Effect of temperature gradient direction in the catalyst nanoparticle on CNTs growth mode

Nanoscale Research Letters

Volumn 5, Issue 9, 2010, Pages 1393-1402

  Lo, An Ya ^a   Liu, Shang Bin ^b   Kuo, Cheng Tzu ^c  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b INSTITUTE OF ATOMIC AND MOLECULAR SCIENCES   (Taiwan)

^c MINGDAO UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

Base growth; CNTs; CVD; Growth mechanism; Tip growth

Indexed keywords

BASE-GROWTH; CNTS; CVD; GROWTH MECHANISMS; TIP-GROWTH;

CATALYSTS; NANOPARTICLES; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; SILICON WAFERS; THERMAL GRADIENTS;

EXPERIMENTS;

ALLIUM CEPA;

EID: 77955712448     PISSN: 19317573     EISSN: 1556276X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1007/s11671-010-9648-4     Document Type: Article

References (67)

1. S. Iijima, Nature 354, 56 (1991).
2. J. Wei, B. Jiang, X. Zhang, H. Zhu, D. Wu, Chem. Phys. Lett. 376, 753 (2003).
3. S. Iijima, T. Ichihashi, Nature 363, 603 (1993).
4. D. S. Bethune, C. H. Klang, M. S. de Vries, G. Gorman, R. Savoy, J. Vazquez, R. Beyers, Nature 363, 605 (1993).
5. R. Saito, M. Fujita, G. Dresselhaus, M. S. Dresselhaus, Appl. Phys. Lett. 60, 2204 (1992).
6. H. Zhu, K. Suenaga, A. Hashimoto, K. Urita, S. Iijima, Small 1, 1180 (2005).
7. M. Ge, K. Sattler, Appl. Phys. Lett. 65, 18-2284 (1994).
8. S. Amelinckx, X. B. Zhang, D. Bernaerts, X. F. Zhang, V. Ivanov, J. B. Nagy, Science 265, 635 (1994).
9. D. Bernaerts, X. B. Zhang, X. F. Zhang, S. Amelinckx, G. van Tendeloo, J. van Landuyt, V. Ivanov, J. B. Nagy, Philos. Mag. A 71, 605 (1995).
10. Z. W. Pan, S. S. Xie, B. H. Chang, L. F. Sun, W. Y. Zhou, G. Wang, Chem. Phys. Lett. 299, 97 (1999).
11. C. Bower, O. Zhou, W. Zhu, D. J. Werder, S. Jin, Appl. Phys. Lett. 77, 2767 (2000).
12. A. J. Hart, B. O. Boskovic, A. T. H. Chuang, V. B. Golovko, J. Robertson, B. F. G. Johnson, A. H. Slocum, Nanotechnology 17, 1397 (2006).
13. C. T. Kuo, C. H. Lin, A. Y. Lo, Diam. Relat. Mater. 12, 799 (2003).
14. C. H. Lin, H. L. Chang, C. M. Hsu, A. Y. Lo, C. T. Kuo, Diam. Relat. Mater. 12, 1851 (2003).
15. Y. Abdi, J. Koohsorkhi, J. Derakhshandeh, S. Mohajerzadeh, H. Hoseinzadegan, M. D. Robertson, J. C. Bennet, X. Wu, H. Radamson, Mater. Sci. Eng. C 26, 1219 (2006).
16. H. Y. Yap, B. Ramaker, A. V. Sumant, R. W. Carpick, Diam. Relat. Mater. 15, 1622 (2006).
17. Z. F. Ren, Z. P. Huang, J. W. Xu, J. H. Wang, P. Bush, M. P. Siegal, P. N. Provencio, Science 282, 1105 (1998).
18. C. M. Hsu, C. H. Lin, H. L. Chang, C. T. Kuo, Thin Solid Films 420, 225 (2002).
19. H. Murakami, M. Hirakawa, C. Tanaka, H. Yamakawa, Appl. Phys. Lett. 76, 1776 (2000).
20. Y. Chen, D. T. Shaw, L. Guo, Appl. Phys. Lett. 76, 2469 (2000).
21. P. L. Chen, J. K. Chang, C. K. Kuo, F. M. Pan, Diam. Relat. Mater. 13, 1949 (2004).
22. C. J. Lee, J. Park, Appl. Phys. Lett. 77, 3397 (2000).
23. S. Fan, M. G. Chapline, N. R. Franklin, T. W. Tombler, A. M. Cassell, H. Dai, Science 283, 512 (1999).
24. G. S. Choi, Y. S. Cho, S. Y. Hong, J. B. Park, K. H. Son, D. J. Kim, J. Appl. Phys. 91, 3847 (2002).
25. G. Gulino, R. Vieira, J. Amadou, P. Nguyen, M. J. Ledoux, S. Galvagno, G. Centi, C. Pham-Huu, Appl Catal A Gen 279, 89 (2005).
26. N. Zhao, C. He, Z. Jiang, J. Li, Y. Li, Mater. Lett. 60, 159 (2006).
27. C. J. Lee, S. C. Lyu, Y. R. Cho, J. H. Lee, K. I. Cho, Chem. Phys. Lett. 341, 245 (2001).
28. K. S. Choi, Y. S. Cho, S. Y. Hong, J. B. Park, D. J. Kim, J. Eur. Ceram. Soc. 21, 2095 (2001).
29. C. J. Lee, D. W. Kim, T. J. Lee, Y. C. Choi, Y. S. Park, Y. H. Lee, W. B. Choi, N. S. Lee, G. S. Park, J. M. Kim, Chem. Phys. Lett. 312, 461 (1999).
