Chen, Y.; Bagnall, D. M.; Koh, H.-j.; Park, K.-t.; Hiraga, K.; Zhu, Z.; Yao, T. J. Appl. Phys. 1998, 84, 3912-3918.
33. Meyer, B. K.; Alves, H.; Hofmann, D. M.; Kriegseis, W.; Forster, D.; Bertram, F.; Christen, J.; Hoffmann, A.; Strassburg, M.; Dworzak, M.; Haboeck, U.; Rodina, A. V. Phys. Status Solidi B 2004, 241, 231-260.
34. Loewenstein, T.; Sann, J.; Neumann, C.; Meyer, B. K.; Schlettwein, D. Phys. Status Solidi A 2008, 205, 2382-2387.
35. Cui, J. B. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 10385-10388.
36. Chen, C. H.; Chang, S. J.; Chang, S. P.; Li, M. J.; Chen, I. C.; Hsueh, T. J.; Hsu, C. L. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 223101.
37. Chen, P.; Ma, X.; Yang, D. J. Appl. Phys. 2007, 101, 053103.
38. Jeong, I. S.; Kim, J. H.; Im, S. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 2946-2948.
39. Skuja, L. J. Non-Cryst. Solids 1994, 179, 51-69.
40. Tohmon, R.; Shimogaichi, Y.; Mizuno, H.; Ohki, Y.; Nagasawa, K.; Hama, Y. Phys. Rev. Lett. 1989, 62, 1388-1391.