30. A. C. Dupuis, Prog. Mater. Sci. 50, 929 (2005).
31. A. V. Melechko, V. I. Merkulov, D. H. Lowndes, M. A. Guillorn, M. L. Simpson, Chem. Phys. Lett. 356, 527 (2002).
32. W. Y. Lee, T. X. Liao, Z. Y. Juang, C. H. Tsai, Diam. Relat. Mater. 13, 1232 (2004).
33. A. Malesevic, H. Chen, T. Hauffman, A. Vanhulsel, H. Terryn, C. V. Haesendonck, Nanotechnology 18, 455602 (2007).
34. C. Li, H. Zhu, K. Suenaga, J. Wei, K. Wang, D. Wu, Mater. Lett. 63, 1366 (2009).
35. K. Hernadi, L. Thin-Nga, L. Forr, J. Phys. Chem. B 105(50), 12464 (2001).
36. K. Akagi, R. Tamura, M. Tsukasa, Phys. Rev. Lett. 74, 2307 (1995).
37. X. Chen, S. Motojima, H. Iwanaga, Carbon 37, 1825 (1999).
38. J. Cheng, X. Zhang, J. Tu, X. Tao, Y. Ye, F. Liu, Mater. Chem. Phys. 95, 12 (2006).
39. W. H. Wang, K. M. Chao, C. T. Kuo, Diam. Relat. Mater. 14, 753 (2005).
40. R. Moradian, A. Fathalian, Nanotechnology 17, 1835 (2006).
41. G. Wu, B. Q. Xu, J. Power Sources 174, 148 (2007).
42. H. L. Chang, C. H. Lin, C. T. Kuo, Thin Solid Films 420-421, 219 (2002).
43. S. S. Wong, J. D. Harper, P. T. Lansbury Jr., C. M. Lieber, J. Am. Chem. Soc. 120, 603 (1998).
44. C. V. Nguyen, K. J. Chao, R. M. Stevens, L. Delzeit, A. Cassell, J. Han, M. Meyyappan, Nanotechnology 12, 363 (2001).
45. F. Ding, A. R. Harutyunyan, B. I. Yakobson, PNAS 106, 2506 (2009).
46. S. Reich, L. Li, J. Robertson, Chem. Phys. Lett. 421, 469 (2006).
47. R. Gao, Z. L. Wang, S. Fan, J. Phys. Chem. B 104(6), 1227 (2000).
48. F. Ding, A. Rose, K. Bolton, Carbon 43, 2215 (2005).
49. W. H. Wang, Y. R. Peng, P. K. Chuang, C. T. Kuo, Diam. Relat. Mater. 15, 1047 (2006).
50. H. Kanzow, A. Ding, Phys. Rev. B 60, 11-180 (1999).
51. C. M. Hsu, H. J. Lai, C. T. Kuo, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 1461 (2004).
52. R. A. Segura, W. Ibáñez, R. Aoto, S. Hevia, P. Häberle, J. Nanosci. Nanotechnol. 6, 1945 (2006).
53. I. K. Song, W. J. Yu, Y. S. Cho, G. S. Choi, D. Kim, Nanotechnology 15, S590 (2004).
54. C. C. Lin, P. Y. Lo, C. H. Lin, C. T. Kuo, Diam. Relat. Mater. 14, 778 (2005).
55. A. Gohier, C. P. Ewels, T. M. Minea, M. A. Djouadi, Carbon 46, 1331 (2008).
56. M. Chhowalla, K. B. K. Teo, C. Ducati, N. L. Rupesinghe, G. A. J. Amaratunga, A. C. Ferrari, D. Roy, J. Robertson, W. I. Milne, J. Appl. Phys. 90, 5308 (2001).
57. D. Zhao, J. Feng, Q. Huo, N. Melosh, G. H. Fredrickson, B. F. Chmelka, G. D. Stucky, Science 279, 548 (1998).
58. Y. I. Rabinovich, J. J. Adler, A. Ata, R. K. Singh, B. M. Moudgil, J. Colloid Interface Sci. 232, 10 (2000).
59. S. K. Pal, S. Talapatra, S. Kar, L. Ci, R. Vajtai, T. Borca-Tasciuc, L. S. Schadler, P. M. Ajayan, Nanotechnology 19, 1 (2008).
60. K. Y. Lee, S. I. Honda, M. Katayama, T. Miyake, K. Himuro, K. Oura, J. G. Lee, H. Mori, T. Hirao, J. Vac. Sci. Technol. B 23(4), 1450 (2004).
61. D. N. Futuba, K. Hata, T. Yamada, K. Mizuno, M. Yumura, S. Iijima, Phys. Rev. Lett. 95, 056104-1 (2005).
62. H. Kanzow, A. Schmalz, A. Ding, Chem. Phys. Lett. 295, 525 (1998).
63. G. S. Duesberg, A. P. Graham, F. Kreupl, M. Liebau, R. Seidel, E. Unger, W. Hoenlein, Diam. Relat. Mater. 13, 354 (2004).
64. M. Stadermann, S. P. Sherlock, J. B. In, F. Fornasiero, H. G. Park, A. B. Artyukhin, Y. Wang, J. J. D. Yoreo, C. P. Grigoropoulos, O. Bakajin, A. A. Chernov, A. Noy, Nano lett. 9, 738 (2009).
65. H. J. Jeong, Y. M. Shin, S. Y. Jeong, Y. C. Choi, Y. S. Park, S. C. Lim, G. S. Park, I. T. Han, J. M. Kim, Y. H. Lee, Chem. Vap. Deposition 8, 11 (2002).
66. Y. Homma, Y. Kobayashi, T. Ogino, D. Takagi, R. Ito, Y. J. Jung, P. M. Ajayan, J. Phys. Chem. B 107, 12161 (2003).
67. R. T. K. Baker, M. A. Barber, P. S. Harris, F. S. Feates, R. J. Waite, J. Catal. 26, 51 (1972).